Неразрушающий метод контроля образования "горячих" областей в структуре транзистора
Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
Подобные документы
Изучение методов проведения гидравлических испытаний теплопроводов для выявления наиболее опасных с точки зрения разрушения участков тепловых сетей. Анализ проблемы наружной коррозии труб как основной причины высокой повреждаемости тепловых сетей.
статья, добавлен 26.02.2017Обзор современных энергосберегающих технологий. Анализ специфики систем электроснабжения нефтегазодобывающих предприятий. Разработка структуры и технических средств системы телекоммуникаций, средств контроля и управления распределительными подстанциями.
автореферат, добавлен 13.02.2018Описание взрывной электронной эмиссии как эмиссии с поверхности металла при его переходе из твердой фазы в газообразную в результате локальных взрывов микроскопических областей эмиттера. Анализ роли взрывной эмиссии электронов в физических процессах.
презентация, добавлен 08.06.2015Причины появления экзотермического эффекта и пути предотвращения образования дефектов в материалах. Термохимические и структурные модели. Формирования молекулярной и надмолекулярной структуры с высокоэластическими характеристиками. Разогрев вязкостью.
учебное пособие, добавлен 27.10.2013Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой и с общим эмиттером. Определение параметров высоты прибора графоаналитическим способом по графикам сигналов. Рассмотрение схемы биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 14.09.2017Суть параметров включения полевого транзистора. Применение полупроводниковых приборов в импульсных источниках питания и стабилизаторах. Анализ использования униполярных элементов в выходных каскадах вычислительных устройств и усилителях звуковой частоты.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Методы снижения потерь на переменном напряжении. Разновидности изоляции высоковольтного оборудования. Схемы грозозащиты подстанций. Сравнение способов ограничения и средств защиты от перенапряжений. Методы неразрушающих профилактических испытаний.
контрольная работа, добавлен 19.02.2016Исследование дисперсионных и энергетических свойств плазменных и объемных мод в зависимости от положения дефектного слоя внутри периодической структуры. Характеристика и методика определения спектра и плотности потока энергии электромагнитных волн.
статья, добавлен 14.07.2016Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Характер протекания режимов и изменения нагруженности узлов оборудования реакторных установок. Анализ прочности патрубков подпитки-продувки на главном циркуляционном трубопроводе. Прогрев тупиковых участков трубопроводов системы аварийного охлаждения.
статья, добавлен 15.01.2019- 61. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Сущность и характеристика термодинамической неустойчивости, ее роль в процессе эволюции Метагалактики. Условия стабильности. Особенности кинетических неустойчивостей в жидких и химических средах, возможности образования структур и типичные явления.
реферат, добавлен 30.08.2009Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Обобщение инерционных свойств транзисторов, которые начинают проявляться при быстром изменении сигнала. Причины ограничения частотных свойств транзисторов и возникновения их шумов или хаотическое изменение тока коллектора под действием различных факторов.
презентация, добавлен 20.07.2013Системы малосигнальных параметров биполярного транзистора. Входная, выходная и переходная статическая характеристика для схемы. Рабочая точка транзистора и его усилительные свойства. Порядок включения данного устройства, принцип его работы и структура.
лекция, добавлен 10.03.2016Принципы работы транзисторов с изолированным затвором, их сечение, условные обозначения, преимущества, вольт-амперные характеристики. Простейшая модель n-МОП-транзистора и КМОП инвертора, их топология и базовые операции технологического маршрута создания.
презентация, добавлен 07.07.2015Анализ опыта зарубежных стран в области организации и проведения налогового контроля, возможности его применения в деятельности налоговых органов Российской Федерации. Налоговый контроль как функция налоговых органов. Система налогового контроля.
статья, добавлен 31.07.2018Транзистор как полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, физические основы его функционирования, внутреннее устройство и принцип работы. Механизм возникновения токов. Схемы включения биполярного транзистора, их сравнение.
реферат, добавлен 29.10.2017- 69. Влияние подложки на магнитоупругие колебания в структуре "магнитная пленка – немагнитная подложка"
Рассмотрено возбуждение магнитоупругих колебаний в структуре "магнитная пленка – немагнитная подложка" на примере схем магнитострикционного преобразователя и ротационного магнетометра. Изучено существование квазистатической сдвиговой деформации подложки.
статья, добавлен 05.11.2018 Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
реферат, добавлен 05.11.2017Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Основные разновидности современных транзисторов, критерии и показатели их классификации. Внутреннее устройство и главные компоненты биполярного транзистора, режимы работы и схемы включения. Факторы, влияющие на усиление сигнала, его основные классы.
реферат, добавлен 09.04.2015Понятие и сущность диэлектриков, их характерные отличительные свойства от других веществ. Этапы исследования механизма ионизации, электрической проводимости и пробоя жидких диэлектриков. Особенности пробоя жидких диэлектриков, теория А. Геманта.
реферат, добавлен 22.01.2011Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Построение динамических характеристик работы транзистора разными методами (графическим, приближенным аналитическим). Выходная и входная, проходная и сквозная динамическая характеристика каскада по постоянному, переменному току. Режимы работы транзистора.
реферат, добавлен 27.06.2015