Проектирование интегральных микросхем

Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.

Подобные документы

  • Метод диэлектрической изоляции. Комбинированная изоляция элементов интегральной микросхемы. Последовательность операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых интегральной микросхемы с диэлектрической изоляцией элементов.

    лабораторная работа, добавлен 14.11.2013

  • Анализ технических характеристик и состава элементной базы современных ЭВМ. Методы построения схемы генератора чисел. Выбор и описание принципа работы микросхем. Разработка принципиальной электрической схемы. Расчет быстродействия и потребляемой мощности.

    методичка, добавлен 13.03.2021

  • Защита телекоммуникационного оборудования от влияния окружающей среды. Сквозной ток при переключении цифровых микросхем: механизм образования и влияние на помехи в системе питания. Базовые конструкции многослойных плат. Основные способы задания графов.

    лекция, добавлен 20.03.2011

  • Разработка структурной, функциональной и электрической принципиальной схем цифрового устройства, алгоритм его работы. Выбор и обоснование критериев подбора интегральных микросхем, их сравнительная оценка. Проектирование генератора тактовых импульсов.

    курсовая работа, добавлен 24.09.2011

  • Ознакомление с обоснованием структурной схемы разрабатываемого радиопередатчика. Расчет электронного режима транзистора, кварцевого автогенератора, элементов схемы усилителя и согласующих цепей, параметров элементов цепи питания, умножителя частоты.

    контрольная работа, добавлен 23.08.2014

  • Результаты работ по моделированию изменения электропараметров интегральных схем при воздействии ионизирующего излучения. Модели и программное обеспечение для расчета надежности биполярных интегральных микросхем, учитывающие температуру окружающей среды.

    статья, добавлен 28.04.2017

  • Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.

    лабораторная работа, добавлен 08.04.2018

  • Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2016

  • Расчет и сравнение параметров транзистора для схем включения с общими эмиттером и базой. Определение статических и динамических параметров каскада с общим эмиттером, параметров выходного импульсного сигнала. Значение выходной функции для логической схемы.

    контрольная работа, добавлен 10.12.2015

  • Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.

    учебное пособие, добавлен 26.05.2014

  • Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.

    курсовая работа, добавлен 03.11.2012

  • Характеристика экспансии и следствия закона Мура. Анализ нового технологического процесса, представленного корпорацией Intel. Сущность традиционного планарного транзистора. Формирование емкости на затворе. Особенность бесконтактной диагностики микросхем.

    контрольная работа, добавлен 11.12.2014

  • Аналитический обзор микросхем, реализующих аналоговое управление однофазными корректорами коэффициента мощности. Расчет переходных, установившихся режимов и показателей качества корректоров, основанных на основных структурах систем их управления.

    автореферат, добавлен 02.05.2018

  • Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Применение полупроводниковых стабилизаторов в измерительных и проверочных лабораториях. Электрическая схема стабилизатора компенсационного типа в дискретных элементах. Расчет схемы компенсационного стабилизатора напряжения на базе интегральных микросхем.

    курсовая работа, добавлен 23.09.2014

  • Расчет электронного режима транзистора радиопередатчика с частотной модуляцией, элементов схемы усилителя и согласующих цепей. Расчет кварцевого автогенератора. Выбор типа и режима работы транзистора. Габаритные размеры радиодеталей и радиокомпонентов.

    дипломная работа, добавлен 21.11.2013

  • Разработка и характеристика электрических схем аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов. Исследование принципов работы гибридных интегральных микросхем. Ознакомление с особенностями структурной схемы двухкаскадного усилителя.

    курсовая работа, добавлен 06.02.2017

  • Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.

    контрольная работа, добавлен 22.10.2017

  • Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.

    презентация, добавлен 05.04.2020

  • Разработка структурной, принципиальной и функциональной схемы микропроцессорной системы контроля температуры нефти на выходе. Блок-схема управляющей программы. Принципы работы, основные характеристики микросхем, расчет потребляемой мощности системы.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2015

  • Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.

    лекция, добавлен 19.09.2011

  • Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.

    реферат, добавлен 15.11.2012

  • Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.

    курсовая работа, добавлен 05.06.2015

  • Описание основных технических характеристик счетчиков, логического цифрового устройства последовательностного типа, их классификация. Изучение принципа действия современного реверсивного счетчика 564ИЕ14 ЭП серии цифровых интегральных микросхем.

    реферат, добавлен 10.12.2014

  • Параметры биполярного транзистора, определяющие работу линейного усилителя. Принципиальная схема усилителя низкой частоты, амплитудная характеристика работы. Расчет и проверка рабочей точки, значения сопротивлений усилителя и разделительных емкостей.

    курсовая работа, добавлен 20.09.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.