Сучасні підходи у визначенні параметрів глибоких рівнів в напівпровідниках методом релаксаційної спектроскопії
Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
Подобные документы
Розробка чисельної динамічної моделі електронно-променевих приладів з використанням методу макрочастинок. Вивчення емісійних характеристик катода. Розподіл електронів за швидкостями. Вплив неоднорідності катода та крайових ефектів на струмопроходження.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження холостого ходу та короткого замикання трансформатора. Визначення параметрів і розрахунок характеристик силового трансформатора за даними дослідів. Побудова векторних діаграм напруг трансформатора активного і індуктивного навантаження.
лабораторная работа, добавлен 28.08.2015Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Побудова моделі теплового захисту асинхронного електродвигуна на основі контролю параметрів поточного режиму. Метод непрямого виміру температури нагріву короткозамкненого ротора за рахунок визначення вхідного опору за струмами прямої послідовності.
автореферат, добавлен 27.07.2015Розгляд класифікації інтегральних мікросхем та системи позначень. Визначення типу електропровідності кристалів і пластин. Вимірювання поверхневого і питомого опору шарів напівпровідника, статичних параметрів ІМС. Дослідження параметрів логічних мікросхем.
методичка, добавлен 17.11.2022Залежність середньої швидкості течії рідкого металу від основних параметрів взаємодії течії і обертового магнітного поля в широкому діапазоні зміни фізичних параметрів. Визначення ефективних режимів роботи пристроїв з обертовим електромагнітним полем.
автореферат, добавлен 22.04.2014Експериментальні дані диференціальних перерізів реакції при енергії Елаб.(10B)=51МеВ для основних і збуджених станів 8Bе. Аналіз за методом зв’язаних каналів реакцій. Визначення параметрів потенціалу взаємодії ядер. Дослідження їх енергетичної залежності.
статья, добавлен 07.10.2013Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Імпульсні генератори як частина приладів в цифрових системах оброблення сигналів. Інженерні розрахунки параметрів генераторів методом реактивних елементів. Підключення джерела постійної напруги. Генератор на лавиннім транзисторі з діодним навантаженням.
реферат, добавлен 25.02.2011Визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Підвищення ефективності та покращення вихідних параметрів рентгенотелевізійних систем неруйнівного контролю.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка і дослідження способів побудови інтегральних силових модулів, адаптованих до різних умов застосування, зміни параметрів зовнішніх ланцюгів і частоти комутації. Створення імпульсних напівпровідникових перетворювачів малої та середньої потужності.
автореферат, добавлен 22.06.2014Вивчення спектральних проявів агрегації деяких ціанінових барвників у водному середовищі та в присутності ДНК. З’ясування просторової будови агрегатів, структури їх електронних рівнів та переходів, впливу процесу агрегації на чутливість визначення ДНК.
автореферат, добавлен 30.07.2014Математична модель для розрахунку вихідних параметрів режиму установки. Аналіз вихідних параметрів, обґрунтування вибору режимів регулювання активної потужності, що забезпечують високі енергетичні показники. Вивчення режимів роботи індукційної установки.
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження стійкості просторово-однорідних розподілів заряду і електричного поля у біполярному напівпровіднику з гарячими носіями. Еволюція станів від впорядкованих до хаотичних коливань струму. Створення програми для дослідження динамічних систем.
автореферат, добавлен 23.11.2013Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013- 117. Сучасний дослідницький комплекс для розв’язання завдань методом мікроконтактної спектроскопії Янсона
Створення автоматизованого мікроконтактного дослідницького комплексу, із застосуванням ряду оригінальних технічних та програмних рішень. Функціональні можливості комплексу для дослідження мікроконтактів, нанооб’єктів, мезоскопічних структур і матеріалів.
статья, добавлен 30.01.2016 Розроблення рентгенодифракційних методів дослідження параметрів субструктури біоапатиту кісткової тканини. З’ясування характеру змін параметрів субструктури у ході модельної демінералізації. Визначення концентрації кальцію та фосфору в кристалах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка методики визначення періоду зародження втомної макротріщини біля концентраторів напружень на підставі деформаційних параметрів. Визначення довговічності зразків з концентраторами напружень на підставі уніфікованої моделі втомного руйнування.
автореферат, добавлен 28.10.2015Створення наукового інституту фізики під керівництвом доктора фізико-математичних наук Є. Кирилова. Вивчення оптичних властивостей галогенідо-срібних кристалів і фотографічних шарів. Електронні процеси в напівпровідниках, металах і діелектриках.
статья, добавлен 14.08.2016Взаємодія низькоенергетичного електромагнітного випромінювання з біооб'єктами на основі квантової теорії і визначення діапазону змін діелектричної проникності. Проведення оптимізаційних дослідженнь з визначення основних параметрів систем контролю.
автореферат, добавлен 29.01.2016Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Розгляд високочастотних ефектів, що виникають при поширенні поверхневих поляритонів у поодиноких двовимірних електронних системах, які сформовані на основі гетеропереходів GaAs/Alx, Gax, As і знаходяться в умовах цілочисельного квантового ефекту Холла.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження процесів, які призводять до утворення збуджених частинок, що відлітають від поверхні при взаємодії іонного пучка з твердим тілом. Використання методу іонно-фотонної спектроскопії для визначення параметрів електронної структури твердого тіла.
автореферат, добавлен 11.08.2015Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012