ТГц-спектрометр высокого разрешения на основе наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств
Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
Подобные документы
Рассмотрение вопроса создания мини-спектрометра для смартфона с целью получения, обработки спектров в диапазоне 400-760 нм и отображения их на экране смартфона. Использование мини-спектрометра для смартфона в качестве комбинированной автономной системы.
статья, добавлен 03.12.2018Кратко исследуется вклад в чувствительность сверхпроводниковых детекторов электромагнитного излучения, возникающий из-за изменения спектральных функций абсорбера. Предложен метод расчета поправок к спектральным функциям для случая "грязной" пленки.
статья, добавлен 03.11.2018Создание электронных узлов, блоков и устройств, выполняющих функцию преобразования, обработки сигнала и накапливания информации. Элементы и задачи интегральных микросхем. Использование полупроводниковых устройств в компьютерной технике и процессорах.
реферат, добавлен 20.11.2018Описание распределительных устройств высокого напряжения. Изучение основных характеристик и свойств элегаза и основных технических параметров элегазовых выключателей зарубежного производства. Применение элегазового коммутационного электрооборудования.
учебное пособие, добавлен 07.11.2014Аспекты явления электронного разогрева в сверхпроводниковых пленках применительно к детекторам электромагнитного излучения. Оценка вольт-ваттной чувствительности и шумовой температуры детектора в рамках линеаризованных уравнений теплового баланса.
статья, добавлен 03.11.2018Рассмотрение оптических сигналов в качестве несущего колебания. Особенности разработки элементной базы радиопередающих и радиоприемных устройств оптического диапазона. Альтернативное детектирование оптических СВЧ-амплитудно-модулированных сигналов.
статья, добавлен 29.06.2017Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Изучение принципа действия полупроводниковых и фотоэлектронных приборов. Функционирование типовых электронных узлов и устройств. Характеристики основных семейств логических операций. Применение цифровых запоминающих устройств. Виды стабилизаторов.
учебное пособие, добавлен 09.12.2013Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Механизм генерации когерентного электромагнитного излучения терагерцевого диапазона. Его реализация в экспериментах по взаимодействию лазерных импульсов фемтосекундной длительности с поверхностью тонких наноструктурированных ферромагнитных пленок.
статья, добавлен 07.11.2018Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016- 13. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Анализ вариаций тока сверхпроводникового смесителя ТГц диапазона волн, применяемого для криостатирования сверхпроводниковых приемников. Оценка методов сглаживания температурных пульсаций. Влияние работы охладителя на режим охлаждаемого смесителя.
статья, добавлен 03.11.2018Характеристики измерительных приборов. Радиометр высокого разрешения AVHRR/3 6 каналов видимого и ближнего ИК диапазона. Инфракрасный измеритель HIRS/3 20 каналов видимого и ИК диапазонов. Микроволновый зонд AMSU-B 5 каналов ИК диапазона, его применение.
реферат, добавлен 11.05.2021Элементная база полупроводниковых приборов, интегральных схемных и пассивных элементов. Технические характеристики аналоговых устройств. Элементы и узлы цифровых устройств. Функциональные узлы комбинационного типа. Интегральные запоминающие устройства.
курс лекций, добавлен 15.03.2022Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Спектральное измерение прозрачности земной атмосферы над Среднеазиатским регионом. Изучение вариаций озона в нижних слоях стратосферы. Сравнение результатов дневных и ночных наблюдений радиометрического спектрометра (РМС-001) миллиметрового диапазона.
статья, добавлен 30.10.2018Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Оценка возможности быстрого разрешения конфликтов доступа при обмене сообщениями в измерительных и управляющих цифровых системах, работающих в режиме жесткого реального времени. Использование оптико-электронных средств для разрешения конфликта доступа.
статья, добавлен 07.11.2018Расположение спектра частот между инфракрасным и сверхвысокочастотным диапазонами как особенность терагерцового излучения. Способы увеличения температурного отклика болометра без изменения скорости. Технология изготовления эффекта горячих электронов.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Особенности систематизации силовых полупроводниковых преобразователей. Назначение, область применения, состав и классификация судовых полупроводниковых преобразователей. Характеристика и влияние полупроводниковых преобразователей на судовую сеть.
курс лекций, добавлен 08.04.2016Использование автодинов на полупроводниковых активных СВЧ-элементах для контроля параметров материалов и сред. Исследования эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна. Компьютерное моделирование работы автодина.
дипломная работа, добавлен 18.10.2011Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Рассмотрение вопросов расчета, проектирования и технической реализации современных радиоприемных устройств КВ-диапазона с применением метода прямого цифрового преобразования частоты. Способы решения выбора разрядности аналого-цифрового преобразователя.
статья, добавлен 24.05.2016