Исследование удельного сопротивления полупроводников и тонких плёнок
Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
Подобные документы
Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Расчет зависимости волнового сопротивления от ширины микрополосковой линий. Определение эффективной диэлектрической проницаемости подложки. Расчет коэффициента связи шлейфного направленного ответвителя. Моделирование фазовращателя типа "Мостовая схема".
лабораторная работа, добавлен 13.09.2016Схемы транзисторных усилителей. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада. Основные принципы расчета транзисторного усилителя. Расчет источника питания усилителя. Расчет однофазного мостового выпрямителя на полупроводниковых диодах.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Исследование согласования выходного сопротивления усилителя с сопротивлением нагрузки. Расчет амплитудно-частотных характеристик выходного каскада, напряжения питания, коррекции на высоких частотах. Описания выбора сопротивления коллектора и нагрузки.
курсовая работа, добавлен 25.02.2011- 105. Электронные приборы
Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015 - 106. Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
презентация, добавлен 27.04.2023 Основные положения теоретического расчета. Аналитический обзор микроскопа. Расчет системы микроскопа в тонких компонентах. Оптические характеристики объектива и окуляра. Переход к толстым компонентам. Габаритный расчет оптической схемы микроскопа.
курсовая работа, добавлен 06.03.2013Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Схема усилителя напряжения. Определение сопротивления резистора отрицательной обратной связи. Ток делителя цепи смещения. Построение нагрузочных характеристик по постоянному и переменному току. Расчет схемы инвертирующего усилителя постоянного тока.
курсовая работа, добавлен 15.09.2017- 110. Строение микросхем
Общие сведения о микросхемах и технологии и укрупненная схема технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Изготовление монокристалла из полупроводников. Схема установки для выращивания кристаллов по методу Чохральского.
реферат, добавлен 12.01.2013 Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Роль тонкопленочной технологии в производстве интегральных микросхем. Методы формирования тонких пленок: термического испарения в вакууме, ионного распыления, ионно-термического испарения. Характеристика и свойства тонкопленочных пассивных элементов.
курсовая работа, добавлен 17.01.2011Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017- 116. Электронная техника
Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011 Применение в технической гидроакустике устройств для превращения электрической энергии в звуковую. Понятие пьезоэффекта: построение его уравнений и эквивалентных схем преобразователей. Расчет частотных характеристик входной проводимости и сопротивления.
курсовая работа, добавлен 18.02.2011Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Проверка достаточности напряжения питания схемы. Выбор сопротивления нагрузки в цепи эмиттера. Выбор транзистора по параметрам режима эксплуатации. Графоаналитический расчет каскада по постоянному току. Определение величин емкостей конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 29.05.2014Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.
курсовая работа, добавлен 29.06.2015Определение зеркального канала приема, полосы запирания фильтра. Расчет параметров инверторов проводимостей, волнового сопротивления для колебаний, эффективной диэлектрической проницаемости подложки, потерь в диэлектриках и фильтра в полосе пропускания.
контрольная работа, добавлен 11.04.2022Методика поверки технических амперметров, вольтметров и определение их основных характеристик. Определение основных погрешностей, вычисление времени установления показаний. Расчет потребляемой прибором мощности. Схемы испытаний, сопротивления изоляции.
лабораторная работа, добавлен 28.08.2015Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Технология получения ситалла. Изменение свойств стекла в процессе кристаллизации. Процесс получения подложек. Резка слитков на пластины, шлифовка и полировка. Метод скрайбирования для получения плат, его достоинства и недостатки. Ломка пластин на платы.
реферат, добавлен 27.11.2013Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009