Неразрушающий метод контроля образования "горячих" областей в структуре транзистора
Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
Подобные документы
Рассмотрение биполярного транзистора как основы элементов биполярных интегральных схем. Изучение преимуществ и недостатков конструктивно-технологических вариантов изготовления интегральных схем с диэлектрической и с комбинированной изоляцией элементов.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Механизм возникновения и действия самопроизвольного коррозионного процесса в теплонапряженных конструкциях, к которым относятся изделия топливно-энергетического комплекса. Первопричина коррозии металла: термодинамическая неустойчивость в различных средах.
статья, добавлен 25.10.2018Особенность проведения высоковольтных испытаний. Определение вероятности поражения объекта в зависимости от расстояния до молниеотвода. Проведение исследования зон защиты одиночного молниеотвода. Построение зон защиты при разных вероятностях пробоя.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2021Обзор средств бесконтактного неразрушающего контроля теплофизических свойств материалов и готовых изделий. Разработка микропроцессорной информационно-измерительной системы, реализующей бесконтактный метод неразрушающего контроля теплофизических свойств.
автореферат, добавлен 29.08.2018Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2013Конструктивное исполнение транзистора кремний на изоляторе. Ионное внедрение, сращивание пластин, управляемый скол и эпитаксия. Преимущества и недостатки КНИ транзисторов. Виды структур кремний на изоляторе. Сравнение с другими топологическими вариантами.
курсовая работа, добавлен 21.10.2012Анализ влияния внешнего однородного вертикального магнитного поля на конвективную неустойчивость в плоском горизонтальном слое магнитной наножидкости, подогреваемом снизу или сверху. Проведение измерений в конвективной камере цилиндрической формы.
статья, добавлен 26.04.2019Описание свойств транзистора с помощью вольтамперных характеристик. Модель Эберса-Молла или модель транзистора на постоянном токе. Включение транзистора по схеме общий эмиттер в схемотехнике. Основные параметры транзистора. Коллекторная характеристика.
презентация, добавлен 20.07.2013Методы неразрушающего контроля. Регистрация и анализ результатов взаимодействия физических полей или веществ с объектом контроля. Работа импедансных дефектоскопов, применение изгибных и продольных упругих волн. Непрерывные, импульсные упругие колебания.
реферат, добавлен 18.01.2017- 36. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Полевые транзисторы, их отличия от биполярных по величине входного сопротивления. Типовые передаточные характеристики основных видов полевых транзисторов. Преимущества усилительных каскадов. Крутизна проходной характеристики, напряжение отсечки.
реферат, добавлен 28.12.2014Общая информация о структуре электрона. Сущность процесса работы плазмоэлектролитической ячейки. Первые предположения (постулаты) о структуре электрона, его движении по проводам. Анализ электролитического процесса, протекающего в электролитической ячейке.
реферат, добавлен 07.10.2010Особенность применения элементов электронных схем. Характеристика биполярных и полевых транзисторов. Анализ устройства для формирования и аналого-цифрового преобразования сигналов. Сущность линейных конфигураций на основе операционных усилителей.
учебное пособие, добавлен 17.01.2015Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Условные обозначения и простейшие модели, отражающие структуру транзисторов. Отношение тока коллектора к току базы.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Исследования по созданию многослойных вращающихся кулоновских структур. Механизмы выброса частиц из структуры. Многослойные структуры с дифференциальным вращением слоев. Динамика четырехслойной структуры. Множественные решения в неустойчивой структуре.
дипломная работа, добавлен 26.10.2018Методика расчета схемы с открытым эмиттером по постоянному току и по переменному току на средних частотах. Особенности расчета инвертирующего усилителя на операционном усилителе. Примеры расчетов схем открытого эмиттера и инвертирующего усилителя.
практическая работа, добавлен 22.01.2016Сингулярно-динамические определения неустойчивости, методов получения ряда критериев неустойчивости и ее особого режима – хаоса. Примеры получения критериев для двух простых динамических моделей. Анализ возмущений линеаризованных уравнений в физике.
статья, добавлен 05.03.2018Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.
учебное пособие, добавлен 25.02.2014Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
статья, добавлен 18.09.2018Расчет входного, оконечного и предоконечного каскадов. Вычисление тока нагрузки, выходной мощности, напряжения на входе, сопротивления коллектора, эмиттера и делителя. Обоснование выбора транзисторов. Определение периода и длительности импульса.
контрольная работа, добавлен 10.12.2014Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020Изучение основных характеристик операционных усилителей. Разработка усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Способы борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Анализ метода дифференциального каскада. Полная схема основных транзисторов.
лекция, добавлен 20.09.2017Анализ особенностей источника опорного напряжения, который является составным элементом сложно-функциональных блоков: аналого-цифровых преобразователей и вторичных источников питания. Определение напряжения база-эмиттера биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.06.2017