Полупроводниковые лазеры
Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
Подобные документы
Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Система беспроводной зарядки беспилотных летательных аппаратов (БПЛА). Влияние атмосферы на распространение лазерного излучения. Основные параметры турбулентности для вертикальной траектории. Использование адаптивной оптической системы без обратной связи.
презентация, добавлен 29.10.2019Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Использование квантовой электроники в клинической медицине. Основные преимущества, стимулирующие применение лазеров. Структурная, функциональная схема и принцип действия медицинской установки "Импульс-1". Основные параметры и характеристики прибора.
реферат, добавлен 28.10.2010Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.
лабораторная работа, добавлен 02.05.2015Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009- 58. Исследование технологии создания активно-матричных микродисплеев на основе органических светодиодов
Применение метода лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) для решения задач, связанных с проблемами качества резки кремниевых приборных пластин на кристаллы с органическими светоизлучающими диодами, в частности для производства микродисплеев.
статья, добавлен 22.12.2021 Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Понятие тиристора, его основные свойства и принцип работы. Параметры тиристоров и его основные типы: тиристор-диод, динистор, симистор, фоторизистор, инвесторный и запираемый тиристор. Их роль, характеристики и особенности применения в радиоэлектронике.
реферат, добавлен 19.02.2016Назначение и использование цифровых интегральных микросхем, основы для их построения. Полупроводниковые, пленочные и гибридные микросхемы, их функции и особенности. Принцип работы цифровых микросхем, их свойства, основные параметры, конструкция.
презентация, добавлен 10.05.2013Низкое энергопотребление, компактный дизайн, отсутствие юстируемых элементов, воздушное охлаждение и высокая надежность как принципиальные преимущества иттербиевых волоконных лазеров. Анализ структурной схемы устройства сопряжения лазерного модуля.
статья, добавлен 02.08.2020Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Характеристика оптической цифровой памяти и лазерных печатающих устройств. Интеграция лазеров в микроэлектронные переключательные схемы. Принцип действия лазерного принтера. Процесс оптической передачи информации в различных информационных средах.
реферат, добавлен 10.06.2010Диагностика механизма привода лазерного проигрывателя, характеристика схем обработки цифровых сигналов. Последствия нарушений работы ограничительного диода и системы автофокусировки. Выявление неисправностей схем отслеживания, устранение проблем.
реферат, добавлен 25.01.2015Характеристика истории открытия и изучения такого физического явления как свечение кристаллического детектора, а также поисков его практического применения. Описание истории изготовления синих светодиодов, принципа их работы и направлений применения.
статья, добавлен 07.08.2017Общие понятия и структурная схема автоматической электромеханической системы, принципы и закономерности ее построения. Типы систем данных устройств, их отличительные особенности и сферы практического применения, главные параметры и характеристики.
курс лекций, добавлен 09.02.2011Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Температурные характеристики структурных переходов в полимерных материалах, нагреваемых линейным источником тепла постоянной мощности. Разработка методов неразрушающего контроля полимеров. Программное обеспечение измерительной системы, их реализующей.
автореферат, добавлен 27.08.2018Системы видеонаблюдения как совокупность различных технических средств, их классификация и типы. Технические характеристики камер, используемых в видеонаблюдении. Основные задачи, особенности работы и параметры выбора различных систем видеонаблюдения.
реферат, добавлен 30.04.2015Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017