Моделирование параметров МОП-транзисторов в широком температурном диапазоне

Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.

Подобные документы

  • Понятие о классах усиления усилительных каскадов переменного тока на биполярных и полевых транзисторах. Метод расчета схем с нелинейным элементом и учетом температурных режимов. Параметры усилителя звуковой частоты с общим эмиттером по переменному току.

    курсовая работа, добавлен 28.06.2015

  • Исследование параметров схемы при изменении номинала конденсатора С1, С2 и С3. Моделирование отказов (короткого замыкания и обрыва) всех электрорадиоэлементов схемы. Назначение элементов управления, выбор параметров диагностики и считывания информации.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Расчёт полосы пропускания приёмника, промежуточной частоты, параметров транзисторов. Коэффициент усиления высокочастотной части приёмника. Изучение основных достоинств и недостатков супергетеродинного приёмника. Обеспечение минимума коэффициента шума.

    курсовая работа, добавлен 13.04.2014

  • Кинетика роста интерметаллических соединений в контактах. Взаимная объемная диффузия металла. Прогнозирование времени деградации проволочных соединений алюминий-золото в диапазоне рабочих температур. Влияние технологических параметров на долговечность.

    статья, добавлен 28.10.2018

  • Исследование частотной зависимости катушки индуктивности с ферромагнитным сердечником в звуковом диапазоне частот. Изучение методики определения параметров схемы замещения, возможностей практического применения данной схемы в электронных устройствах.

    статья, добавлен 11.01.2018

  • Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2013

  • Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.

    реферат, добавлен 22.03.2010

  • Виды усилителей - устройств, применяемых для усиления входных сигналов. Характеристика параметров усилителей. Преимущества магнитных усилителей. Особенности пневматических и гидравлических усилителей. Гидравлический усилитель со встроенной трубкой.

    реферат, добавлен 22.01.2016

  • Описание методики проектирования многокаскадного усилителя переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя, его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3. Корректировка параметров.

    курсовая работа, добавлен 07.02.2011

  • Основы моделирования принципиальных электронных схем с помощью программы MicroСAP-7. Методы ввода номинальных значений компонентов, представления числовых параметров, констант и переменных. Аббревиатуры выводов электронных данных и типов компонентов.

    реферат, добавлен 18.09.2010

  • Синтез алгоритма слепого выделения импульсного сигнала из смеси с белым гауссовым шумом, использующего сигнал нейронной сети. Оценка эффективности алгоритма в широком диапазоне изменения соотношений среднеквадратического отклонения случайных процессов.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • История создания, виды операционных усилителей постоянного тока с дифференциальным входом. Основные типы операционных усилителей (полевых, биполярных транзисторах, электронных лампах), анализ их применения в электротехнике для цифровой обработки сигнала.

    реферат, добавлен 25.04.2016

  • Виды преобразователей, структурные схемы. Назначение выбранного устройства и область применения. Моделирование принципиальной электрической. Выбор конструкции трансформатора, магнитопровода и типа фильтра. Расчет элементов и основных параметров.

    курсовая работа, добавлен 01.12.2013

  • Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.

    реферат, добавлен 03.11.2016

  • Системы сбора и преобразования информации. Моделирование при помощи программных средств САПР схем активного усилителя низких частот и блока вычисления логической функции. Определение влияния на частотные характеристики схемы изменения ее параметров.

    курсовая работа, добавлен 14.11.2011

  • Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.

    реферат, добавлен 05.04.2011

  • Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 04.10.2012

  • Основные физические процессы биполярных транзисторов. Проведение исследования концентрации примеси в эмиттере и коллекторе. Изменение напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах. Эквивалентная схема полупроводникового прибора для постоянного тока.

    лекция, добавлен 23.09.2016

  • Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.

    статья, добавлен 30.05.2017

  • Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.

    контрольная работа, добавлен 03.06.2018

  • Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.

    контрольная работа, добавлен 07.05.2010

  • Анализ основных результатов численного моделирования выходных характеристик миниатюрного четырехлучевого клистрода, предназначенного для работы в диапазоне частот 200-700 МГц с выходной непрерывной мощностью около 300 Вт в полосе усиления 8 МГц.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Расчёт волновых параметров линий передачи с поперечными электромагнитными волнами методом численного решения электростатической задачи. Конструкция и структура электромагнитного поля в полосковой линии. Разностная аппроксимация уравнения Лапласа.

    учебное пособие, добавлен 13.08.2013

  • Параметры цифровых интегральных микросхем К561ЛА7 и К561ТМ2, маломощных кремниевых транзисторов КТ315 и КТ3102, кремниевого эпитаксиально-планарного транзистора КТ815. Время задержки распространения сигнала. Цветовая маркировка транзисторов КТ3102.

    контрольная работа, добавлен 22.01.2015

  • Имитационное моделирование алгоритмов интерферометрической обработки сигналов в пакете прикладных программ MATLAB. Обоснование выбора основных параметров одного из вариантов построения интерферометрического радиолокатора с синтезируемой апертурой антенны.

    статья, добавлен 30.10.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.