ТГц-спектрометр высокого разрешения на основе наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств
Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
Подобные документы
Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.
реферат, добавлен 06.03.2023Разработка быстродействующих антенных согласующих устройств для использования в радиостанциях метрового диапазона. Особенности построения, преимущества, структурная схема, формулы для расчета элементов согласования широкополосных согласующих устройств.
статья, добавлен 02.04.2019Качественное представление дневной или ночной обстановки вокруг охраняемого объекта с помощью телевизионной камеры высокого разрешения и низкоуровневого канала. Применение тепловизионных каналов средневолнового и длинноволнового спектра ИК-излучения.
статья, добавлен 07.12.2018Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.
контрольная работа, добавлен 03.06.2014Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Сравнение достоинств и недостатков электронных ламп и полупроводниковых приборов. Рассмотрение устройства электровакуумных и газоразрядных приборов. Изучение их классификации, обозначения и электрических параметров. Исследование электронно-лучевых трубок.
лекция, добавлен 22.04.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Требования к методам и средствам регистрации излучений. Новейшие исследования и разработки в области электронных цифровых приёмных устройств оптического излучения. Задача повышения пространственного разрешения при сохранении линейных размеров пикселей.
статья, добавлен 07.11.2018Проведение исследования способов организации ввода и вывода информации в синхронных цифровых схемах. Использование кнопок, подверженных дребезгу в качестве устройств ввода, и семисегментных индикаторов с общим анодом в качестве устройств вывода.
отчет по практике, добавлен 17.12.2019Исследование самовозбуждения системы из двух связанных осцилляторов. Разработка устройств для детектирования терагерцевого излучения. Построение модели колебаний электронной плазмы в нанотрубках. Повышение добротности антенн без электрических контактов.
статья, добавлен 03.11.2018Целесообразность применения в качестве детекторов высокого разрешения рентгенооптических преобразователей с цифровыми видеокамерами. Модификация алгоритма Фельдкампа для цилиндрической матрицы детекторов. Способы повышения точности реконструкции.
статья, добавлен 29.01.2019Разработка физико-технологического базиса создания планарных квазиодномерных структур наноэлектроники и способов формирования функциональных устройств. Применение методов микроэлектроники интегральных сенсорных устройств на основе углеродных нанотрубок.
автореферат, добавлен 30.01.2018Имитационное моделирование работы радиолокационной системы терагерцового диапазона радиоволн с разработкой численных моделей и программно-алгоритмического обеспечения исследований распространения электромагнитного импульса в волноводных трактах.
статья, добавлен 06.11.2018Элементы управляющих устройств сверхвысотной частоты. Способы широкополосного согласования, принцип частотной компенсации. Коаксиальный тракт облучателя зеркальной антенны. Преимущества использования диапазона в согласовании активных, пассивных устройств.
курсовая работа, добавлен 02.07.2013Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Возможность создания широкодиапазонного спектрометра повышенной точности с автокомпенсацией энергетической зависимости чувствительности во всем диапазоне измеряемой энергии. Расчет погрешности вероятностного преобразования проектируемого устройства.
статья, добавлен 24.07.2013Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Суть принципов построения моделей микропроцессорных устройств автоматического управления на основе алгоритмического моделирования в режиме реального времени. Возможность практической реализации таких систем на базе программного комплекса Multi-Control.
статья, добавлен 31.01.2019Разработка программного обеспечения на основе формул нерегулярных четырехполюсников. Разработка и внедрение устройств связи высокочастотного и сверхвысокочастотного диапазона. Виды нерегулярных четырехполюсников, их характеристика и способы соединения.
дипломная работа, добавлен 18.05.2010Исследование характеристик на постоянном токе квазиоптических NbN HEB смесителей терагерцового диапазона частот на эффекте электронного разогрева. Измерения шумовой полосы NbN HEB смесителей, изготовленных по технологии in situ, на частоте 2,5 ТГц.
автореферат, добавлен 02.09.2018Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.
курс лекций, добавлен 11.09.2012Градация полупроводниковых электронных агрегатов. Принцип работы устройств, предназначенных для цифрового преобразования аналоговых сигналов с опорным напряжением. Основные характеристики однопороговых, регенераторных и двухпороговых компараторов.
реферат, добавлен 24.12.2014Достоинства полупроводниковых преобразовательных устройств. Назначение тиристорных преобразователей и их основные характеристики. Проектирование и технологический расчет реверсивного тиристорного преобразователя, работающего на двигатель постоянного тока.
курсовая работа, добавлен 29.03.2015