Р-п переходы

Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.

Подобные документы

  • Структурная схема автоматического зарядного устройства УЗА-24-10, назначение, принцип работы; технические характеристики: номинальное напряжение питающей сети, ток заряда батареи. Регулятор работы - широтно-импульсный модулятор; контроль перегрузки.

    лекция, добавлен 03.10.2013

  • Классификация приборов М-типа. Принцип действия и статические характеристики магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. Спицы пространственного заряда. СВЧ-приборы со скрещенными полями и замкнутым электронным потоком.

    реферат, добавлен 22.08.2015

  • Возникновение и определение экспертных систем. Главное достоинство и назначение экспертных систем. Области применения экспертных систем. Понятие и структура автоматизированных рабочих мест. Состояние и перспективы развития АРМ на базе персональных ЭВМ.

    контрольная работа, добавлен 16.01.2009

  • Получение соотношений для расчета спектров шумов на выходе синтезаторов частот с дробно-переменными делителями частоты, управляемыми дельта-сигма модуляторами. Неидентичные значения токов заряда и разряда зарядовой накачки в системе автоподстройки.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.

    контрольная работа, добавлен 30.03.2017

  • Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.

    дипломная работа, добавлен 07.06.2012

  • Формирование цилиндрического пучка с учетом распределения поля его пространственного заряда. Анализ поля системы электродов в пространстве, ход нулевой эквипотенциали. Расчет электродов, формирующих осесимметричный пучок в режиме ограничения тока.

    статья, добавлен 04.11.2018

  • Исследования в области гражданской спутниковой связи. Принципы организации спутниковых каналов связи. Ка-диапазон: эксперименты на реальных спутниках, использование в настоящее время. Особенности использования спутниковых систем Ка-диапазона в России.

    реферат, добавлен 17.12.2013

  • Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Назначение и цепи питания операционных усилителей. Простейшее включение операционного усилителя. Отличие реальных операционных усилителей от идеальных. Ограничения тока и напряжения. Импульсные генераторы, выполненные на основе операционных усилителей.

    курсовая работа, добавлен 17.05.2015

  • Измерение температуры корпуса диода. Изготовление паза для размещения проводов. Изучение общего вида электронного термометра ТМ-977. Схема 20-ти ступенчатого источника стабильных токов. Сборка экспериментальной установки. Получение математической модели.

    лабораторная работа, добавлен 02.05.2015

  • Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.

    курс лекций, добавлен 09.07.2017

  • Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.

    контрольная работа, добавлен 10.05.2015

  • Исследование причин частотной зависимости петли гистерезиса керамики PbFe1/2Nb1/2O3. Увеличение степени переключения спонтанной поляризованности при уменьшении частоты переполяризующего электрического поля. Релаксация внутреннего заряда кристаллитов.

    статья, добавлен 30.05.2018

  • Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.

    лабораторная работа, добавлен 01.06.2022

  • Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.

    реферат, добавлен 15.11.2015

  • Описание метода борьбы с флуктуациями эхо-сигнала за счет их разделения на флуктуации вызванные движением цели и флуктуации вызванные средой распространения радиоволн. Согласование в частотной области характеристик многочастотного зондирующего сигнала.

    статья, добавлен 14.01.2017

  • Глобальная информационная структура: общее понятие и области применения. Требования, предъявляемые к транспортным мультисервисным сетям. Расчет нагрузки, создаваемой сетью доступа на транспортную сеть. Определение производительности узлов пакетной сети.

    курсовая работа, добавлен 12.03.2016

  • Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.

    реферат, добавлен 02.08.2009

  • Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.

    учебное пособие, добавлен 05.12.2016

  • Диагностика механизма привода лазерного проигрывателя, характеристика схем обработки цифровых сигналов. Последствия нарушений работы ограничительного диода и системы автофокусировки. Выявление неисправностей схем отслеживания, устранение проблем.

    реферат, добавлен 25.01.2015

  • Исследование физического принципа действия, устройства и характеристик лавинно-пролетного диода и диодного генератора на его основе. Зависимость основных параметров генератора от режима работы. Методика измерений, подготовка к ним и порядок проведения.

    методичка, добавлен 10.09.2015

  • Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 06.08.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.