Р-п переход (полупроводниковый диод)
Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
Подобные документы
Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.
автореферат, добавлен 13.04.2018Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017Описание структурной схемы индуктивно-полупроводникового балласта. Экспериментальные значения отклонений параметров ламп ДРИ-2000 и ДНаТ-400 при питании через индуктивно-полупроводниковый балласт. Синхронизация работы электронного блока с сетью.
реферат, добавлен 18.03.2019- 79. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Расчет дифференциального сопротивления, пороговых напряжений и потери в диоде от прямого тока. Отличия силового диода от обычного. Построение схемы параметрического стабилизатора постоянного напряжения. Понятие и принцип работы транзистора, тиристора.
дипломная работа, добавлен 11.12.2015Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011Исследование конструкции и принципов работы полупроводниковых диодов, их классификация и разновидности, а также структура и компоненты. Изучение их основных параметров. Наблюдение изменения параметров стабилитронов от внешних факторов (температуры).
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Общий принцип действия и конструкция полупроводниковых диодов. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды.
реферат, добавлен 20.10.2009Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Особенность разработки полупроводникового фотоэлектрического генератора, непосредственно преобразующего энергию солнечной радиации в электрическую. Характеристика рассмотрения эффективности использования солнечных батарей в Нижегородской области.
статья, добавлен 22.04.2019Наблюдение преобразований и искажений сигналов нелинейными элементами. Ознакомление с методами расчёта в режимах большого и малого сигналов. Активные элементы электрических цепей. Комплексное изучение вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
методичка, добавлен 25.02.2014Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017Изучение теории фазовых переходов второго рода. Анализ фазового перехода, управляемого не классическими тепловыми флуктуациями, а квантовыми, которые существуют при абсолютном нуле температур. Реализация классического перехода вследствие теоремы Нернста.
статья, добавлен 10.08.2018Причинно-следственная связь произошедшего коллапса магнитного поля Земли в течение 2-х часов 23 апреля 2016 года, сопровождаемого "выворотом". Великий квантовый переход как реальная закономерность в процессе творения материи. "Выворот" многомерного ТОРА.
статья, добавлен 02.03.2019Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Краткое ознакомление с активными и пассивными элементами, изменяющими электрические сигналы в цепях. Определение независимых источников тока. Характеристики полупроводниковых приборов, использующихся в промышленности. Диодная структура тиристоров.
реферат, добавлен 01.06.2015Определение сопротивления диода постоянному току. Вычисление напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах. Расчет крутизны полевого транзистора. Характеристика второго закона Кирхгофа. Главный анализ схем с использованием операционных усилителей.
курсовая работа, добавлен 14.01.2017Выбор силовых полупроводниковых приборов по току и напряжению и проверка их по перегрузочной способности. Расчет и построение внешней и регулировочной характеристик преобразователя. Характеристика типов линейных и цифровых интегральных микросхем.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Расчет угла открывания тиристора, выбор элементов пассивной защиты силовых полупроводниковых приборов от аварийных токов и перенапряжений. Построение внешних показателей выпрямителя, регулировочная характеристика системы импульсно-фазового управления.
курсовая работа, добавлен 10.01.2017Свойства лазерного излучения и его преимущество по сравнению с другими источниками света. Устройство рубинового лазера. Классификация лазеров и их характеристики. Принцип работы твёрдотелых, полупроводниковых, жидкостных и ультрафиолетовых лазеров.
реферат, добавлен 02.05.2012Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019