Полупроводниковый инжекционный лазер для применения в лазерной арфе
Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.
Подобные документы
Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Розробка теорії автофазної лампи бігучої хвилі з урахуванням поля об’ємного заряду. Дослідження електронно-хвильових явищ в статичних полях лазера на вільних електронах. Зв’язок між шириною згустку та його положенням відносно електромагнітної хвилі.
автореферат, добавлен 12.08.2014- 78. К вопросу о разработке модели нелинейного двухполюсника с управляемой вольт-амперной характеристикой
Разработка схемы замещения нелинейного двухполюсника с вольт-амперной характеристикой. Использование аналого-цифро-аналогового элемента для решения задачи. Применение полиномов различной степени для аппроксимации характеристик нелинейных элементов.
статья, добавлен 28.07.2017 Обзор процесса монтажа "flip-chip", присоединения полупроводникового кристалла интегральной схемы на подложку активной стороной вниз. Изучение критериев миниатюризации, герметизации при монтаже, нанесения адгезива, установки кристалла, плазменной чистки.
реферат, добавлен 23.12.2011Использование кинескопов с самосведением электронных лучей как особенность унифицированных стационарных полупроводниково-интегральных телевизоров цветного изображения. Исследование особенностей структурной схемы коммутатора телевизионных программ.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016- 81. Разработка и исследование нечетких регуляторов систем возбуждения бесщеточных синхронных генераторов
Повышение эффективности систем возбуждения синхронных генераторов в направлении разработки полностью цифровых систем с реализацией интеллектуальных, в частности, нечетких алгоритмов регулирования возбуждения. Суть концепции универсального аппроксиматора.
автореферат, добавлен 31.01.2019 Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости от значения приложенного напряжения. Авометр - измерительный прибор, применяющийся для проверки компонентов, входящих в состав печатных плат.
отчет по практике, добавлен 12.01.2020Эволюция датчиков компьютерной мыши: характеристика прямого и шарового привода. Контактный, оптический эндокер. Особенности оптических компьютерных мышей. Общая схема анализа перемещений мыши. Характеристика лазерной мыши: скорость, цена, передвижение.
реферат, добавлен 20.08.2014Методика и устройство для проверки и наладки систем регулирования возбуждения генерирующего агрегата. Характеристика двухканальной системы функционирование каналов регулирования возбуждения. Направления повышения надежности работы системы возбуждения.
лекция, добавлен 04.02.2020Дослідження фізичних процесів і явищ в активних середовищах на основі сполук груп А2, В6і, А3 та В5. Характеристика створення зразків лазерів з електронним накачуванням, засіб підвищення порогів оптичного руйнування для збільшення ресурсу роботи лазера.
автореферат, добавлен 29.09.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Сущность применения широкополосных символов в системах связи. Характеристика основных принципов оптимальной фильтрации. Главный анализ формирования и обработки кодового порядка сигнала Баркера. Особенности автокорреляционной функции М-последовательности.
методичка, добавлен 19.09.2015Рассмотрение преобразования когерентного ИК-излучения СО2-лазера в излучение с длиной волны около 100 мкм в нелинейном планарном диэлектрическом волноводе, выполненным из монокристалла. Решение уравнения связанных волн и расчет преобразователя.
статья, добавлен 07.11.2018Влияние обратного рассеяния излучения кольцевого лазера от внешних конструктивных элементов "в моду" резонатора, появление колебаний в показаниях лазерных датчиков угловых перемещений (лазерных гироскопов) с амплитудой до нескольких десятых градуса в час.
статья, добавлен 28.10.2018Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Анализ схем проверки равнозначности кодов. Построение многоразрядных графиков сравнения. Исследование условного графического изображения компаратора. Особенность применения одиночной микросхемы. Установление определенной совокупности выходных сигналов.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2016Исследование структурной схемы измерителя температуры и влажности. Особенность произведения питания устройства. Характеристика поступления сигнала с датчика в виде цифровой сигнальной базы в микропроцессор. Главный анализ сопротивления резистора.
контрольная работа, добавлен 14.01.2017Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным и выбор полупроводникового диода по результатам расчета. Расчётная схема и значения параметров транзисторного усилителя. Проверка правильности выбора трансформатора по мощности рассеяния.
курсовая работа, добавлен 12.01.2011Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Особенность исследования уровня надежности микроэлектронных систем. Анализ отказов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Изучение устойчивости компонентов электронных схем. Основные составляющие исправности программного обеспечения.
лекция, добавлен 22.03.2018Расчет цепей управления силовых полупроводниковых приборов с изолированным затвором. Обеспечение оптимальных значений времени переключения с целью снижения коммутационных потерь и повышении надежности схем управления микропроцессорными устройствами.
статья, добавлен 20.02.2019Разработкаи особенности метода построения модели потерь кадров в виде марковского канала с конечными состояниями. Характеристика и специфика метода построения модели потерь кадров в форме скрытой марковской модели с использование алгоритма Баума-Вэлша.
автореферат, добавлен 31.07.2018Расчет выходного каскада полупроводникового усилителя и разработка схемы его стабилизации. Определение электрических параметров выходного трансформатора проектируемого усилителя. Выбор теплоотводящего радиатора и расчет фильтра нижних частот прибора.
курсовая работа, добавлен 24.09.2014