Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на основе карбида кремния Ti/4H-SiC

Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.

Подобные документы

  • Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.

    курсовая работа, добавлен 14.06.2020

  • Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.

    статья, добавлен 08.04.2019

  • Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2011

  • Исследование полных динамических характеристик объекта. Моделирование динамических систем в Simulink. Параметрическая идентификация в классе АРСС-моделей. Идентификация характеристик пьезоэлектрического датчика с использованием обратного пьезоэффекта.

    курсовая работа, добавлен 22.02.2019

  • Описание устройства и назначения полупроводниковых приборов - электронных устройств на полупроводниках. Устройство, назначение и вольт-амперная характеристика туннельного диода. Параметры проводимости и построение диаграмм работы туннельных диодов.

    реферат, добавлен 16.11.2013

  • Вольт-амперная характеристика диода. Применение двухполупериодного выпрямителя. Фильтры в источниках питания. Расщепление напряжения питания. Схема выпрямителей с умножением напряжения. Пример использования диодов. Индуктивные нагрузки и диодная защита.

    лекция, добавлен 09.12.2013

  • Определение понятия и принципов работы лавинно-пролётного диода. Рассмотрение особенностей линейной теории полупроводникового диода. Определение напряжений, а также плотности тока проводимости. Усиление сигнала, природа шумов лавинно-пролётного диода.

    реферат, добавлен 17.06.2015

  • На основе численного решения гиперсингулярных интегральных уравнений определение распределения электрического поля в двух главных плоскостях однозеркальной антенны в ближней зоне смоделированого с помощью датчика в виде электрического вибратора.

    статья, добавлен 04.11.2018

  • Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.

    курс лекций, добавлен 02.10.2016

  • Анализ изменений гидротермических условий Белгородской области за последние 30 лет в пространственном и временном аспектах. На основе многолетних климатических данных по 8 метеостанциям в ГИС выполнено моделирование агроклиматических характеристик.

    статья, добавлен 28.05.2021

  • Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Получение основных характеристик КМОП-устройств, а именно инвертора и операционного усилителя под воздействием электрического стресса с помощью программного моделирования. Анализ старения КМОП-устройств. Инструменты для анализа временной деградации.

    дипломная работа, добавлен 04.12.2019

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.

    книга, добавлен 19.10.2013

  • Анализ метода аналитического расчёта излучения сверхширокополосных импульсных сигналов круглой апертурой с использованием переходных характеристик импульса. Ближняя и дальняя зоны антенны. Численное электродинамическое моделирование методом FIT.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Моделирование электрооптического преобразователя. Параметры и характеристики светодиодов. Принцип осуществления цифровой модуляции лазерного диода. Математическая модель электрооптического преобразователя. Уменьшение материальной дисперсии диодом.

    реферат, добавлен 27.02.2013

  • Принцип работы преобразовательного устройства. Система автоматического регулирования. Параметры стабилизатора, катушки индуктивности в среде Matlab. Подбор диода и транзистора. Режим прерывистых токов. Анализ регулировочной характеристики стабилизатора.

    курсовая работа, добавлен 26.12.2014

  • Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.

    лабораторная работа, добавлен 24.12.2014

  • Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.

    учебное пособие, добавлен 25.04.2014

  • Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.

    контрольная работа, добавлен 14.10.2017

  • Описание способов и результатов моделирования и оптимизации характеристик 12-метрового миллиметроволнового изображающего радиотелескопа системы Кассегрена для решения солнечных задач. Использование двухрядной приемной матрицы, развернутой по координате.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • Общие сведения о биполярном транзисторе, их конструкция. Пробой, режимы и принцип работы, вольт-амперные характеристики. Цоколевка транзистора KT375A. Обозначение на схемах. Модули проводимости прямой и входной передачи. Расчет характеристик KT375A.

    курсовая работа, добавлен 14.04.2017

  • Динамическое моделирование сложных радиоэлектронных систем. Изучение понятия о печатных платах и печатных проводниках, история создания, область применения, виды и особенности. Описание программы PSPICE. Понятие перекрестных помех. Моделирование схемы.

    курсовая работа, добавлен 03.01.2021

  • Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.

    реферат, добавлен 07.06.2010

  • Исследование физического принципа действия, устройства и характеристик лавинно-пролетного диода и диодного генератора на его основе. Зависимость основных параметров генератора от режима работы. Методика измерений, подготовка к ним и порядок проведения.

    методичка, добавлен 10.09.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.