Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках
Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
Подобные документы
Розробка методу дистанційної нейтринної діагностики внутрішньнореакторних процесів. Дослідження методом математичного моделювання кінетики швидкого уран-плутонієвого реактору типу Феоктистова. Розрахунок теплопереносу та радіаційних реакторних дефектів.
автореферат, добавлен 25.09.2015Побудова фізичної моделі зародження, росту і розчинення складної системи нано- і мікророзмірних дефектів у перенасиченому твердому розчині кисню в кремнії. Еволюція функції розподілу дефектів за розмірами. Рівняння дифузії для міжвузлових атомів системи.
автореферат, добавлен 14.09.2014Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Аналіз розробки пристрою для діагностування дефектів кліток короткозамкнених роторів асинхронних двигунів потужністю до 100 кВт. Аналіз та порівняння ефективності відомих методів та засобів неруйнівного контролю. Створено математичні моделі індуктора.
автореферат, добавлен 12.02.2014- 56. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Результати досліджень впливу швидкості охолодження, стану високотемпературної фази, легування на формування структур, у розташуванні дефектів в низькотемпературній фазі сплавів кобальту. Огляд легуючих елементів, які відрізняються за механізмом впливу.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015- 60. Динамічна теорія розсіяння рентгенівських променів в циліндрично вигнутих кристалах з мікродефектами
Аналітичні вирази для коефіцієнтів відбиття і проходження когерентних, квазідифузних та дифузних хвиль у випадку циліндрично вигнутих монокристалів, які містять однорідно розподілені дефекти кулонівського типу. Вплив вигину для менших радіусів дефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Роль конкуруючих потоків точкових дефектів на дислокації в повзучості навантажених матеріалів під опроміненням. Причини появи згинів і перегинів на дозовій залежності швидкості повзучості. Умови виникнення просторово-періодичного розподілу мікротвердості.
автореферат, добавлен 28.09.2014Встановлення домінуючих механізмів утворення власних точкових дефектів у нелегованих кристалах ZnSe та з ізовалентною домішкою Те. Комп’ютерні розрахунки рівноважних концентрацій власних точкових дефектів у бездомішкових та легованих кристалах ZnSe.
автореферат, добавлен 10.08.2014Розробка квазістаціонарного наближення для розв'язання кінетичного рівняння росту атомарних кластерів у газовому струмені, що розширюється у вакуумі. Особливості методів дослідження оптичних проявів кластерів, пов’язаних з особливостями їх росту.
автореферат, добавлен 24.02.2014Специфіка міжмолекулярних взаємодій, їх вплив на надмолекулярне впорядкування, властивості бінарних систем на базі рідких і органічних молекулярних кристалів у різних фазових станах. Фізико-хімічні властивості, модель утворюваних надмолекулярних структур.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вирішення актуальної наукової проблеми встановлення зв’язку структури і фізико-механічних властивостей кристалічних тіл, ґратки яких містять атоми перехідних елементів. Оцінка впливу структурних дефектів і напружень на стан металів, сплавів і сполук.
автореферат, добавлен 26.07.2014Критичні параметри надпровідності, пінінг вихрової решітки, характер руйнування надпровідного стану струмом. Вивчення струмопровідної здатності композитів різного типу і геометрії на основі інтерметаліду Nb3Sn в умовах навантаження, що розтягує.
автореферат, добавлен 25.09.2015- 67. Удосконалення методів виявлення дефектів ізоляції приєднань 6-10кВ кабель-двигун в робочих режимах
Вдосконалення способу визначення вектора струму нульової послідовності. Аналіз провідності ізоляції відносно землі фаз приєднань кабель-двигун. Вивчення параметрів дефектів ізоляції в робочих режимах. Алгоритм знаходження відстані до місця їх виникнення.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Проведення теоретико-групової класифікації деформаційних ефектів в алмазоподібних напівпровідниках і встановлення на цій основі дозволених фізичних моделей п’єзорезистивного ефекту в p-Si та p-Ge. Теоретичне вивчення п’єзоопору в кремнії та германії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Характеристика структурної досконалості кисневомістких кристалів кремнію. Головна особливість дослідження кінетики змін розмірів та концентрацій дефектів, що виникають під час відпалу. Вивчення впливу попереднього нейтронного опромінення на цей процес.
автореферат, добавлен 30.07.2015Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014