Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках
Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
Подобные документы
Вплив структури, точкових дефектів кристалічної будови, температури та концентрації на параметри самодифузії у впорядкованих алюмінідах нікелю та титану. Визначення взаємозв'язку складу, точкових дефектів та механізмів дифузії в інтерметалідах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Визначення основних закономiрностей впливу сурми на дефектнi стани некристалiчного селена. Дослiдження з допомогою методiв неiзотермiчної релаксацiї мiлких рiвнiв прилипання в псевдозабороненiй зонi некристалiчного селену і спектроскопiї глибоких станiв.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 30. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Дослідження формування і поширення електронних та фононних теплових хвиль у сильно поглинаючих напівпровідниках. Дослідження фази та амплітуди термоелектричних відгуків на нерівноважну електронну температуру в фототермічних процесах у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Моделі колективної динаміки в простих та бінарних рідинах, метод колективних мод. Кінетичні пропагаторні збудження теплових та зсувних хвиль. Збудження фононного типу в сумішах, металічних сплавах. Динаміка в іонних рідинах з кулонівською далекодією.
автореферат, добавлен 29.07.2014Методика аналізу порошкових дифрактограм для визначення кількісних характеристик структури одномірно розвпорядкованих полікристалів. Визначення типу і густини ансамблю планарних дефектів, густини дислокацій та розміру областей когерентного розсіяння.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Визначення за допомогою електронного парамагнітного резонансу локальної структури та зарядового стану домішок і власних дефектів в сегнетоелектричних матеріалах. Встановлення моделей парамагнітних центрів. Розрахунок параметрів кристалічного поля.
автореферат, добавлен 22.04.2014Природа радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах шаруватого та острівного борату. Вплив активації монокристалів рідкісноземельним елементом на створення дефектів під впливом іонізуючого випромінювання, на оптичні та сцинтиляційні характеристики.
автореферат, добавлен 28.07.2014Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Виявлення механізмів формування структур і фізичних властивостей кристалічних середовищ різних типів з іонним, ковалентним і металевим зв'язками. Розробка методики моделювання впливу дефектів низької розмірності (домішок, вакансій, локальних вигинів).
автореферат, добавлен 28.07.2014Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості монокристалічного і ниткоподібного кремнію, зумовлених термічними дефектами та інтерпретація виявлених ефектів. Дослідження магнітних властивостей рентгеноструктурні кристалів після їх термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2015- 42. Дефектоперетворення в твердих розчинах CdHgTe, стимульоване ультразвуком допорогової інтенсивності
Вивчення впливу акустичних хвиль ультразвукового діапазону частот та допорогової інтенсивності на систему дефектів і властивості вузькозонних твердих розчинів CdхHg1-хTe. Вивільнення зв'язаних в дислокаційні атмосфери дефектів під впливом ультразвуку.
автореферат, добавлен 22.04.2014 Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Особливості дефектоутворення у вихідному монокристалічному та епітаксіальному кремнію. Аналіз причин деградації параметрів кремнієвих польових МОН- та pin-фотоприймальних систем. Огляд механізмів впливу дефектів на електрофізичні характеристики струму.
автореферат, добавлен 14.07.2015Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 46. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Характеристика особливостей поширення світла в деформованих та дефектних рідкокристалічних структурах. Дослідження оптичної характеризації нових рідкокристалічних матеріалів, фаз і дефектів. Вивчення структурних перетворень дефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вплив дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу. Виявлення фазових переходів, зумовлених взаємодією дефектів собою, встановлення специфіки прояву переходів в тонких шарах SnTe і НГ SnTe/PbTe.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014