ТГц-спектрометр высокого разрешения на основе наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств
Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
Подобные документы
Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Электрические и магнитные цепи. Электромагнитные устройства и электрические машины. Элементная база электронных устройств. Основы аналоговой и цифровой электроники. Физические основы работы полупроводниковых приборов. Расчет сглаживающего фильтра.
методичка, добавлен 26.09.2017Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Методы создания нового класса аналоговых функциональных элементов на основе многослойных неоднородных резистивно-емкостных структур с распределенными параметрами. Разработка и апробация устройств обработки информации, идентификации и управления.
автореферат, добавлен 14.02.2018Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Локальная сеть как набор компьютеров, периферийных устройств (принтер, сканер) и коммутационных устройств, соединенных кабелями и принцип ее создания. Понятие глобальной сети. Международная сеть Internet и ее возможности. Сотовые операторы Казахстана.
реферат, добавлен 24.05.2014Общие принципы построения выпрямительных устройств. Структурная схема, классификация полупроводниковых выпрямителей. Однофазные выпрямители: с двухполупериодной схемой со средней точкой, с мостовой схемой. Нулевая и мостовая схемы трехфазных выпрямителей.
контрольная работа, добавлен 25.11.2020Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Изобретение и тенденции развития печатных плат. Методы расчета, проектирование и моделирование микрополосковых СВЧ устройств на печатных платах с многослойными диэлектрическими подложками. Энергетические характеристики паразитного излучения кромок.
диссертация, добавлен 28.12.2016Технология изготовления распределенного широкополосного фильтра низких частот для криогенных наноболометров с полосой заграждения 0,1-20 ГГц. Комбинация тонкопленочного конденсатора с демпфирующей линией передачи на основе витой пары из манганина.
статья, добавлен 30.10.2018Разработка образца портативного сцинтилляционного гамма-спектрометра для измерения радиоактивности объемных сред в полевых условиях. Измерение радиоактивности среды в 4-геометрии, исключающей влияние фонового гамма-излучения на результаты измерения.
статья, добавлен 12.09.2013Особенность интеграции аналоговых и цифровых устройств в специализированные сложно-функциональные блоки. Анализ обобщенной структуры и основных свойств звеньев полосовых фильтров. Исследование схемотехнического проектирования звена второго порядка.
статья, добавлен 30.05.2017- 88. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 - 89. Плёнки BaxSr1-xTiO3 и структуры на их основе для перестраиваемых устройств сверхчастотного диапазона
Рассмотрение и характеристика способа увеличения частоты отсечки, связанной с последовательным резонансом индуктивности электродов конденсатора и его ёмкости. Разработка и анализ метода определения предельно достижимого параметра качества фазовращателя.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Определение устройств связи малого радиуса действия. Установление пределов мощности или напряженности магнитного или электрического поля, необходимых для обеспечения удовлетворительной работы устройств SRD. Приведение требований к антенне передатчика.
доклад, добавлен 13.10.2014Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Примеры разработки сравнительно сложных цифровых устройств: логического анализатора и генератора аналоговых сигналов. Анализ функций разрабатываемых устройств, выделение основных узлов. Проектирование принципиальных схем узлов и устройств в целом.
лекция, добавлен 12.01.2015Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Рассмотрение структурного синтеза сверхвысокочастотных (СВЧ) устройств с использованием шлейфных четырехполюсников, позволяющих значительно увеличить число вариантов схемотехнического построения устройств. Каскадное включение реактивных четырехполюсников.
статья, добавлен 30.10.2018Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
статья, добавлен 04.11.2018Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Виды, параметры радиопередающих и радиоприёмных устройств. Структурная схема типового передатчика, радиоприёмников прямого усиления и супергетеродинного типа, назначение их основных элементов. Нормы стабильности частоты. Передача телеграфных сигналов.
лекция, добавлен 25.09.2017Современное состояние и тенденции развития методов проектирования и конструкций аксиально-симметричных замедляющих структур и сверхвысокочастотных устройств на их основе. Физические и конструктивно-технологические особенности микроволновых резонаторов.
диссертация, добавлен 28.12.2016