Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на основе карбида кремния Ti/4H-SiC
Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
Подобные документы
Моделирование электрического, теплового, аэродинамического и механического процессов в радиоэлектронных устройствах с использованием программы. Анализ формирования виртуального проекта в PDM-системе в процессе проектирования на основе системы Асоника.
статья, добавлен 08.12.2018Определение, отличительные черты и моделирование принципиальной схемы устройства. Сущность и специфика процесса проведения исследования характеристик схемы, её структура. Описание анализа переходных процессов, измерение частоты источника сигнала.
лабораторная работа, добавлен 23.06.2015- 78. Моделирование процессов воздухообмена в складском помещении с использованием программы STAR CCM+
С помощью пакета STAR-CCM+ рассчитано поля температуры, скорость, поле этилового спирта (С 2H6O), формирующееся в помещении хранения спиртовых настоек с перемешивающей вентиляцией по схеме сверху-вверх. Система трехмерных уравнений Навье-Стокса.
статья, добавлен 15.10.2024 Конструкция, максимальная рабочая частота варикапа, сферы применения. Коэффициент перекрытия по ёмкости. Построение вольт-фарадной характеристики. Расчет основных геометрических параметров. Дифференциальное сопротивление в рабочем диапазоне напряжений.
курсовая работа, добавлен 28.12.2019Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Описание методики проектирования многокаскадного усилителя переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя, его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3. Корректировка параметров.
курсовая работа, добавлен 07.02.2011Расчет амплитудного и фазового спектра заданного колебания, определение мощности в спектре. Выбор несущей частоты. Расчёт и модель избирательной цепи. Кусочно-линейная аппроксимация вольт-амперной характеристики безинерционного нелинейного элемента.
контрольная работа, добавлен 06.08.2013Анализ характеристик селективного интегрально-оптического элемента, образованного двумя планарными волноводами, связанными через кольцевой резонатор. Моделирование компенсации потерь в селективном фильтре. Увеличение коэффициента передачи устройства.
статья, добавлен 04.11.2018Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016Исследование временных характеристик типовых динамических звеньев с использованием автоматизированных средств моделирования на ПК. Построение реакций каждого типового звена с заданными параметрами на ступенчатое и импульсное входное воздействие.
лабораторная работа, добавлен 06.04.2015Методы расчета частотных характеристик входного сопротивления электрической цепи, определение импульсных воздействий на нее. Моделирование заданной цепи с помощью программы Electronic Workbench. Анализ метода контурных токов и схемы их изменений.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Построение математической модели температурного поля в коническом кабеле линии связи. Определение теплопроводности кабеля и описание сопутствующих температурных условий. Общий расчет объемной плотности тепловыделения и моделирование температуры поля.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Встановлення рівня забруднення сполуки CdTe хімічними домішками в процесі отримання кристалів. Методики отримання детекторів іонізуючих випромінювань й оптоелектронних пристроїв. Вплив умов хімічної обробки кристалів ZnSe на параметри діодів Шоттки.
автореферат, добавлен 28.08.2015Расчёт выходных электрических характеристик микроэлектроники средствами подсистемы схемотехнического проектирования. Моделирование наводок через взаимные ёмкости и индуктивности. Расчёт поля, создаваемого горизонтальным диполем вблизи границы раздела.
статья, добавлен 05.11.2018Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.
курсовая работа, добавлен 29.06.2015Аспекты явления электронного разогрева в сверхпроводниковых пленках применительно к детекторам электромагнитного излучения. Оценка вольт-ваттной чувствительности и шумовой температуры детектора в рамках линеаризованных уравнений теплового баланса.
статья, добавлен 03.11.2018Выполнение численного моделирования двумерного волнового уравнения с использованием явной трехслойной схемы типа "крест". Распределение компоненты электромагнитного поля в волноводе при распространении по нему волны с различной несущей частотой.
статья, добавлен 04.11.2018- 96. Компьютерное моделирование кондуктометрических измерительных преобразователей в программе TiNA-Ti
Моделирование контактных кондуктометрических измерительных преобразователей с использованием программы схемотехнического анализа TINA-Ti. Экономический анализ электронных схем с использованием электронных программ преобразователей измерения проводимости.
статья, добавлен 29.12.2020 Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
статья, добавлен 10.12.2016- 98. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Электротехническое моделирование и его основание на точных математических моделях элементов электрической схемы. Доказательство алгоритмического подхода для решения задачи, основанный на обучении нейронной сети. Обеспечение аппроксимации функции.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Проект структуры многокаскадного усилительного устройства переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя. Его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3 с корректировкой параметров.
курсовая работа, добавлен 25.01.2011