Контакт двох напівпровідників різного типу
Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
Подобные документы
Принципова схема машини змінного струму. Вивчення змін індукції і енергетичного витка в повітряному проміжку. Електрична енергія постійного струму. Принципова схема генератора незалежного збудження. Активний опір обмотки регулювального реостата.
реферат, добавлен 29.07.2017Аналіз стійкості структурного й спінового станів MnAs та MnP при зміні об’єму елементарної комірки. Вивчення впливу аніонного й катіонного заміщень, параметрів кристалічної ґратки на структуру й магнітні характеристики гексагонального арсеніду марганцю.
автореферат, добавлен 14.08.2015Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення умов існування електричного струму. Класифікація речовин за здатністю проводити електричні заряди. Вивчення електричних властивостей індію. Розгляд змісту електронної теорії провідності. Визначення відношення заряду до маси носіїв заряду.
практическая работа, добавлен 08.04.2020Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017- 81. Сила та імпульс
Комплексне вивчення понять моментів сили та імпульсу, практичне визначення кутової швидкості прецесії. Основні властивості гіроскопу, його основні кінематичні характеристики. Опір зовнішнім діям, які намагаються змінити напрямок осі обертання гіроскопу.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 84. Вивчення механізму електричної провідності нематичних рідких кристалів у навчальному експерименті
Проблема удосконалення навчального експерименту у вищих навчальних закладах. Природа рідких кристалів. Лабораторна робота по вивченню процесів переносу носіїв струму провідності у нематичному рідкому кристалі, який знаходиться у різних фазових станах.
статья, добавлен 28.12.2017 Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 92. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Рекомендації з покращення приводних електромагнітів постійного струму і вибір їхніх раціональних параметрів для контакторів змінного струму. Вплив розмірів феромагнітних шунтів з поперечним рухом якоря на статичний тяговий момент у початковому положенні.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 96. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження зсуву Найта і форми резонансних спектрів у телуридах свинцю-олова залежно від концентрації носіїв струму. Ознайомлення з особливостями розробленої методик детектування у напівпровідникових матеріалах з високою електричною провідністю.
автореферат, добавлен 26.08.2014 Визначення поняття фотоелектронного приладу та види зовнішнього фотоефекту. Аналіз законів фотоелектронної емісії та характеристик фотокатода. Характеристика електровакуумних та напівпровідникових фотоелементів. Вивчення фотоелектронних помножувачів.
курсовая работа, добавлен 16.03.2016Лазери з посилюючим середовищем на основі напівпровідників, де генерація відбувається за рахунок вимушеного випромінювання фотонів. Міжзонний оптичний перехід в напівпровідниках. Використання оптичного або електронно-променевого накачування лазера.
контрольная работа, добавлен 15.05.2014Основний аналіз взаємодії між іонною та електронною підсистемами металів в процесі впливу постійних, знакозмінних та контактних напружень. Особливості збільшення опору втомленості завдяки обробці сплавів потужними імпульсами електричного струму.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження впливу анізотропії та непараболічності енергетичних спектрів носіїв на термодинамічні характеристики електронів та дірок у телурі в області біполярної провідності. Характеристика температурних залежностей дрейфових рухливостей електронів.
автореферат, добавлен 05.01.2014