Неразрушающий метод контроля образования "горячих" областей в структуре транзистора
Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
Подобные документы
Измерения силы постоянного и переменного тока, сопротивления, величины постоянного и переменного напряжения, коэффициента усиления биполярных транзисторов. Качество соединения проводников или пайки. Конструкция прибора цифрового мультиметра M838.
лабораторная работа, добавлен 20.11.2013Ознакомление с результатами анализа малосигнальных режимов, который проводится с помощью эквивалентных схем и электрических параметров биполярного транзистора. Рассмотрение и характеристика зависимости параметров биполярного транзистора от частоты.
методичка, добавлен 11.12.2015Требования действующего стандарта C37.118-2005. Определение синхрофазора, частотные области спектра непрерывного сигнала и передаточной функции. Требования к унифицированному прибору и методика испытаний. Проверка соответствия формулируемых требований.
статья, добавлен 23.06.2013Устройство и принцип действия транзисторов, сферы использования, физический смысл, принципы действия и внутренняя структура. Классификация и маркировка транзисторов, схема и правила их включения. Общая характеристика, типы, отличительные особенности.
реферат, добавлен 08.03.2014- 80. О вычислительных эффектах при решении краевых задач для изотропного однородного континуума Коссера
Проблемы экспериментального обеспечения и идентификация констант однородного континуума Коссера для реальных материалов. Макроскопический подход и гипотеза однородности материала. Анализ масштабных факторов длины для реальных и гипотетических материалов.
доклад, добавлен 27.10.2018 Принципы построения усилительных устройств. Построение усилительного каскада на электронной лампе и полевых транзисторах. Работа электронной лампы и полевого транзистора в схеме АЭУ. Особенности построения усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
реферат, добавлен 07.01.2015Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Сборка усилителя на основе биполярных транзисторов. Подбор элементной базы, которая соответствует нагрузке, и при которой обеспечивается стабильная работа. Тестирование данного силового модуля под управлением МК Atmega16. Расчет транзисторного каскада.
статья, добавлен 26.06.2018Изучение связи мощности в нагрузке с напряжениями питания. Допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора. Максимальная амплитуда переменного напряжения на нагрузке у полумостового каскада. Смещение входных характеристик транзисторов.
презентация, добавлен 23.09.2016Анализ методов оптимизации периодичности испытаний систем, важных для безопасности при работе реактора на мощности. Обоснование сокращения испытаний на герметичность гермообъема. Анализ испытания оборудования в условиях увеличения топливного цикла.
статья, добавлен 15.01.2019Характеристика особенностей использования тепловых методов неразрушающего контроля и диагностики для определения качества исследуемых материалов и изделий по их теплофизическим характеристикам. Описания неразрушающего метода теплофизического контроля.
статья, добавлен 26.01.2020Средства вторичного электропитания электронных устройств: понятие и характеристики. Их задача и структура. Требования, предъявляемые к источникам вторичного электропитания. Назначение и принцип работы трансформатора. Функции выпрямителей и его элементы.
реферат, добавлен 14.06.2015Сущность пробоя диэлектрика как потери своих изоляционных свойств, если напряжённость поля превысит некоторое критическое значение. Явление ударной ионизации и ее действие на твердые диэлектрики. Квантовые уровни энергии внешних электронов в атоме.
реферат, добавлен 22.05.2014Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Электрический пробой как лавинный пробой, связанный с тем, что носитель заряда на длине свободного пробега приобретает энергию, достаточную для ионизации молекул кристаллической решётки. Вольтамперная характеристика электрического пробоя p-n перехода.
лабораторная работа, добавлен 23.12.2015Разработка метода расчета конструктивных параметров апохромата-триплета в области приближения бесконечно-тонких линз. Определение численных критериев для расчета степени апохроматизации триплета. Рассмотрение критерия исправления вторичного спектра.
статья, добавлен 15.01.2021Разработка и испытание устройства индикации пробоя, позволяющего по току утечки производить диагностику состояния изоляции воздушных линий электропередач. Оценка состояния изоляции в рамках риск ориентированной стратегии технического обслуживания.
статья, добавлен 15.04.2018- 93. Физика плазмы
Сущность физики плазмы, её основные характеристики и классификация. Описания коллективного взаимодействия частиц. Кинетические, магнитогидродинамические и параметрические неустойчивости плазмы. Неустойчивость плазмы в реакции термоядерного синтеза.
реферат, добавлен 17.09.2015 Повышение быстродействия (частотных параметров) биполярного транзистора. Рассмотрение особенностей схемы включения трехэлектродного полупроводникового прибора. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Предельная частота передачи тока базы.
реферат, добавлен 23.05.2015Анализ неразрушающего метода определения напряжений в нагруженном теле путем малого дополнительного нагружения и теоретического решения задачи. Анализ нового критерия прочности, позволяющего оценить степень удаленности металла от квазижидкого состояния.
статья, добавлен 29.07.2018- 96. Моделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Разработка модели и анализ результатов моделирования образования наноразмерных областей разупорядочения в кремнии при облучении потоком ионизирующих частиц с учётом параметров материала и условий облучения. Образование первичных радиационных дефектов.
автореферат, добавлен 27.07.2018 Порядок выбора схемы выпрямителя, определение вентилей. Принципы расчета вторичного тока, напряжения и мощности выпрямительного трансформатора. Амплитудное значение обратного напряжения. Параметры усилительного каскада. Основные режимы транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.12.2013Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015Основные способы осуществления исходного режима транзистора. Изменение выходного тока вызванные факторами, действующими при колебаниях температуры окружающей среды. Стабилизация исходного режима. Принципиальная схема каскада с коллекторной стабилизацией.
реферат, добавлен 27.06.2015Разработка способа контроля профиля скорости потока в трубопроводе по модовой структуре ультразвукового сигнала. Основная характеристика расширения функциональных возможностей и уменьшения погрешности информационно-измерительной системы водоснабжения.
автореферат, добавлен 28.03.2018