Моделирование параметров МОП-транзисторов в широком температурном диапазоне
Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
Подобные документы
Электротехническое моделирование и его основание на точных математических моделях элементов электрической схемы. Доказательство алгоритмического подхода для решения задачи, основанный на обучении нейронной сети. Обеспечение аппроксимации функции.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Разработка и просчет схемы источника тока, управляемого напряжением типа "усилитель тока" с входом на Р-канальных транзисторах, обладающего наибольшим быстродействием при заданном токе потребления. Расчет запаса фазы и размаха выходного напряжения.
контрольная работа, добавлен 26.10.2017Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Разработка методов построения аппаратуры цифровой обработки сигналов для радиолокационных станций (РЛС) обзорного типа. Получение стабильных характеристик РЛС в широком диапазоне условий эксплуатации. Переход к программируемым цифровым устройствам.
статья, добавлен 26.04.2014Методики синтеза антенн с заданными характеристиками излучения. Анализ разработок на основе нерегулярных проводных и полосковых линий передач, апробация их при создании оригинальных антенн для радиосистем передачи информации в широком диапазоне частот.
автореферат, добавлен 31.03.2018Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Представление результатов экспериментального восстановления температурных распределений в модельных объектах и в теле человека методом акустотермометрии. Оценка точности определения геометрических и температурных параметров для медицинских приложений.
статья, добавлен 05.11.2018Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
реферат, добавлен 25.01.2012Аппроксимация передаточной характеристики нелинейного элемента. Имитационное моделирование функционирования SDR-радиостанций. Методика определения параметров модели нелинейного элемента. Спектр двухтонового сигнала на выходе реального усилитель мощности.
статья, добавлен 02.04.2019Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.
презентация, добавлен 18.04.2021Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Создание spice-модели компонентов для моделирования схемы в среде Altium Designer. Определение параметров полупроводниковых приборов, индуктивных элементов и цифровых компонентов. Методика расчетов в процессе проектирования цифровых электронных схем.
курсовая работа, добавлен 26.10.2017Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.
контрольная работа, добавлен 08.06.2016Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Исследование результатов математического моделирования эмпирических зависимостей. Аппроксимация частотной характеристики акустической камеры. Количественные оценки параметров модели функции аппроксимации амплитудно-модулированного затухающего сигнала.
статья, добавлен 30.04.2018Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013