Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії
Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
Подобные документы
Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Розробка методів визначення параметрів газової (концентрація компонентів, температура) та дисперсної (швидкість, розмір) фаз у пилогазових потоках. Аналітична залежність характеристик розсіяного частинками лазерного випромінювання від їх параметрів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Розробка методів підвищення точності контролю параметрів сипких матеріалів при використанні резонансних високочастотних перетворювачів. Моделі параметричної класифікації рівнів вологості за корельованими вихідними сигналами резонансного перетворювача.
автореферат, добавлен 14.09.2014З'ясування, які кристалографiчнi позицiї займає залiзо у зразках iз рiзним кисневим iндексом i при рiзнiй концентрації домішків залiза. Визначення параметрів надтонких полiв у кожнiй з позицiй i розташування кисню в координацiйних сферах цих позицiй.
автореферат, добавлен 12.02.2014Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018Опис конструкції котла для спалювання соломи, а також дослідження витрат повітря в них. Характеристика основних параметрів розподільника повітря в області утворення та спалювання генераторного газу. Аналіз параметрів котлів для спалювання біомаси.
статья, добавлен 30.01.2017Визначення наявності мінеральних та органічних речовин у ґрунті за допомогою традиційних підходів аналітичної хімії, хроматографічних та оптичних методів. Аналіз переваг застосування інфрачервоної спектроскопії у дослідженні речовин та матеріалів.
статья, добавлен 23.04.2024Аналіз оцінки рівнів регіонального розвитку сфери зовнішнього освітлення. Визначення інтегральних показників розвитку на базі відібраних показників із загальної статистичної звітності. Характеристика середнього рівню розвитку сфери освітлення в Україні.
статья, добавлен 25.09.2017Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Вимірювання рельєфу та радіооптичних параметрів поверхні планети за даними її некогерентних зображень в оптичному масштабі та радіодіапазоні. Вимоги до основних підходів при постановці задачі. Можливі похибки визначення параметрів для карт рельєфу.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 64. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження морфологічної та електронної структури опромінених напівпровідникових матеріалів із самоорганізованими точковими дефектами. Аналіз самоузгодженого електрон-деформаційного потенціалу, моделювання нелінійних деформаційно-дифузійних ефектів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014- 67. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Дослідження властивостей наноструктурованих металізованих напівпровідникових підкладок для спектроскопії поверхнево підсиленого комбінаційного розсіювання світла. Морфологічні параметри срібних острівцевих плівок, сформованих на кремнієвій основі.
автореферат, добавлен 29.07.2015Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Системи векторного керування асинхронним електроприводом. Моделі та функціональні схеми контролю параметрів асинхронних двигунів. Алгоритми контролю параметрів АД, що основані на зрівноваженні. Схема системи векторного керування з контролем параметрів АД.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення принципу роботи перетворювачів постійного струму в змінний по синусоїдальному закону. Розробка методики вибору параметрів інвертора напруги з відсікаємим комутуючим дроселем. Розрахунок напівпровідникових ключів із внутрішнім зворотним зв'язком.
автореферат, добавлен 04.03.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014