Технология изготовления интегральных логический микросхем на основе GaAs
Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
Подобные документы
Проектирование и расчет пленочных интегральных схем. Рассмотрение основных принципов проектирования топологической структуры гибридных проектов. Методика расчета основных тонкопленочных элементов и оценка теплового режима гибридных интегральных микросхем.
учебное пособие, добавлен 21.11.2012Выбор трансформатора по стандартной шкале мощностей. Типы вентилей с воздушным охлаждением для выпрямителя и инвертора, параметры вентильных плеч. Схема выравнивания токов в параллельных ветвях вентильных плеч соответственно для выпрямителя и инвертора.
курсовая работа, добавлен 11.08.2015Характеристики инвертора и триггера Шмитта с инверсией. Реакция на искаженный входной сигнал инвертора. Формирователь импульса начальной установки. Построение генераторов цифрового сигнала. Триггер Шмитта на логических элементах, расчёт его надежности.
дипломная работа, добавлен 11.04.2012Алгоритм управления, обеспечивающий снижение коммутационных потерь в транзисторах инвертора напряжения, работающего на индукционную нагрузку с целью повышения энергетических показателей источников питания индукционного нагрева и их частотного диапазона.
статья, добавлен 27.09.2012Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.
контрольная работа, добавлен 22.01.2015Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016- 58. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
автореферат, добавлен 10.08.2014 Применение в народном хозяйстве электронной цифровой вычислительной техники. Поколение ЭВМ на основе интегральных схем с большой степенью интеграции элементов (БИС). Микропроцессорные вычислительные машины на основе БИС. Структура микропроцессора.
реферат, добавлен 25.01.2016- 60. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 История развития информатики. История развития идеи создания вычислительной, электронновычислительно и компьютерной техники. Изобретение транзисторов и интегральных микросхем. Первые попытки создания компьютера. Apple и IBM компьютеры. Создание Интернет.
реферат, добавлен 12.11.2008Специфика применения высокочастотных источников питания на базе резонансных инверторов напряжения в установка индукционного нагрева для нагрева металла перед пластической деформацией. Моделирование работы инвертора при изменении входного напряжения.
статья, добавлен 29.07.2016Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Проектирование и разработка современной радиоприёмной аппаратуры на основе микросборок с интегральными микросхемами, содержащими активные элементы. Разработка и построение перспективных моделей радиоприёмников с использованием интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 05.12.2010Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Применение высокочастотных транзисторных источников питания в установках индукционного нагрева. Схема построения замкнутой системы управления инвертора. Процесс нагрева с обратной связью по температуре. Схема транзисторного инвертора напряжения.
статья, добавлен 10.03.2018Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013- 70. Аморфные сплавы
Способы получения аморфных сплавов, их классификация. Закалка из жидкого состояния. Осаждение на охлаждаемые подложкой ионно-плазменном и термическом напылении. Аморфизация электроискровым разрядом. Структуры аморфных сплавов, ионная имплантация.
реферат, добавлен 17.03.2021 Исходные данные для проектирования технологических маршрутов. Исследование множества переходов этапов технологического маршрута. Автоматизированное проектирование технологических маршрутов на основе методов типизации. Обобщенный и индивидуальный маршрут.
лекция, добавлен 22.07.2015Особенности процесса построения интеллектуальных систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Формирование символьного представления решения задачи канальной трассировки. Механизмы трассировки на основе роевого интеллекта.
статья, добавлен 19.01.2018Назначение и принцип работы импульсного блока питания, структура и взаимосвязь электронных узлов. Выбор элементной базы. Схема высокочастотного преобразователя. Характеристики ключевых транзисторов инвертора. Определение и локализация неисправностей.
реферат, добавлен 05.06.2015Описание функционального назначения микропроцессорной системы. Главная сущность используемых микросхем. Особенность распределения адресного пространства. Анализ тактового генератора и буферных регистров. Характеристика работы принципиальной схемы.
курсовая работа, добавлен 08.04.2016Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013