Применение резонатора для диагностики неоднородностей проводимости полупроводниковых пластин
Особенности бесконтактных методов определения профиля проводимости по толщине сильно легированных слоев на поверхности полупроводниковых пластин. Характеристика ключевых соотношений, которые связывают профиль проводимости с параметрами резонатора.
Подобные документы
Исследование характеристик сверхпроводящие линии связи и определение зависимостей проводимости пропускаемого электрического тока. Разработка силовых сверхпроводящих кабелей на основе сверхпроводников. Технологии по изготовлению сверхпроводящих линий.
статья, добавлен 19.02.2019Методика проведения качественного анализа переходных процессов токов во всех ветвях схемы и напряжений на реактивных элементах, построение необходимых графиков. Определение закона изменения во времени тока после коммутации, запись выражения проводимости.
курсовая работа, добавлен 24.03.2009Схема петлевой якорной обмотки. Проверка максимальной индукции в минимальном сечении зубца для трапецеидального паза. Расчет удельной магнитной проводимости для потоков рассеяния секции обмотки. Определение расчетной электромагнитной мощности машины.
курсовая работа, добавлен 07.03.2015Исследование механизма внутренней электротермической деградации волоконно-оптического кабеля. Регистрация изменений проводимости внутренних компонентов ВОК, влияние воздействия переменного электромагнитного поля высокой напряжённости на их закономерность.
статья, добавлен 30.05.2017Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.
контрольная работа, добавлен 17.05.2014Резистивно-емкостные элементы с распределенными параметрами как конструкции на основе системы чередующихся слоев материалов, в которых проводящие прослойки разделены диэлектриками. Характеристика блок-схемы модернизированного генетического алгоритма.
автореферат, добавлен 13.08.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Рассмотрение основных способов определения дифференциального сопротивления RCT стабилитрона. Общая характеристика особенностей полупроводниковых приборов. Знакомство с формулой, по которой рассчитывается дифференциальное сопротивление стабилитрона.
контрольная работа, добавлен 13.01.2020Получение упрощенных формул для определения параметров круглых микрополосковых антенн. Математическое описание электромагнитных полей внутри объема резонатора и полей, действующих на боковой стенке. Расчет входного сопротивления и коэффициента усиления.
статья, добавлен 30.10.2016Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Навыки работы в автоматизированной среде Multisim 10. Разработка и исследование мультивибратора на биполярных транзисторах одной проводимости. Исследование компаратора на основе операционного усилителя. Разработка одновибратора в интегральном исполнении.
курсовая работа, добавлен 22.06.2012Минимизация энергопотребления в системах на основе микроконтроллера. Основные способы определения тактовой частоты генератора. Типовая схема подключения кварцевого или керамического резонатора. Аппаратные средства для обеспечения надежной работы.
лекция, добавлен 25.06.2013Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Описание метода контроля параметров электроакустических преобразователей пьезоэлектрического типа в составе акустических антенных решеток по электрическим измерениям. Определение интеграла (площади под кривой) от активной составляющей проводимости.
статья, добавлен 29.07.2017Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Анализ электронной схемы робота. Методика определения вероятности безотказной работы в течение определенного времени. Расчет интенсивности отказов кварцевого резонатора, звукоизлучателя, фотодатчика, триггеров, транзисторов и операционных усилителей.
статья, добавлен 05.03.2015Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.
реферат, добавлен 17.06.2015Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
лекция, добавлен 17.08.2014История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015- 99. Компьютерное моделирование кондуктометрических измерительных преобразователей в программе TiNA-Ti
Моделирование контактных кондуктометрических измерительных преобразователей с использованием программы схемотехнического анализа TINA-Ti. Экономический анализ электронных схем с использованием электронных программ преобразователей измерения проводимости.
статья, добавлен 29.12.2020 Описание применения полупроводниковых индикаторов. Использование дискретных светодиодов в рекламе и при наблюдении за параметрами технологического процесса. Описание светодиодного куба как объекта управления. Техническая реализация средств отображения.
статья, добавлен 24.05.2018