Проектирование интегральных микросхем
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
Подобные документы
Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2013Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.
реферат, добавлен 20.11.2012Проблема оптимизации синтеза комбинационных частей цифровых интегральных микросхем. Нахождение функции Гильберта, задание систем частичных булевых функций. Применение разложения Гильберта к задаче синтеза комбинационных блоков интегральных микросхем.
статья, добавлен 19.04.2018Изучение особенностей строения схемы транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы. Аналитический расчет параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Расчет входных усилителей и фильтров нижних частот. Выбор микросхем аналого-цифрового преобразователя и гальванической изоляции, типа конвертора USB, преобразователей DC-DC. Моделирование схемы электрической принципиальной со спецификацией элементов.
курсовая работа, добавлен 17.02.2019Описание функционального назначения микропроцессорной системы. Главная сущность используемых микросхем. Особенность распределения адресного пространства. Анализ тактового генератора и буферных регистров. Характеристика работы принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 08.04.2016Возможные варианты автоматизированных испытаний аналоговых микросхем с помощью универсальных и специализированных тестеров. Разработка автоматизированных тестеров для испытаний микросхем компараторов, операционных усилителей и микросхем аудиоусилителей.
статья, добавлен 27.05.2018Разработка интегральной микросхемы в соответствии с требованиями, приведенными в техническом задании. Электрический расчет схемы с помощью программы электрического моделирования "VITUS". Топологии микросхемы, расчет геометрических размеров элементов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2010Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BSX20. Расчет резистивных элементов каскада. Определение суммарного сопротивления, задающего режим покоя. Расчет емкостных элементов каскада. Коэффициент усиления по напряжению.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Этапы проектирования интегральных схем. Элементарные функции алгебры логики. Представление логических функций в виде формул. Электрические параметры цифровых интегральных микросхем. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования.
учебное пособие, добавлен 14.07.2016Проектирование устройства кодирования букв с их записью в регистры памяти. Разработка таблицы истинности для входных переменных А-Е, отражающих номер буквы по алфавиту, её минимизация с помощью карт Карно; расчет узлов электрической принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 12.07.2013Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Выбор и обоснование применения элементной базы. Характеристика резисторов, конденсаторов, диодов, интегральных микросхем. Электрический расчет печатной платы, параметров отверстий. Размещение конструктивных элементов, расчет показателей надежности.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010