Технология изготовления интегральных логический микросхем на основе GaAs
Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
Подобные документы
Описание интегральной микросхемы (ИМС). Маршрут изготовления ИМС методом планарно-эпитаксиальной технологии. Расчет интегральных компонентов транзисторов и резисторов. Конструкция соединений и контактных площадок. Построение топологического чертежа ИМС.
курсовая работа, добавлен 10.05.2013Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Вопросы проектирования планарных зеркал для квазиоптических интегральных антенн миллиметрового диапазона на основе периодических отражателей. Исследование отражателей, выполненных в виде двумерной или одномерной решетки щелей в экране плоского волновода.
статья, добавлен 05.11.2018Рассматривается алгоритм поиска одиночных дефектов в непрерывной динамической системе с глубиной до динамического блока на основе функции структурной чувствительности, с использованием анализа знаков интегральных оценок отклонений выходных сигналов.
статья, добавлен 07.09.2021Фототранзисторы и фототиристоры, их разновидности и конструкции. Многоэлементные фотоприемники. Технология фотоприемников. Диффузия из газа, жидкостная эпоксия и ионная имплантация. Оптический приемный модуль. Область применения оптических датчиков.
лекция, добавлен 17.08.2014Взаимосвязь между энергетическим спектром молекулы и транспортными характеристиками мономолекулярного одноэлектронного транзистора на основе молекулы. Применение метода имитационного моделирования Монте-Карло. Расчет эффективных емкостных параметров.
статья, добавлен 03.11.2018Розробка методик моделювання процесів росту монокристалів Ga0.03In0.97Sb і епітаксіальних шарів GaAs в ультразвуковому полі. Можливий вплив ультразвуку на електрофізичні властивості монокристалів твердого розчину, формування шарів росту в кристалах.
автореферат, добавлен 28.09.2015Рассмотрение новых методов определения интегральных характеристик, основанных на запоминании и сравнении мгновенных значений гармонических сигналов и обеспечивающих сокращение времени измерения. Реализация методов измерения интегральных характеристик.
статья, добавлен 30.08.2018Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Общая характеристика беспроводных сетевых технологий. Архитектура и компоненты сети. Сравнение стандартов беспроводной передачи данных. Изучение рынка Wi-Fi технологий, безопасность функционирования сетей на основе протокола 802.11 и его аналогов.
курсовая работа, добавлен 25.03.2011Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Описание разработанной системы определения расстояния до объектов на основе двух широкоугольных камер, образующих стереопару. Система и решение задачи захвата изображений с камер, исправления геометрических искажений изображений и построения карты.
статья, добавлен 27.04.2019Дискретные электронные устройства на основе интегральных микросхем как средство автоматизации технологических процессов. Создание принципиальной электрической схемы дискретного устройства. Минимизация сложных логических выражений с помощью матрицы Карно.
дипломная работа, добавлен 15.02.2016Система условных обозначений интегральных микросхем. Конструктивно-технологическая группа. Присвоение серии как порядковый номер разработки. Элементы арифметических и дискретных устройств. Схема вторичных источников питания. Сигналы специальной формы.
контрольная работа, добавлен 18.01.2014Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014Этапы проектирования интегральных схем. Элементарные функции алгебры логики. Представление логических функций в виде формул. Электрические параметры цифровых интегральных микросхем. Применение метода токовых графов для схемотехнического проектирования.
учебное пособие, добавлен 14.07.2016Технологический процесс изготовления гибридных интегральных микросхем. Поверочный расчет конструкций тонко- и толстопленочных резисторов, выбор формы и геометрических размеров. Определение конструкций пленочных конденсаторов, выбор материала диэлектрика.
курсовая работа, добавлен 11.02.2013Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Сведения о продукции, выпускаемой предприятием. Общая схема технологии процесса изготовления изделия HV10. Теоретические основы метода выполнения диффузии, техника ее проведения и предъявляемые требования. Разработка магнитронного напыления алюминия.
отчет по практике, добавлен 08.08.2013Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.
курсовая работа, добавлен 27.11.2012Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Понятие и функциональные особенности, внутреннее устройство мультивибраторов как монолитных интегральных микросхем. Роль и значение транзисторов в данных устройствах. Разработка электрической структурной и функциональной схем, их элементы и анализ.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017