Р-п переход (полупроводниковый диод)

Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.

Подобные документы

  • Описание экспериментальной установки и методики эксперимента. Рассмотрение основных расчетных формул абсолютной погрешности косвенного измерения величины. Измерение ширины запрещённой зоны собственного полупроводника, из которого изготовлен диод.

    лабораторная работа, добавлен 23.03.2014

  • Достоинства и недостатки полупроводниковых приборов. Виды проводимости, отрицательный температурный коэффициент электрического сопротивления. Электронно-дырочный переход и нелинейное сопротивление. Выпрямительные диоды малой мощности, силовые диоды.

    реферат, добавлен 16.03.2011

  • Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.

    контрольная работа, добавлен 27.10.2015

  • Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

    реферат, добавлен 07.07.2016

  • Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.

    реферат, добавлен 11.12.2011

  • Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

    дипломная работа, добавлен 14.09.2017

  • Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.

    лекция, добавлен 11.11.2021

  • Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.

    учебное пособие, добавлен 13.04.2015

  • Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.

    учебное пособие, добавлен 10.04.2015

  • Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.

    учебное пособие, добавлен 25.02.2014

  • Обзор физических основ работы полупроводниковых приборов. Исследование плотности дрейфового тока. Характеристика удельной электрической проводимости. Особенности механизма собственной электропроводности полупроводника. Определение диффузионного тока.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

  • Выбор силовых полупроводниковых приборов проектируемого выпрямителя. Расчет элементов пассивной защиты силовых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Синхронизирующая оптронная развязка. Генератор пилообразного напряжения. Расчёт компаратора.

    курсовая работа, добавлен 18.11.2017

  • Знакомство с основными особенностями полупроводниковых, выпрямительных и металло-полупроводниковых диодов: анализ групп, сферы применения, рассмотрение структуры. Общая характеристика видов высокочастотных диодов: детекторные, смесительные, модуляторные.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.

    реферат, добавлен 29.08.2015

  • Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.

    реферат, добавлен 13.06.2015

  • Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2016

  • Повышение температуры перехода полупроводниковых приборов, входящих в их состав как основной способ повышения удельной мощности преобразователей параметров электроэнергии. Разработка радиаторов под конкретный тип преобразователя. Оптимизация профилей.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Обзор важных свойств полупроводниковых приборов. Методы измерения их характеристик. Расчетные соотношения рабочих характеристик и энергетических показателей промышленного электрооборудования. Примеры выполнения расчета полупроводникового выпрямителя.

    методичка, добавлен 30.03.2016

  • Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.

    лабораторная работа, добавлен 05.12.2013

  • Определение контактной разности потенциалов для диода. Методика расчета дифференциального сопротивления диодов при прямом смещении. Вычисление коэффициента неидеальности и вольт-амперной характеристики кремниевого и германиевого диодов при прямом токе.

    лабораторная работа, добавлен 06.07.2015

  • Исследование характеристик полупроводниковых диодов, устройств на их основе. Определение параметров биполярного транзистора. Изучение схем на основе операционного усилителя. Характеристики аналоговых компараторов напряжения. Исследование цифровых систем.

    методичка, добавлен 25.12.2012

  • Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.

    статья, добавлен 21.10.2016

  • Общее понятие и классификация диодов. Структура и схемы включения диода во внешнюю электрическую цепь. Схема электрическая принципиальная однофазных двух полупериодных выпрямителей. Характеристика и график зависимости параметрического стабилизатора.

    лекция, добавлен 02.08.2013

  • Зависимость тока через p-n-переход от приложенного к нему напряжения, ее выражение в графическом виде и ее описание экспоненциальной зависимостью. Вольтамперная характеристика, в которой отражено свойство односторонней электропроводности p-n-перехода.

    презентация, добавлен 20.07.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.