Застосування напівпровідників в техніці

Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.

Подобные документы

  • Способи створення омічних і випростовуючих контактів, параметри та властивості базових підкладинок. Особливості міжзонної та екситонної рекомбінації у дифузійних шарах II-VI напівпровідників. Випромінювальна рекомбінація простих та асоціативних центрів.

    автореферат, добавлен 29.09.2014

  • Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.

    реферат, добавлен 08.12.2015

  • Поняття напівпровідників та їх характерні властивості. Будова та особливості напівпровідникових матеріалів. Електропровідність напівпровідників та їх електричні властивості: власна та домішкова провідність, донорні та акцепторні рівні, глибокі домішки.

    курсовая работа, добавлен 29.03.2011

  • Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.

    автореферат, добавлен 25.04.2014

  • Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.

    автореферат, добавлен 29.08.2014

  • Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.

    автореферат, добавлен 26.08.2014

  • Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.

    автореферат, добавлен 28.09.2015

  • Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.

    автореферат, добавлен 25.06.2014

  • Прилад із зарядовим зв'язком (ПЗЗ). Опис основних функціональних характеристик та принципу дії фоточутливих ПЗЗ. Виготовлення і матеріали. Способи сприйняття кольорових зображень. Основне застосування ПЗЗ. Функціональні характеристики фоточутливих ПЗЗ.

    реферат, добавлен 06.05.2015

  • Фізичні основи оптичного зв'язку. Випромінювальні напівпровідникові прилади та їх фізичні характеристики. Умови генерації світла лазерними діодами. Засоби модуляції оптичного випромінювання. Властивості поширення світла у світловодах, вікна прозорості.

    методичка, добавлен 24.06.2014

  • Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.

    автореферат, добавлен 20.07.2015

  • Ознайомлення з напівпровідниковими приладами, котрі застосовуються в різних галузях техніки. Аналіз вивчення напівпровідників у школі та розробка план-конспекту уроку на тему: "Електричний струм у напівпровідниках". Вивчення процесу дифузії зарядів.

    курсовая работа, добавлен 08.11.2018

  • Залежність спектрів екситонів від магнітного поля у квантових ямах, опромінених високоенергетичними частинками марганцю. Показано, що в опромінених зразках має місце суттєве збільшення розщеплення екситонних рівнів у магнітному полі у квантовій ямі.

    статья, добавлен 03.10.2013

  • Вибір класу електронних та квантових приладів надвисоких частот. Опис схеми прольотного клістрону і принцип його дії. Включення і розрахунок основних параметрів обраного електронного пристрою. Рекомендації по використанню розробленої дії в підсилювачах.

    практическая работа, добавлен 05.06.2014

  • Напівпровідник — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Залежність провідності від тепла. Фактори, що впливають на провідність. Наведено приклади та початкові відомості про напівпровідники.

    презентация, добавлен 13.12.2021

  • Прилади, за допомогою яких здійснюють перетворення напруги змінного струму. Склад і види трансформаторів, умови їх роботи та області застосування. Коефіцієнт корисної дії сучасних трансформаторів. Розробка і конструювання першого трансформатора.

    реферат, добавлен 19.10.2009

  • Будова, принцип роботи електронно-променевих і спектральних приладів (просвічуючі, растрові електронні мікроскопи, електронографи, рентгенівські апарати). Експериментальні методи дослідження будови, складу плівкових матеріалів. Розрахункові задачі.

    учебное пособие, добавлен 17.12.2013

  • Корпускулярно-хвильовий дуалізм речовини. Основні поняття квантової механіки. Найпростіші задачі квантової механіки. Взаємодія атомів у молекулі. Основні закони термодинаміки. Елементи зонної теорії кристалів. Електронні властивості напівпровідників.

    курс лекций, добавлен 07.07.2017

  • Закономірності транспорту заряду та зміни оптичних характеристик у напівпровідникових матеріалах. Спряжені поліарилени під дією зовнішніх факторів – температури, електричного поля, протонного та акцепторного легування. Спряжені поліарилени у пристроях.

    автореферат, добавлен 28.07.2014

  • Поняття про поляризації гірської породи. Діелектричні втрати. Взаємодія електричних і магнітних полів з гірською породою. Провідність металів і напівпровідників. Виникнення механічних напружень в гірських породах під дією зовнішніх електричних полів.

    лекция, добавлен 22.07.2017

  • Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.

    автореферат, добавлен 20.04.2014

  • Основні характеристики і дефекти оптичних лінз. Вимірювання довжини хвилі джерела світла за допомогою дифракційної гратки. Шляхи зменшення сферичної аберації. Перевірка закону Малюса. Вивчення вентильного фотоефекту. Аналіз властивостей напівпровідників.

    методичка, добавлен 21.07.2017

  • Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.

    лабораторная работа, добавлен 13.07.2017

  • Об'ємні композити системи Bi(Sb)2S3-As2S3 та аморфні багатошарові наноструктури на основі халькогенідних напівпровідників As2S3 з Bi i Sb. Зміна оптичних та електрофізичних властивостей нанокомпозитів за рахунок фото- і термоіндукованих процесів.

    автореферат, добавлен 26.09.2015

  • Розробка спін-електронної моделі аморфних магнітних металічних сплавів і напівпровідників. Розвиток методів дослідження моделі, розрахунок на її основі електронного спектру та густини електронних станів, спектру спінових хвиль у довгохвильовій області.

    автореферат, добавлен 25.08.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.