Проектирование интегральных микросхем
Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
Подобные документы
Методы изготовления интегральных микросхем. Пентоды и их конструкции. Принцип работы МДП транзистора со встроенным каналом. Получение в кристалле многослойной структуры, воспроизводящей заданную электрическую схему, основные технологические процессы.
реферат, добавлен 29.03.2021Широкое применение интегральных микросхем в цифровой электронике. Разработка структурной схемы устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Выбор серии интегральных микросхем, датчиков, источников питания, устройства согласования.
курсовая работа, добавлен 25.03.2015Использование интегральных микросхем в радиоэлектронной аппаратуре. Назначение арифметически-логических интегральных схем. Классификация сумматоров, выбор и обоснование функциональной схемы. Расчет потребления мощности, быстродействия и надежности.
реферат, добавлен 06.03.2010Рассмотрение схем, реализованных на стандартных интегральных микросхемах. Характеристика интегральных микросхем преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов. Исследование принципа действия мультиплексора и демультиплексора и их обобщенной схемы.
реферат, добавлен 21.02.2015Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.
курсовая работа, добавлен 10.11.2016Особенности выбора входного транзистора, расчет входных элементов и элементов отрицательной обратной связи. Основы расчета мощности элементов схемы. Определение оконечного каскада. Исследование основных аспектов проектирования электронного устройства.
курсовая работа, добавлен 05.01.2015Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017- 58. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Характеристика плёночных и гибридных интегральных микросхем, область их применения и преимущества. Пассивные элементы микросхем. Выполнение арифметических действий в двоичной системе счисления, проверка ответа переводом его в десятичную систему счисления.
курсовая работа, добавлен 10.10.2017Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Осуществление контроля основных параметров микропроцессорных и микроконтроллерных интегральных схем. Основы безопасности при работе с электрическим напряжением. Разработка и проектирование шифраторов и дешифраторов. Устройство ввода-вывода для IBM PС.
отчет по практике, добавлен 28.05.2015Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Описания особенностей конструирования интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе. Структура ячейки флэш-памяти. Обзор внутреннего устройства микросхемы. Основные элементы биполярных микросхем. Конструктивно-технологические типы ИМС.
презентация, добавлен 20.07.2013Снижение затрат на подготовку и освоение производства небольших серий микросхем как одна из важнейших задач микроэлектроники. Понятие и закономерности воплощения "разумного" производства. Модификации производственного маршрута и роль разработчика.
статья, добавлен 29.05.2017Элементы транзисторно-транзисторной логики: особенности схем, применение, достоинства и недостатки. Элементы КМОП-логики, причины их использования в цифровых интегральных схемах. Общая характеристика основных параметров логических элементов, их значение.
лекция, добавлен 16.10.2011Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Изучение основных структур ИМС АЦП и их характеристик. Комплексный контроль статических и динамических параметров. Применение аналого-цифровых преобразователей в различных областях современной науки и техники. Методы контроля интегральных микросхем АЦП.
курсовая работа, добавлен 29.10.2013Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014