Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин
Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
Подобные документы
Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Анализ особенностей применения классической теории пластин в динамических задачах. Изучение особенностей учета инерции вращения и сдвига элемента. Анализ системы сингулярных интегро-дифференциальных уравнений. Характеристика теории пластин Тимошенко.
статья, добавлен 13.01.2020Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Система диагностики тиристорного блока для тепловозного привода. Порядок выбора мультиплексора и микроконтроллера. Оценка объема оперативной и программной памяти. Выбор интерфейсного блока, расчет подключения кварцевого резонатора и разрядности АЦП.
дипломная работа, добавлен 19.02.2013Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
презентация, добавлен 25.12.2013Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
лекция, добавлен 17.08.2014Возникновение неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Влияние импульсного электромагнитного излучения на электрорадиоизделия, появление токов в проводящих элементах изделий.
статья, добавлен 14.07.2016Анализ принципа действия микрооптического гироскопа использующегося для определения разности собственных частот резонатора интерферометра. Характеристика кольцевого интерферометра с одной петлей связи между резонатором и вспомогательным волноводом.
статья, добавлен 28.10.2018Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
статья, добавлен 14.07.2016Коэффициент проводимости рассеяния для трапецеидального полузакрытого паза. Расчет площади поперечного сечения стержня при расчетной глубине проникновения тока. Определение массы изолированных проводов обмотки статора при круговом поперечном сечении.
курсовая работа, добавлен 16.09.2018Принцип действия защитного устройства для приборов. Закон полноты частей системы, энергетической и информационной проводимости, согласования-рассогласования, увеличения степени идеальности, повышения динамичности и управляемости, перехода на микроуровень.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Выбор типа проводимости транзисторов. Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов постоянными напряжениями и токами. Расчет элементов на постоянном токе. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов. Коэффициент усиления тракта.
курсовая работа, добавлен 04.04.2023Изучение физических процессов, возникающих в структурах металл-диэлектрик-полупроводник при деформации. Разработка полупроводниковых тензопреобразователей с улучшенными метрологическими характеристиками для систем неразрушающего контроля НДС материалов.
автореферат, добавлен 01.09.2018Параметры стабилизаторов постоянного напряжения. Относительные приращения напряжений на входе и на выходе стабилизатора. Гашение избытка входного напряжения на регулирующем транзисторе. Изменение проводимости в соответствии с управляющим сигналом.
лабораторная работа, добавлен 11.10.2017Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Ферми поверхность – изоэнергетическая поверхность, ограничивающая в пространстве квазиимпульсов область энергетических состояний, занятых электронами проводимости. Ферми-Дирака статистика – квантовая статистика для систем тождественных фермионов.
презентация, добавлен 23.09.2016Тип проводимости транзистора. Амплитудное значение входного напряжения. Внутреннее сопротивление источника. Нижняя и верхняя циклические частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент частотных искажений амплитудно-частотных характеристик усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.05.2012Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.
курсовая работа, добавлен 14.04.2017Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Существенное изменение динамических свойств системы электропривода. Электромагнитные переходные процессы в цепи "преобразователь—двигатель". Расчет пределов изменения углов проводимости тиристоров. Объект управления в контуре регулирования тока.
статья, добавлен 01.07.2018Разработка структурной и принципиальной схем генератора прямоугольных импульсов. Построение операционного усилителя импульсных сигналов. Проверка ОУ по допустимому выходному току. Расчет ограничителя и регулятора. Выбор типа проводимости транзистора.
курсовая работа, добавлен 11.01.2021Построение электрического эквивалента нагрузки. Зависимость проводимости от частоты. Расчет квазиполосовой согласующей цепи. Коэффициент трансформации цепи. Величина полосовой добротности нагрузки. Потенциальные возможности оптимальной согласующей цепи.
контрольная работа, добавлен 23.11.2015