Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках
Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
Подобные документы
Дослідження азимутальних залежностей нормованої повної інтегральної інтенсивності монокристалу з дефектами у випадку динамічної дифракції за Бреггом. Шляхи створення комбінованих методів кількісної діагностики характеристик дефектів декількох типів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Дослідження кінетичних ефектів у твердих розчинах кремній-германій. Природа кінетичних ефектів у кристалах n-кремнію з ізовалентною домішкою германію. Вплив ізовалентної домішки германію на інтенсивність утворення дефекту радіаційного походження A-центра.
автореферат, добавлен 22.06.2014Розробка методики дослідження впливу пошкодження однієї або декількох стяжних призм статора турбогенератора на зміну напружено-деформованого стану інших стяжних призм на основі методу трьох моментів. Основні формули для розрахунку фіктивних сил.
статья, добавлен 29.11.2016Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження впливу складу і домішок на ефективність акумуляції дефектів у магній-алюмінієвій шпінелі, встановлення типу кристалічної ґратки її метастабільної фази. Розробка методик аналізу поверхневих шарів прозорих кристалів, модифікованих іонами.
автореферат, добавлен 25.02.2014Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017- 108. Ефекти просторового перерозподілу "гарячих" носіїв заряду в напівпровідниках і гетероструктурах
Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015 Структуроутворення ковалентної сітки зв'язків у складних халькогенідних некристалічних напівпровідниках при зміні складу та кореляція структури, динамічної та променевої стійкостей вздовж різних розрізів області склоутворення потрійної системи Ge-As-S.
автореферат, добавлен 13.07.2014Напівпровідники - це речовини, що займають по величині питомої електричної провідності проміжне положення між металами і діелектриками, їх застосування в електроніці. Носії заряду в напівпровіднику, вид електропровідності. Електронно-дирочний перехід.
реферат, добавлен 29.03.2010Аналіз деформаційної атомної взаємодії в системах зі складною кристалічною ґраткою (яка не є ґраткою Браве). Метод кластерного розкладання у змішаному базисі для складних систем. Атомістичний підхід до розрахунку деформаційної взаємодії дефектів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Експериментальний та теоретичний аналіз спектрів оптичного пропускання в епітаксійних плівках Hg1-xCdxTe з різним характером та величиною градієнта складу. Дослідження механізмів темнового струму і спектрів шуму в довгохвильових фотодіодах n+-p-типу.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Дослідження доменної структури сегнетоелектричних кристалів Sn2P2S6 та SbSI і сегнетоеластичних кристалів та твердих розчинів сімейства аргиродитів типу Cu6PS5Br(I,Cl). Аналіз макродефектної та доменної структури кристалів, властивості напівпроводників.
автореферат, добавлен 30.10.2015Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у нових об’єктах – монокристалах тетрабората літію, активованих електроними іонами. Вивчення впливу активації рідкісноземельними елементами монокристалів ТБЛ на їх термостимульовану люмінесценцію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Визначення закономірностей впливу концентрації дефектів, електричного поля та механічних напружень на температурну та часову динаміку модульованої структури оптичними та діелектричними методами. Кристалічні ґратки і послідовність фаз у кристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Механізм депінінгу вихорів Абрикосова з протяжних лінійних та пласких дефектів. Модель для розрахунків критичного струму та властивостей неоднорідного резистивного стану. Концепція колективних коливань вихрової решітки в анізотропних надпровідниках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Узагальнення динамічної теорії ПІВЗ на випадок присутності в кристалі декількох типів дефектів довільних розмірів, в тому числі і співмірних з довжиною екстинкції, і порушеного поверхневого шару, що розсіює кінематично, без обмежень на його товщину.
автореферат, добавлен 25.08.2014Дослідження властивості пари електронів у випадку, коли параметри одночастинкових станів прямують один до одного. Енергія кулонівської взаємодії між когерентними електронами. Ймовірності поглинання фотона парою та вільними когерентними електронами.
автореферат, добавлен 26.08.2014Поведінка енергетичних рівнів хвильових функцій, оптичні параметри екситонів у подвійних квантових ямах на базі напівмагнітних напівпровідникових сплавів. Використання в якості спінового фільтра системи CdTe з домішками Mn. Розрахунок спінового фільтру.
автореферат, добавлен 24.07.2014Морфологія, структура та хімічний склад одержаних зразків залежно від фізико-технологічних умов конденсації для з’ясування впливу цих особливостей плівок на їх електрофізичні характеристики. Порівняння експериментальних даних з результатами моделювання.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження фазового складу структури, фазових перетворень, фізичних властивостей перовскітів із застосуванням електричних та магнітних полів, рентгеноструктурного аналізу, електронної мікроскопії. Теоретичні моделі для точкових і протяжних дефектів.
автореферат, добавлен 24.02.2014