Р-п переход (полупроводниковый диод)
Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
Подобные документы
Роль электроники в развитии электронного приборостроения и микроэлектроники. Физические основы полупроводниковых приборов. Конструкция сплавных, диффузионных, планарных и точечных диодов. Конструкция сплавного и планарного биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 09.07.2013Изучение зависимости термодинамического потенциала от величины фазового перехода. Исследование параэлектрической фазы диэлектриков. Причины возникновения спонтанной поляризованности сегнетоэлектрических кристаллов. Тепловые свойства сегнетоэлектриков.
реферат, добавлен 03.09.2015Изучение сущности, достоинств и недостатков светоизлучающих диодов - полупроводниковых приборов, излучающих некогерентный свет при пропускании через них электрического тока. Определение цвета свечения. Схема включения и расчет необходимых параметров.
реферат, добавлен 20.11.2011Принципы работы параметрических стабилизаторов напряжения, описание и специфика их действия. Измерение характеристик компенсационного стабилизатора постоянного напряжения, описание условий его эксплуатации. Понятие, особенности и применение стабилитрона.
лабораторная работа, добавлен 10.09.2015Выбор и обоснование выпрямительной схемы. Расчет напряжения, токов и мощности трансформатора. Подбор типа диодов и разработка соединения плеч преобразователя. Исследование внешних характеристик агрегата, коммутации, защиты и аварийных режимов работы.
курсовая работа, добавлен 13.05.2015- 106. Вакуумные приборы
Вольтамперная характеристика диода. Диод с катодом косвенного накала. Устройство вакуумного триода. Схема устройства электроннолучевой трубки. Электронный осциллограф. Получения и применение рентгеновских лучей. Электронно-оптический преобразователь.
лекция, добавлен 06.02.2010 Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Применение и устройство полупроводникового детектора, принцип его работы (явление ионизации, появление и движение электронов и дырок в валентной зоне, формирование импульса тока). Формула определения числа пар ионов в полупроводниковом счётчике.
доклад, добавлен 02.05.2011Элементы линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Способы соединения фаз в трехфазных системах. Принцип действия и виды трансформаторов, полупроводниковых приборов, аппаратуры управления и защиты. Устройство синхронной машины.
учебное пособие, добавлен 21.05.2013Причины тепловыделения в электроустановках. Расчет теплового состояния выпрямительной установки. Способы охлаждения полупроводниковых преобразовательных приборов. Тепловыделение в электрических проводниках. Тепловые процессы при электродуговом контакте.
реферат, добавлен 27.05.2014Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Изучение основных законов и методов расчёта линейных электрических и магнитных цепей. Принципы функционирования трансформаторов, электрических машин постоянного и переменного тока. Организация сетевого питания. Работа основных полупроводниковых приборов.
курс лекций, добавлен 16.11.2015Типы лазеров: газоразрядные, эксимерные, химические, полупроводниковые. Применение лазеров в промышленности и их использование в информационных технологиях. Устройство и принцип работы CD-ROM и DVD-ROM. Применение лазеров в медицине и военной технике.
курсовая работа, добавлен 22.01.2009Методика расчета импульсных регуляторов. Основные компоненты импульсных источников питания: дроссели, конденсаторы, управляемые ключи и трансформаторы. Схема повышающего импульсного и инвертирующего регулятора. Вольт-амперная характеристика диода.
лекция, добавлен 03.03.2017Классификация приборов для измерения силы тока и напряжения. Принцип работы электромеханических приборов. Измерение тока и напряжения электромеханическими приборами с преобразователями. Зависимость показаний вольтметров от формы измеряемого напряжения.
презентация, добавлен 22.01.2016Рассмотрение основных классификаций статических преобразователей и преимуществ выбора их параметров. Изучение способов защиты полупроводниковых приборов и повышения надёжности электропитания потребителей. Описание схем многозвенного преобразователя.
статья, добавлен 20.05.2017Уравнение состояния модели газа резонансно возбужденных ридберговских атомов. Варианты систем с произвольно и одинаково ориентированными дипольными моментами. Критические параметры фазового перехода. Особенности фазового перехода в дипольных системах.
статья, добавлен 29.04.2019Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Понятие полупроводниковых лазеров, созданных с распределенной обратной связью как важнейшее конструкторское достижение последних лет в области лазерной техники. Специфика гетеролазера с распределенной обратной связью и клиновидным устройством сопряжения.
лекция, добавлен 17.08.2014Наличие связи между фрагильностью и ангармонизмом колебаний решетки. Анализ температурной зависимости свободной энергии активации вязкого течения стеклообразующих жидкостей в области перехода жидкость-стекло. Образование флуктуационных "дырок" в стеклах.
автореферат, добавлен 22.05.2018Приборы с четырехслойной структурой как подвид семейства полупроводниковых приборов. Устройство, принцип работы, обозначения диодных и триодных тиристоров, их вольтамперные характеристики. Включение триодных тиристоров постоянным и импульсным токами.
контрольная работа, добавлен 11.09.2013Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Выбор силового трансформатора и полупроводниковых приборов. Расчет гармонического состава тока. Выбор элементов пассивной защиты от аварийных токов и перенапряжений. Проектирование принципиальной схемы и электрический расчет функциональных элементов.
курсовая работа, добавлен 05.06.2016Расчет основных параметров и характеристик выпрямительного диода. Вольтамперный анализ прямой и обратной зависимости емкости от напряжения. Примеры практического применения активного элемента. Достоинства и недостатки двухполупериодного выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 19.03.2012