Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на основе карбида кремния Ti/4H-SiC
Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
Подобные документы
Понятие обратной связи между цепями усилителя, ее виды. Структурные схемы усилителей с обратной связью. Определение коэффициента усиления усилителя. Анализ изменений амплитудно-частотных характеристик усилителя при введении отрицательной обратной связи.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Схема системы передачи информации. Обоснование вида модуляции. Разработка транзисторного усилительного каскада электрических сигналов по переменному току. Выбор транзистора и моделирование статических характеристик. Анализ результатов моделирования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2016Моделирование Е-плоскостной системы как частотнодисперсной среды. Реализация параллельных вычислений в Nvidia Cuda. Моделирование H-плоскостных распределительных систем оптического типа в временной области для построения широкополосных многолучевых Афар.
диссертация, добавлен 12.01.2017Рассмотрение метода моделирования характеристик передачи, связанных планарных резонаторов произвольной формы. Волноводная модель резонатора, квазистатическое приближение, методы сегментации и моментов. Параметрическая оптимизация планарных устройств.
статья, добавлен 05.11.2018Методы коррекции нелинейности характеристик современных микродатчиков с использованием аппроксимации дискретных значений их характеристик. Рассмотрение схем корректирующих блоков с включением корректирующего функционального преобразователя в прямую цепь.
статья, добавлен 01.08.2017Моделирование и оптимизация параметров автоматической линии на ранних стадиях разработки методами теории массового обслуживания. График зависимости эффективности автоматической линии от ёмкости накопителя. Расчёт основных показателей работы линии.
курсовая работа, добавлен 21.02.2014Проектирование многокаскадного усилителя переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя, его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта MicroCap III. Корректировка параметров усилителя.
курсовая работа, добавлен 31.10.2017Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Имитационное моделирование структурной схемы системы. Выполнение оптимизации по интегральному квадратичному критерию качества. Исследование характеристик регулятора и транспортного запаздывания. Анализ результатов после прогона системы с оптимизатором.
лабораторная работа, добавлен 10.02.2016Виды нагрузок для электрических фильтров. Примеры расчета фильтров, расчет для полосового LC-фильтра Баттерворта или Чебышева с использованием таблиц. Компьютерное моделирование электрических фильтров с использованием программы Electronics Workbench 5.12.
методичка, добавлен 22.12.2015Моделирование передачи 100000 сообщений в коммутационной системе. Определение загрузки каналов и вероятности появления потерь. Блок-схема алгоритма функционирования системы. Текст имитационной программы на GPSS World. Анализ стандартного отчета GPSS.
методичка, добавлен 15.05.2013Электродинамические характеристики замедляющих систем с использованием результатов трехмерного моделирования. Разработка алгоритма и программы расчета дисперсионных характеристик резонаторных замедляющих систем, их анализ с изменением концентрации плазмы.
статья, добавлен 05.11.2018Моделирование двухпортовой двухполяризационной патчевой антенны как элемента кольцевой антенной решетки. Рассмотрение характеристик излучения для мод с разным орбитальным угловым моментом. Использование эффекта для сканирования вихреобразным лучом.
статья, добавлен 05.11.2018Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Оценка влияния параметров процесса газофазного осаждения нитрида кремния (Si3N4) на механические напряжения пленок. Определение размерного фактора, позволяющего управлять чувствительностью гофрированной мембраны для миниатюрного акустического датчика.
автореферат, добавлен 31.07.2018Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015- 118. Моделирование поляризационных характеристик рассеяния радиоволн на объектах в виде усеченных конусов
Анализ результатов численного моделирования рассеяния электромагнитных волн на усеченных конусах с разными видами оснований. Особенности проведения анализа угловых зависимостей поляризационных составляющих для поляризаций и углов падения излучения.
статья, добавлен 02.04.2019 - 119. Модель трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля
Функциональное назначение и область применения трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля. Разработка и обоснование математической модели трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика.
практическая работа, добавлен 11.01.2020 Требования к интегральным схемам и полупроводниковым подложкам. Технология получения монокристаллического кремния, его калибровка, резка, шлифовка и полировка. Химическое травление полупроводниковых пластин и подложек. Алмазное и лазерное скрайбирование.
курсовая работа, добавлен 03.11.2012Расчет технических характеристик антенн без согласующего устройства в программе MMANA. Зависимость различных характеристик антенны от частоты. Диаграммы направленности антенны для средней и крайних частот. Основные способы уменьшения влияния КСВ.
контрольная работа, добавлен 05.05.2017Проектирование передающей ромбической антенны для магистральной связи. Протяженность радиолинии, проходящей в средних широтах. Действующая высота отражения слоя. Напряженность электрического поля. Диапазон рабочих частот. Параметры данного аппарата.
контрольная работа, добавлен 16.01.2014Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
презентация, добавлен 26.10.2013Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Измерение с помощью радиолокационной станции характеристик электромагнитного поля, рассеянного летательного аппарата (цели). Процесс преобразования характеристик сигналов в радиолокационном канале на пути от передатчика до устройства обработки РЛС.
статья, добавлен 17.12.2019