Контакт двох напівпровідників різного типу
Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
Подобные документы
Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Фазовий склад і структура плівок, вирощених із парової фази. Механізми деградації електричних властивостей плівки. Встановлення залежності типу провідності і концентрації носіїв струму. Аналіз профілів властивостей плівок різної структурної досконалості.
автореферат, добавлен 14.07.2015Особливості фотовольтаїчних властивостей та методи оптимізації фоточутливості анізотипних органічних гетероструктурах, встановлення зв'язку енергетичної структури з експериментальними значеннями фото-ерс. Оцінка можливості використання цих структур.
автореферат, добавлен 29.08.2015Характеристика головних форм нелінійних рівнянь руху системи двох важких гiроскопiв Лагранжа напівзамкненого типу. Дослідження особливостей впливу дебалансу на стійкість рівномірних обертань. Вивчення методики пошуку резонансної частоти першого типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Традиційні способи теплопостачання. Властивості і характеристики електричної дуги. Коефіцієнт використання світлового потоку в залежності від типу світильника. Джерела зварювального струму. Питома потужність ламп. Точковий метод розрахунку освітлення.
курсовая работа, добавлен 11.04.2018Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика оптичних і термічних властивостей твердого тіла. Ефекти сталих каркасів з різними тепловими якостями. Вплив напівпровідників при дослідженні на термопружність параметрів. Фототермоакустичні коливання збуджень п’єзоелектричних корпусів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Описання обмежувача струму короткого замикання індуктивного типу з високотемпературними надпровідними обмоткою та екраном. Аналіз особливостей перехідного процесу при виникненні струму короткого замикання. Схема заміщення увімкнення НПОС у електромережу.
статья, добавлен 22.12.2016Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Отримання та загальний аналіз аналітичних співвідношень, які описують мезоскопічний опір та енергетичний спектр модельних одновимірних ґраток, що вміщують довільну кількість зсувних або ізотопічних дефектів або мають структуру композиційної суперґратки.
автореферат, добавлен 29.07.2014Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вивчення впливу електрон-електронної взаємодії та домішок на властивості низьковимірних квантових систем. Теоретичне дослідження електронних ланцюжків з сильною взаємодією частинок. Розробка нової інтегрованої моделі сильнокорельованих електронів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Оцінка впливу домішок компресорного мастила в реальні робочі тіла на показники енергетичної ефективності компресорної системи. Розробка рекомендацій для забезпечення нормальної циркуляції домішок мастила в холодоагенті по контуру холодильної установки.
автореферат, добавлен 29.08.2015Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014- 118. Стабільність, зонна структура та оптичні властивості твердих розчинів на основі елементів IV групи
Розрахунок на основі потенціалу Терсофа розподілу довжин зв’язків для напівпровідників твердих розчинів, особливості поведінки надлишкової енергії при їх змішуванні. Перебудова оптичних функцій сплавів, вплив внутрішніх локальних, біаксіальних деформацій.
автореферат, добавлен 13.07.2014 Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Методи оптимізації різного типу динамічних гасників коливань маятникового типу. Побудова дискретно-континуальної моделі динаміки великогабаритних подовгастих елементів. Зменшення надмірної вібрації системи балок при гармонійному та ударному змушенні.
статья, добавлен 24.11.2016Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Процес вивчення на прикладі дію закону Ома, характеристика залежності режимів роботи кола від величини опору. Формула розрахунку потужності резистора. Визначення залежності зміни струму від величини напруги. Порядок побудови схеми, підготовка обладнання.
лабораторная работа, добавлен 07.12.2013Особливості формування нерівноважних функцій розподілів електронів при взаємодії швидких легких іонів із плазмою напівпровідників і металів. Можливості створення з використанням цих розподілів перетворювачів енергії ядерних частинок в електричну.
автореферат, добавлен 27.07.2014Лазери як найточніші та найбільш універсальні інструменти для обробки та аналізу матеріалів. Параметри та механізми перебігу основних фізичних процесів в низькоенергетичній плазмі металів і напівпровідників та полікристалічних сполук на їх основі.
автореферат, добавлен 29.07.2014