Моделирование параметров МОП-транзисторов в широком температурном диапазоне
Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
Подобные документы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Исследование активного и ключевого режимов работы усилительного элемента. Цепи подачи смещения. Использование способа автоматического смещения в каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 07.01.2015Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Конденсатор – элемент электрической цепи, состоящий из проводящих электродов (обкладок), разделённых диэлектриком и предназначенный для использования его ёмкости. Ослабление электромагнитных помех в широком диапазоне частот. Низковольтные конденсаторы.
реферат, добавлен 27.01.2016Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012История изобретения радиотелефона, его процесс распространения в мире. Выбор блок-схемы приемника и расчет его основных параметров. Основные правила определения промежуточной частоты. Выбор транзисторов и их режима, синтезатора частот и типа детектора.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Проектирование многокаскадного усилителя на транзисторах с одноканальной обратной связью. Выбор транзисторов и усилителей, расчет схемы по постоянному току, пассивных узлов и элементов обратной связи. Порядок построения характеристик передачи по петле ОС.
курсовая работа, добавлен 25.05.2010Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Метод выбора геометрических параметров диапазонной антенны в виде плоской структуры с трапецеидальными выступами. Численные расчеты диаграмм направленности в заданном частотном диапазоне. Анализ данных и зависимостей, полученных в ходе исследования.
статья, добавлен 12.07.2013Расчет в заданном диапазоне частот первичных и вторичных параметров коаксиального кабеля; определение вторичных параметров взаимного влияния на его строительной длине; построение графиков частотной зависимости. Расчет параметров оптического кабеля связи.
контрольная работа, добавлен 30.03.2013- 69. Схемотехника усилителей электрических сигналов с использованием биполярных и полевых транзисторов
Принцип работы усилителя электрических сигналов, основные его характеристики. Особенности изменения их значений с увеличением напряжения питания. Исследование специфики схемотехники этого устройства с использованием биполярных и полевых транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 13.08.2013 Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Изучение методики расчета транзисторного компенсационного стабилизатора последовательного типа. Определение параметров регулирующих транзисторов, резисторов, стабилитрона, делителя; выбор элементов схемы. Расчет коэффициента стабилизации устройства.
лабораторная работа, добавлен 07.05.2010Характеристика реальной и мнимой части диэлектрической проницаемости серебра в оптическом диапазоне. Описание основных соотношений, определяющих частоты плазмонных колебаний электронных систем острий, промоделированных полусфероидальными выступами.
статья, добавлен 04.11.2018Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Расчёт числа каскадов, выбор типов интегральных схем и транзисторов. Определение параметров выходного и входного каскадов. Установление промежуточных каскадов на ИС К265УВ7. Характеристика АЧХ усилителя. Оценка качества спроектированного устройства.
реферат, добавлен 10.07.2016