Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин
Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
Подобные документы
Рассматриваются моющие рабочие позиции автоматических линий фотолитографии. Модернизация оборудования на базе линий фотолитографии на платах тонкопленочных микросборок и пластин с интеграцией генераторов пены, представляющих собой мехатроннное устройство.
статья, добавлен 29.12.2020Характеристика процесса возникновения пьезоэффекта в кристаллах кварца. Анализ эквивалентной электрической схемы кварцевого резонатора. Порядок возбуждения резонатора, включенного последовательно при индуктивном характере реактивного сопротивления.
контрольная работа, добавлен 27.01.2015Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Влияние неоднородности высокочастотного электрического поля в пространстве взаимодействия на электродинамические и электронные характеристики выходного двухзазорного фрактального резонатора многолучевого клистрода. Особенности фрактальных резонаторов.
статья, добавлен 03.11.2018Резонаторы, области их использования. Открытые волноводные металлодиэлектрические резонаторы предельного типа, их параметры, методы расчета. Расчет углов пролета и оценка эффективности взаимодействия электромагнитного поля резонатора с электронным пучком.
курсовая работа, добавлен 25.12.2019Методика определения синхронной угловой частоты вращения магнитного поля двигателя. Энергетическая диаграмма и внешняя характеристика генератора постоянного тока. Вычисление суммарной активной проводимости параллельного участка электрической цепи.
контрольная работа, добавлен 15.04.2021Методи ізоляції елементів напівпровідникових пластин кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією, контроль їх товщини. Фізико-механічні характеристики пластин в процесі формоутворення. Розробка комп'ютерної моделі автоматичного операційного контролю.
автореферат, добавлен 28.07.2014Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Применение в технической гидроакустике устройств для превращения электрической энергии в звуковую. Понятие пьезоэффекта: построение его уравнений и эквивалентных схем преобразователей. Расчет частотных характеристик входной проводимости и сопротивления.
курсовая работа, добавлен 18.02.2011Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Рассмотрение проблемы вычисления параметров SPICE-моделей силовых металл-оксид-полупроводниковых приборов. Вольт-амперные характеристики моделей полупроводниковых приборов. Определение недостатков метода машинного обучения при построении SPICE-моделей.
статья, добавлен 30.04.2018Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Сущность электронной проводимости металлов. Ионная электропроводность электролитов и высокомолекулярных соединений. Применение материалов со смешанными физико-химическими свойствами. Явление нестехиометрии. Строение молекул "органических металлов".
курсовая работа, добавлен 18.01.2015Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Понятие отказа и неполадок. Обзор неразрушающих методов испытания элементов РЭА. Прогнозирование надежности ППП по уровню собственных шумов. Методы измерения НЧ шумов. Автоматизация измерения НЧ шумов полупроводниковых приборов и интегральных схем.
реферат, добавлен 15.08.2011Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Частота механического резонанса как один из основных показателей резонансных систем. Анализ эквивалентной электрической схемы пьезокерамического элемента. Методика расчета добротности по частотной характеристике активной составляющей проводимости.
статья, добавлен 28.05.2017Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Работа посвящена рассмотрению вопросов конструирования резонатора-термостата для прецизионных кварцевых генераторов. Показано, что оптимизация параметров конструкции позволяет снизить время установления частоты прецизионных кварцевых генераторов.
статья, добавлен 02.04.2019