Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
Подобные документы
Способы контроля заряда аккумуляторов. Метод исследования внутреннего сопротивления. Разновидность электрических схем. Схема защиты от неправильного подключения полюсов аккумулятора и измерений. Схема зарядных устройств аккумуляторов мобильных телефонов.
реферат, добавлен 26.05.2015Длина экранирования Дебая. Распределение концентрации носителей, заряда и поля в частично освещенном полупроводнике. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Спектральное распределение фототока. Появление диффузионного тока.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Вольт-амперная характеристика кремниевого диода. Иллюстрация графического метода определения тока через диод и напряжения на нем. Условное графическое обозначение стабилитрона - диода, сконструированного для работы в режиме электрического пробоя.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Рассмотрение влияния поверхностного электрического заряда состояний Тамма и Шокли на прохождение радиоизлучения через теплозащитные панели антенн космических аппаратов в слоях атмосферы. Прохождение радиоизлучения через границы плоскослоистой среды.
статья, добавлен 04.11.2018Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Анализ чувствительного элемента в виде многослойного пьезопакета как альтернативы консольному пьезоэлементу для использования в пьезоэлектрических акселерометрах. Конструкция датчика, в котором роль чувствительного элемента выполняет подобный пьезопакет.
статья, добавлен 29.07.2018Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Использование микроконтроллеров в различных изделиях. Вычислительная мощность, высокая производительность аналоговой части и интеграция на системном уровне микроконтроллеров megaAVR. Обработка сигналов с датчиков с помощью микроконтроллера ATmega16.
курсовая работа, добавлен 04.11.2018Назначение и использование стенда для исследования влияния температуры на удельную электропроводность полупроводников. Определение зависимости электропроводности полупроводников от температуры. Лабораторное исследование кремниевого полупроводника.
статья, добавлен 11.01.2020Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010Электрохимические суперконденсаторы, основные свойства. Емкостная деионизация водных растовров: концептуальные подходы. Моделирование на основе переноса заряда между электродами. Электрохимические реакции и процессы на границе углерод/электролит.
диссертация, добавлен 02.09.2018Методика определения мгновенного значения заряда на выводах пьезоэлектрического акселерометра интеллектуального датчика вибрации. Характеристика зависимости постоянной времени затухания переходного процесса от величины напряжения тестового импульса.
статья, добавлен 27.05.2018Причины повреждения кабельных линий. Определение вида и места повреждения, прожиг кабеля. Сущность импульсного, импульсно-дугового, индукционного и акустического методов, приборы для их использования. Методики колебательного разряда и емкостного заряда.
статья, добавлен 27.01.2019Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Моделирование формирования сигналов на выходе фотоэлектронного устройства сцинтилляционного детектора. Проверка качества моделирования по статистике полного фотоэлектронного заряда единичных импульсов. Реализация выходного распределения потока электронов.
статья, добавлен 15.11.2018Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Порядок оценки импульсных характеристик сверхширокополосных систем с помощью подхода, основанного на аппроксимации сигналов во временной области экспоненциально затухающими колебаниями. Математический аппарат для оценки параметров данной модели.
статья, добавлен 03.11.2018- 72. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Рассматривается вопрос прогнозирования вероятности безотказной работы приборов на основе теоретических зависимостей. Условия возникновения отказов в идеальных и реальных условиях эксплуатации. Методика прогнозирования оптимального момента времени.
статья, добавлен 31.08.2020Оценка зарядовой стабильности одноэлектронного полевого транзистора на молекуле бензола в качестве проводящего канала в режиме кулоновской блокады. Вычисление энергии заряда молекулы по теории функционала плотности, модель ее взаимодействия со средой.
статья, добавлен 16.11.2017Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014