Полупроводниковые лазеры
Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
Подобные документы
Главные способы построения, схемы и характеристики сверхвысокочастотных монолитных ограничителей мощности. Изучение особенности двухкаскадного разделителя на встречно-параллельных диодах Шоттки X-диапазона. Характерные черты и проектирование pin-диода.
реферат, добавлен 08.12.2015История развития и оценка современных достижений электронной промышленности. Первые полупроводниковые материалы и сферы их использования. Кремниевые полупроводниковые приборы, их описание и преимущества, методы сборки и герметизации и металлизация.
учебное пособие, добавлен 08.02.2015Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
методичка, добавлен 24.03.2014Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Свойства полупроводникового диода Шоттки. Параметры стабилитрона и его вольтамперная характеристика. Принципиальная схема параметрического стабилизатора напряжения. Общие сведения о стабисторах, светодиодах, фоторезисторах и оптоэлектронных приборах.
лекция, добавлен 15.04.2014Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Создание объемного сканера местности на основе лазерного дальномера "Noptel CMP3-30". Механизм позиционирования лазера. Описание модуля контроля позиционирования и обработки данных. Способ связи с программой подсистемы автоматизированного движения.
статья, добавлен 16.06.2018Влияние различных факторов на пропускную способность каналов связи - часть процесса разработки и эксплуатации сетей передачи данных. Нивелирование воздействия источников шумов на беспроводные оптические каналы связи на базе светодиодов видимого излучения.
статья, добавлен 16.05.2017Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018- 90. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Анализ перспективных информационных спектральных каналов для дистанционного (неконтактного) лазерного метода флуоресцентного контроля состояния растительности. Создание базы спектров флуоресценции лиственных растений в нормальном и стрессовом состояниях.
статья, добавлен 30.05.2018Простота преобразователя как одно из основных преимуществ амплитудной модуляции. Блок-схема цифрового вольтметра. Определение линейной вольтамперной характеристики резисторов. Возможности и диапазон применения диодных устройств обработки сигналов.
учебное пособие, добавлен 22.10.2015- 94. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 - 95. Электроника
Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые приборы: физические основы работы, параметры, модели, применение. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем. Приборы вакуумной электроники.
презентация, добавлен 23.01.2014 Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010Блок-схема регистратора лазерного пятна дальномера-целеуказателя. Характеристики многоэлементной фотоприемной матрицы и импульсного иттербиевого лазера. Примеры изображений пятна подсвета лазера, полученные при различном времени экспонирования матрицы.
доклад, добавлен 07.12.2018Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 23.12.2016Сущность работы и назначение стабилизаторов. Параметры работы, их классификация и характеристика. Динамические параметры линейных стабилизаторов, их важнейшие эксплуатационные характеристики. Порядок типового включения стабилизаторов напряжения.
реферат, добавлен 14.02.2009