Полупроводниковый инжекционный лазер для применения в лазерной арфе
Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.
Подобные документы
Наличие крутого падающего участка на амплитудной характеристике как физическая причина генерации хаотических колебаний в клистронном автогенераторе. Анализ зависимости нормированной выходной мощности от частоты внешнего гармонического воздействия.
статья, добавлен 30.10.2018Основные свойства тиристора - специального полупроводникового переключающего прибора, который попускает ток только в одном направлении. Устройство, принцип действия, обозначения диодных и триодных тиристоров. Режим работы динисторов и тринисторов.
реферат, добавлен 13.04.2014- 53. Исследование вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона
Изучение принципа работы и исследование статистических вольтамперных характеристик выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона. Понятие электронно-дырочного перехода. Принцип действия, конструктивное выполнение и основные параметры диода.
методичка, добавлен 15.12.2014 - 54. Импульсно-периодические источники перестраиваемого излучения для ультрафиолетового диапазона спектра
Исследование генерации второй гармоники излучения лазеров на красителях с ламповой накачкой в различных спектральных диапазонах, его практическое применение. Выбор типа и длины нелинейного кристалла и вычисление степени фокусировки основного излучения.
статья, добавлен 23.10.2010 Расчет параметров полупроводникового усилителя с общим эмиттером. Снижение выходного сопротивления источника питания. Определение максимального тока коллектора биполярного транзистора и мощности драйвера. Применение метода эквивалентного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 17.01.2016Проведение исследования фактов изобретения первого радиотелефонного приемника и полупроводникового детектора амплитудной модуляции А.С. Поповым. Изучение вещательных амплитудно-модулированных сигналов станций. Открытие телефонного свойства когерера.
статья, добавлен 28.01.2017Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Необходимость применения и основные особенности открытых резонаторов. Распространение световых лучей в оптических системах. Световой пучок в открытом резонаторе (гауссовы пучки). Селекция типов колебания в открытых резонаторах. Типы оптических зеркал.
контрольная работа, добавлен 24.08.2015Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Разработан оригинальный способ определения тангенса угла потерь тонких диэлектрических пластин и пленок в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Измерения тангенса угла потерь тонких пленок были проведены в резонаторе на частоте 69.4 ГГц.
статья, добавлен 07.11.2018- 61. Терморезистор
Общие основы работы измерительных преобразователей температуры. Описание физических основ работы терморезистора. Методика градуировки полупроводникового терморезистора. Классификация, принцип действия, применение и схемы включения терморезисторов.
реферат, добавлен 19.09.2016 Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Описание оптического и магнитооптического способов лазерной звуко- и видеозаписи. Устройство и принцип действия DLP-видеопроектора. Осуществление эпипроекции изображения при помощи света, отражённого от матрицы в объектив. Работа с цифровым изображением.
контрольная работа, добавлен 13.04.2023Особенность изучения входов и выходов микроконтроллера. Исследование разработки программного обеспечения. Осуществление связи с компьютером, другими устройствами Arduino. Физические характеристики платы. Исследование алгоритма работы сигнализации.
курсовая работа, добавлен 17.02.2019Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Особенность описания лабораторной установки. Изучение свойств элементарной магнитной антенны и измерение ее диаграммы направленности в плоскости. Исследование генерации сигнала с помощью анализатора цепей. Анализ отличий реального графика от идеального.
лабораторная работа, добавлен 19.09.2015Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Сбор информации о скорости, структурных и фазовых свойствах рассеивателей - задача оптического сигнала, поступающего на фотодетектор, в лазерной доплеровской анемометрии. Методика определения коэффициента вариации интервала следования радиоимпульсов.
статья, добавлен 07.11.2018Основные направления, по которым идет внедрение лазерной техники в военное дело. Лазерная локация, основанная на свойствах электромагнитных волн. Определение расстояния между дальномером и целью, работа наземных локаторов и бортовых лазерных систем.
курсовая работа, добавлен 17.04.2011Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Пошук малотоксичного і ефективного галогеноносія для XeCl-лазера. Одержання активного середовища з інверсною функцією розподілу електронів за енергіями, яке може бути використане для створення інверсної заселеності електронних рівнів домішкових молекул.
автореферат, добавлен 27.08.2014Общая схема и принцип действия гравитационных антенн, их типы и функциональные особенности. Ограничения чувствительности лазерных гравитационных антенн: фазовые шумы измерительного лазера, флуктуации радиационного давления, шумы подвеса и зеркал.
презентация, добавлен 16.12.2018Способы конструирования световодов и оценка дисперсионной модовой задержки многомодового волокна. Определение порядка сервисного обслуживания для высокоскоростной передачи информации по многомодовым оптическим трактам, использующим волоконные световоды.
статья, добавлен 20.11.2020Принципы высокоскоростной атактовой оцифровки импульсов субнаносекундного диапазона в границах лазерной инфракрасной и радиочастотной областях. Особенности формоизменения энергетического профиля импульса. Сущность технологии строб-фрейм-дискретизации.
статья, добавлен 30.10.2018