Исследование удельного сопротивления полупроводников и тонких плёнок
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
Подобные документы
Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018Исследование методов оценки степени увлажнения изоляции электрических машин и трансформаторов в процессе их эксплуатации. Измерение абсолютных значений сопротивления изоляции R60 на примере электродвигателя. Технические характеристики трансформатора.
практическая работа, добавлен 15.04.2020Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Физические основы действия проводниковых и резистивных материалов. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников. Влияние примесей на свойства и электропроводность металлов. Сопротивление проводников на высоких частотах.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Исследование частотных и радиационных характеристик антенн из проводящих чернил, напечатанных на бумаге и пленке полиимида. Моделирование и тестирование нескольких образцов антенн на обоих типах подложек. Эффективность излучения антенн такого типа.
статья, добавлен 05.11.2018Изучение методики расчета транзисторного компенсационного стабилизатора последовательного типа. Определение параметров регулирующих транзисторов, резисторов, стабилитрона, делителя; выбор элементов схемы. Расчет коэффициента стабилизации устройства.
лабораторная работа, добавлен 07.05.2010Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Феномен проводимости в твердом теле с точки зрения квантовой физики. Зонная теория электропроводности для различных твердых материалов. Функция Ферми-Дирака для равновесного состояния электронов. Разница в проводимости полупроводников и кристаллов.
лекция, добавлен 01.09.2013Ознакомление с описанием принципов функционирования и характеристик цифровой схемы. Рассмотрение принципиальной электрической схемы устройства. Определение сопротивления резистора и напряжения порога переключения. Расчет тока эмиттерных повторителей.
контрольная работа, добавлен 23.05.2015Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Разработка и расчет принципиальной схемы измерителя сигналов термометров сопротивления. Устройство представления информации. Выбор источника опорного напряжения. Погрешность, вносимая блоком коммутации. Описание конструкции измерительного прибора.
курсовая работа, добавлен 10.03.2016Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах. Кодированное обозначение номинального сопротивления, допуска и примеры обозначения. Цветовая и кодовая маркировка номинального сопротивления и допуска отечественных резисторов. Маркировка диодов.
отчет по практике, добавлен 18.02.2019Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Расчет и выбор транзисторов. Максимальный ток коллектора. Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Минимальные нелинейные искажения для малых сигналов. Расчет общего входного сопротивления схемы. Расчет эмиттерного повторителя и элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.03.2015Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Основные технические характеристики, область применения и основные особенности конструкции термопреобразователей сопротивления из металла. Методика апроксимации номинальной статической градуировочной характеристики термопреобразователей сопротивления.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2012Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010