Технология изготовления интегральных логический микросхем на основе GaAs
Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
Подобные документы
Составляющие потребляемой мощности микросхемы. Оценка среднего энергопотребления статических КМОП-схем в штатном режиме их функционирования, используемых на разных этапах проектирования. Оценка энергопотребления на основе динамического анализа.
статья, добавлен 30.07.2020Волоконно-оптические линии связи. Работы по созданию решений PLC на основе электрических сетей. Коммерческое предоставление телекоммуникационных услуг в ограниченном масштабе. Характеристики технологий широкополосного абонентского доступа на основе PLC.
реферат, добавлен 23.10.2014Кодирование чисел с помощью электронно-вычислительных машин. Виды преобразователей кодов. Дешифраторы в системах цифровой индикации. Основные параметры серии микросхем на основе ТТЛШ технологий. Расчет электрической принципиальной схемы устройства.
контрольная работа, добавлен 10.12.2013Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Разработка сценария демонстрации в начале работы над презентацией. Способы создания презентаций в программе Power Point: с использованием мастера автосодержания, на основе презентации и на основе шаблонов. Редактирование слайдов, мультимедийные эффекты.
реферат, добавлен 22.09.2010Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.
курсовая работа, добавлен 10.11.2016Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Рассмотрение схем, реализованных на стандартных интегральных микросхемах. Характеристика интегральных микросхем преобразователей кодов, шифраторов и дешифраторов. Исследование принципа действия мультиплексора и демультиплексора и их обобщенной схемы.
реферат, добавлен 21.02.2015Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
курс лекций, добавлен 03.03.2018Рассмотрение особенностей использования специализированной элементной базы при создании системы ближней радиолокации на основе сверхкоротких импульсов с малым энергопотреблением. Возможности практического использования системы в качестве датчиков.
статья, добавлен 30.10.2018Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Преимущества и недостатки сетей PES32–8, PES32–4, PES32–2 и PES32–1, состоящих из восьми, четырех, двух и одной раундовых функций, разработанных на основе сети PES32–16. Преобразования и раундовые функции сети. Алгоритм зашифрования и расшифрования.
статья, добавлен 26.08.2016Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012Методика расчета характеристик антенны вытекающих волн на основе плоских слоистых направляющих структур. Возможность расчета диаграммы направленности. Зависимости коэффициента фазы и коэффициента затухания от размеров волновода, ширины щели, рабочей часто
статья, добавлен 05.11.2018Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Анализ метода передачи дискретных сообщений на основе интеллектуального модема с многочастотной модуляцией. Оценка параметров модема с целью выравнивания характеристик частотно-ограниченного канала связи на основе оптимальной рекуррентной фильтрации.
статья, добавлен 30.10.2018- 117. Схемотехника усилителей электрических сигналов с использованием биполярных и полевых транзисторов
Принцип работы усилителя электрических сигналов, основные его характеристики. Особенности изменения их значений с увеличением напряжения питания. Исследование специфики схемотехники этого устройства с использованием биполярных и полевых транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 13.08.2013 Характеристика способа увеличения плотности полевых транзисторов в составе усилителя мощности, а так же уменьшения их размеров. Формирование гетероструктуры специальной конфигурации. Особенность оптимизированного отжига примеси и радиационных дефектов.
статья, добавлен 07.11.2018Понятие интегральной микросхемы, разработка элементов совместимости материалов. Монтаж активных компонентов гибридной схемы, ее классификация в зависимости от процесса формирования пассивных элементов. Базовая технология создания полупроводниковых схем.
реферат, добавлен 01.02.2011Обширная номенклатура интегральных микросхем в Российской Федерации. Основа последовательностных цифровых приборов. Интегральные микросхемы комбинационного типа. Электронные часы с кварцевым генератором. Таймер на интегральных микросхемах серии К155.
книга, добавлен 11.03.2014Наноэлектроника – область современной электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем и устройств на их основе. Разработка электронных устройств со сверхмалыми размерами; методы их получения.
доклад, добавлен 23.03.2019Плюсы и недостатки метода ионной имплантации в технологии ИС. Цели ступенчатого ионного легирования. Определение необходимой толщины маскирующего окисла при проведении ионной имплантации. Маскирующие свойства SiO2 при легировании различными примесями.
контрольная работа, добавлен 03.10.2017Решение оптимизационной задачи определения топологии сети на базе системы полевых шин по критериям минимизации задержки связи. Анализ линейной функции стоимости, учитывающая параметры канала. Алгоритм пропускной способности канала, распределение потоков.
статья, добавлен 25.08.2020Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.
курсовая работа, добавлен 05.06.2015Классификация понижающих конверторов, их особенности и основные трудности реализации в СВЧ и КВЧ диапазонах. Исследование гибридной технологии многослойных интегральных схем на основе керамики с низкой температурой обжига — КНТО, ее использование.
статья, добавлен 27.02.2019