Полупроводниковые лазеры
Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
Подобные документы
- 101. Пробой p-n перехода
Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017 Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018Классификация, принципы построения и особенности структур таймеров общего применения. Особенности применения и основные параметры одноконтактного и программируемого таймера. Мультивибраторы на таймерах. Выбор принципиальной электрической схемы.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Обоснование выбора электронных компонентов (транзисторов, резисторов, светодиодов, конденсаторов) индикатора для поиска электропроводки в стене. Создание и принципиальной схемы и разработка электромонтажного индикатора. Отличия индикаторов по функционалу.
дипломная работа, добавлен 07.12.2019Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013Основные технические характеристики усилителей. Типы обратных связей, применяемых в радиоэлектронных устройствах. Анализ влияния обратной связи на параметры усилителя: коэффициент усиления, частотную характеристику, входное и выходное сопротивления.
курсовая работа, добавлен 15.10.2015Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.
статья, добавлен 02.04.2019Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017- 110. Методы нелинейных время-частотных отображений в анализе флуктуаций интенсивности лазерного пучка
Изучение распределений интенсивности лазерного пучка. Свойства время-частотных карт, соответствующих разным режимам возмущения. Среды распространения и анизотропии. Временные масштабы флуктуаций интенсивности. Астигматические искажения лазерного пучка.
статья, добавлен 30.10.2018 Расчет вольтамперной характеристики и идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения. Определение дифференциального сопротивления линейного участка. Анализ принципиальной схемы усилителя. Обзор принципа работы и параметров фотодиода.
задача, добавлен 28.10.2011Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Рассмотрение возможности использования беспроводной технологии оптической передачи данных на базе светодиодов видимого излучения в качестве средства для передачи данных между дорожным транспортом. Технические характеристики сетей передачи данных.
статья, добавлен 19.05.2018Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Характеристика цифро-аналоговых (ЦАП) и аналогово-цифровых (АЦП) преобразователей. Принцип их работы, сферы применения. Типы АЦП: последовательного приближения и параллельного типа. Типы электронных ЦАП, их параметры: разрядность, частота дискретизации.
контрольная работа, добавлен 21.10.2014- 116. Печатные платы
Печатная плата как пластина из диэлектрика, на поверхности или в объеме которой сформированы электропроводящие цепи электронной схемы, анализ основных видов: двухсторонние, многослойные, односторонние. Особенности запуска программы трассировщика.
презентация, добавлен 12.07.2013 Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Типы принтеров и их классификация. Литерные (ромашковые), матричные, струйные, сублимационные, лазерные, 3d принтеры и интернет-принтеры, принцип их действия. Технические и коммерческие характеристики устройств. Модели, поддерживающие язык PostScript.
реферат, добавлен 15.10.2015Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Транзисторы как полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления мощности. Структура и технические характеристики прибора. Принцип действия и свойства n–p–n транзистора. Коэффициенты усиления с помощью транзистора. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 19.01.2011Виды и свойства сигналов, их параметры, позволяющие оценить степень пригодности для решения тех или иных задач. Частотно-временные характеристики и параметры сигнала. Нахождения спектра периодического сигнала с помощью ряда Фурье, его длительность.
лекция, добавлен 21.08.2015Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
контрольная работа, добавлен 09.02.2014