Застосування напівпровідників в техніці
Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
Подобные документы
Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
автореферат, добавлен 04.03.2014Встановлення ролі механізмів поглинання ІЧ випромінювання у вузькощілинному кадмій–ртуть-телур та їх впливу на спектральні характеристики чутливості багатоелементних структур. Застосування методів нелінійної оптики для контролю складу зразків КРТ.
автореферат, добавлен 28.08.2015Вибір оптимальної технології виготовлення шарів оксиду цинку, дослідження їх основних фізичних властивостей та можливостей практичного використання. Особливості структурних, електричних, оптичних і люмінесцентних властивостей гетерошарів оксиду цинку.
автореферат, добавлен 25.07.2015Природа особливостей в нелінійній електропровідності та магнітоопорі точкових нанорозмірних контактів на основі плівкових структур з феромагнітних матеріалів. Застосування методу мікроконтактної спектроскопії для характеризації досліджуваних контактів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Особливості властивостей наноматеріалів та основні напрямки їх застосування. Виготовлення виробів з функціональної нанокераміки методом сухого ультразвукового та колекторного компактування. Застосування нанопорошків оксидів для високоякісних керамік.
реферат, добавлен 06.12.2015Залежність ефективності перетворення короткохвильового випромінювання в довгохвильове від зовнішніх впливів. Граничні значення потужностей Si-випромінювачів в ізотермічних умовах. Створення багатоспектрального випромінювача з оптичним керуванням.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 82. Напівпровідники
Напівпровідники, їх проміжне місце між провідниками та діелектриками. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Аналіз терморезисторів та фоторезисторів. Електронно-дірковий перехід. Характеристика та використання напівпровідникових діодів.
презентация, добавлен 05.09.2015 Визначення залежності питомого опору від стану речовини, температури, освітлення та домішок. Характеристика власної провідності напівпровідників. Сутність термо- та фоторезисторів. Тривалентні елементи періодичної системи, утворення ковалентного зв’язку.
презентация, добавлен 14.11.2013Особливості зміни оптичних властивостей тонких шарів напівпровідника, спектрів комбінаційного розсіювання, механізм незворотних фотоструктурних перетворень. Визначення процесів селективного травлення, формуванні рельєфу голограмних оптичних елементів.
автореферат, добавлен 22.04.2014Характеристики відеоекранів на базі повноколірних світлодіодів. Електрооптичні ефекти у холестеричних РК. Особливості оптоелектроніки з неорганічних, органічних напівпровідників і рідкокристалічних матеріалів. Моделювання світлового випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Функціонування технічних пристроїв на використанні явищ і законів природи, відкритих і вивчених у фізиці. Необхідність застосування комп'ютерних технологій в усіх сферах науки, техніки й виробництва. Прикладне значення дифузії в житті людини і тварини.
реферат, добавлен 04.10.2015Принципова оптична схема спектрального приладу. Спектроскоп, спектрограф, спектрометр, монохроматор. Загальне поняття про лінійну дисперсію, зв'язок з роздільною здатністю. Молекулярний спектральний аналіз. Основні задачі теорії спектральних приладів.
реферат, добавлен 10.02.2013Поняття та значення фізичної величини, її характеристики, принципи вимірювання фізичних величин. Принцип дії і основні характеристики електровимірювальних приладів. Прилади магнітоелектричної та індукційної системи. Суть і природа термоелектричних явищ.
методичка, добавлен 18.03.2017Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження основних процесів взаємодії світла, особливо світлових пучків високої інтенсивності, з екситонними та біекситонними елементарними збудженнями при непружному розсіянні екситонних молекул в напівпровідникових кристалах та наноструктурах.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 92. Епітаксіальні надгратки та квантові структури з монохалькогенідів свинцю, олова, європію та ітербію
Теоретичне встановлення закономірностей та ефектів, пов’язаних з переходом до низьковимірного стану епітаксіальних надграток з халькогенідних напівпровідників з невідповідністю грат суміжних шарів. Електричні, оптичні та магнітні властивості надграток.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Основні напрямки застосування фотоефекту у наці та техніці. Принципи дії та застосування вакуумних, напівпровідникових та вентильних фотоелементів. Фотоелементи у вигляді сонячних батарей. Застосування фотоефекту для реєстрації і зміни світлових потоків.
презентация, добавлен 18.06.2023Закони заломлення світла та оптичні прилади. Дифракція рентгенівських променів та дисперсія світла. Квантова природа електромагнітного випромінювання. Короткохвильова границя гальмового рентгенівського випромінювання. Теорія воднеподібного атома за Бором.
курсовая работа, добавлен 28.11.2014Основні відомості про освітлювальні електроустановки. Електричні джерела світла, прилади і світильники освітлювальних установок. Схема вмикання люмінесцентних та ламп розжарювання. Експлуатація освітлювальних установок. Проведення монтажу світильників.
дипломная работа, добавлен 21.02.2013Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження технічних характеристик індукційних та електромагнітних вимірювальних реле струму, часу та проміжних. Вивчення головних технічних характеристик даних апаратів, методика їх контролю та використовувані для цього прилади, принцип роботи.
методичка, добавлен 08.05.2013Встановлення загальних закономірностей формування структури різного масштабу в аморфних напівпровідникових плівках системи Ge-Sb-Se. Закономірності впливу вихідної структури конденсатів на фазові переходи, стимульовані зміни і релаксаційні процеси в них.
автореферат, добавлен 28.09.2015Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження нестійкостей, що виникають при ядерному опроміненні впорядкованих бінарних сплавів та напівпровідників. Виникнення часових і просторових реакцій однорідного стаціонарного розподілу дефектів. Опис системи методом молекулярної динаміки.
автореферат, добавлен 19.04.2014