Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
Подобные документы
Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Аналитический расчет площади печатной платы. Повышение механической прочности геометрических размеров на указанных элементах. Трудоемкость изготовления межъячеечной коммутации. Обеспечение минимума теплового градиента и допустимая разность потенциалов.
контрольная работа, добавлен 15.04.2016Исследование вольт-амперной характеристики диода при различной температуре в линейном и полулогарифмическом масштабах. Определение температурного коэффициента напряжения диода при различной температуре и значениях прямого тока для построения термометра.
лабораторная работа, добавлен 02.01.2023Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
презентация, добавлен 20.07.2013Взаимная ёмкость и взаимная индуктивность как причина помех в радиоэлектронике, обеспечение помехоустойчивости топологии. Оценка межпроводниковых емкостей при трассировке электрических соединений, которые ориентированы на многослойную канальную модель.
статья, добавлен 14.09.2016Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
статья, добавлен 08.12.2018Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Понятие и области применения алгебры логики. Сущность логического сообщения. Операция инверсии. Порядок действий в алгебре логики. Фундаментально независимые элементы. Особенности минимизации логической функции. Понятие триггера. Счетчики импульсов.
контрольная работа, добавлен 21.10.2014Оптроны - оптоэлектронные приборы, имеющие источник и приемник излучения, конструктивно связанные друг с другом. Отличительные особенности оптронов. Приминение оптронов для связи блоков аппаратуры, между которыми есть значительная разность потенциалов.
реферат, добавлен 18.05.2010Интегратор, как техническое устройство, выходной, сигнал которого пропорционален интегралу обычного времени. Характеристика механических вычислительных технических устройств. Анализ измерения степени заряда и разряда электрохимических источников тока.
контрольная работа, добавлен 25.04.2016Обзор зарядных устройств. Структурные схемы заряда аккумулятора от различных источников. Расчет параметров солнечной батареи и стабилизатора выходного напряжения. Разработка конструкции портативного зарядного устройства от USB, его печатной платы.
дипломная работа, добавлен 23.04.2017Принципы компьютерного моделирования схем на базе метода узловых потенциалов с использованием ступенчатой аппроксимации вольт-амперной характеристики диода. Разработка визуального обучающего конструктора. Пример моделирования диодно-резистивной схемы.
статья, добавлен 21.06.2018Разработка селектора малых импульсов, где в качестве узлов используются параллельный ограничитель, жидкое метательное вещество с положительной дифференцирующей цепью, формирователь с интегрирующей цепью заряда конденсатора. Его устройство и функции.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Рассмотрение устройства для заряда автомобильного аккумулятора. Импульсное автоматическое зарядное устройство "ЗУ-3000". Структурная схема зарядного устройства. Последовательность сборки проектируемого устройства. Техника безопасности во время пайки.
курсовая работа, добавлен 02.06.2017Решение задачи синтеза фильтра, реализующего квазиоптимальные оценки частотных характеристик двух или более близкорасположенных отражателей, локализованных во временной области. Применение квазиоптимального фильтра, использующего UT преобразование.
статья, добавлен 06.11.2018Общая характеристика деятельности и функциональная структура предметной области. Характеристика и классификация систем документации и схем документопотоков. Международные классификаторы и их применение. Международная стандартная торговая классификация.
курсовая работа, добавлен 09.06.2015Использование критерия Неймана-Пирсона для обнаружения вызванных потенциалов в сигналах электроэнцефалограмм. Синтезирование оптимального алгоритма обнаружения вызванных потенциалов. Проведение моделирования, подтверждающего его работоспособность.
статья, добавлен 06.11.2018Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Микросхемы флэш-памяти объемом 4 Гбайта, используемые в качестве энергонезависимой памяти в бытовых, промышленных и компьютерных устройствах. Заявленная и фактическая ёмкость, разрядность микросхемы, ввод/вывод и хранение данных в flash-памяти Samsung.
контрольная работа, добавлен 30.08.2012Идентификация параметров spice-модели диода с помощью программ Parts, PSpice Model Editor, Micro-Cap. Нелинейные и линеаризованные схемы замещения с включением источников внутреннего шума. Уравнения, описывающие статический и динамический режимы.
методичка, добавлен 24.03.2014Проблема транспортировки электронного пучка с эллиптическим сечением при однородном и неоднородном распределении плотности пространственного заряда. Изменение эмиссионной способности под действием ионной бомбардировки. Эквипотенциальные поверхности.
статья, добавлен 03.11.2018Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012