Контакт двох напівпровідників різного типу
Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
Подобные документы
- 51. Сила тертя
Характеристика опору стичних тіл, їх руху одне відносно одного. Види тертя - спокій, ковзання, кочення та опір середовища. Напрями використання сил тертя в техніці, основні види передач. Визначення шкоди тертя. Основні напрями зменшення впливу сил тертя.
реферат, добавлен 27.10.2014 Дослідження розігріву електронно-діркової плазми електричним полем в процесі утворення термодифузійних автосолітонів в кристалах Ge і Si. Вплив типу провідності кристалу і властивостей приконтактних областей на поведінку плазми в електричному полі.
автореферат, добавлен 30.07.2014Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.
методичка, добавлен 21.07.2017Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.
презентация, добавлен 13.12.2021Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження впливу частоти струму на кутову швидкість, технологічні та енергетичні характеристики дробарок. Залежності продуктивності, питомих витрат енергії та модуля помелу дробарок від частоти струму. Рівняння, що описує механічні характеристики.
статья, добавлен 30.01.2017Дослідження фізико-хімічних та кристалізаційних параметрів стекол. Розрахунок критичних швидкостей охолодження розплавів. Визначення оптимальних режимів синтезу стекол. Оцінка впливу опромінення та відпалу на структуру і оптичні властивості плівок.
автореферат, добавлен 07.08.2014Корпускулярно-хвильовий дуалізм речовини. Основні поняття квантової механіки. Найпростіші задачі квантової механіки. Взаємодія атомів у молекулі. Основні закони термодинаміки. Елементи зонної теорії кристалів. Електронні властивості напівпровідників.
курс лекций, добавлен 07.07.2017Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.
автореферат, добавлен 25.08.2014Основна характеристика цілочислового квантового ефекту Холла. Особливість історії квантування холлівської провідності. Головний аналіз використання кванта електричного опору. Провідна сутність поперечної складової магнітопровідності у магнітному полі.
контрольная работа, добавлен 03.06.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження основних процесів взаємодії світла, особливо світлових пучків високої інтенсивності, з екситонними та біекситонними елементарними збудженнями при непружному розсіянні екситонних молекул в напівпровідникових кристалах та наноструктурах.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого і зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 10.01.2014Теоретичне дослідження та аналіз температурної залежності питомого опору і температурного коефіцієнта опору двошарових плівок Ni/Cr, Ti/Cu та Al/Ni як у процесі термостабілізації електрофізичних властивостей, так і після завершення твердофазних реакцій.
статья, добавлен 26.10.2010Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Побудова математичної моделі протікання струму і тепловиділення в багатошарових світловипромінюючих структурах з урахуванням нелінійних властивостей p-n переходу. Визначення температур струмового розігріву в інфрачервоних InAsSbP/InAsSb світлодіодах.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження впливу частоти струму на кутову швидкість, технологічні та енергетичні характеристики ковшових транспортерів. Залежність продуктивності, моменту статичних опорів ковшового транспортера та питомої витрати електроенергії від частоти струму.
статья, добавлен 30.01.2017Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014- 73. Вплив H, C, N і Si на електронну структуру та фізичні властивості кристалів на основі сполук Fe і Cr
Спін-поляризований розрахунок енергетичної зонної структури і рентгенівських емісійних спектрів нітрида заліза Fe4N. Релятивістський розрахунок цементиту Fe3C. Обчислення енергетичної зонної структури і енергії когезії сплавів CrNiFe2Hx (x = 0, 2, 4).
автореферат, добавлен 18.11.2013 Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.
курсовая работа, добавлен 08.11.2018