Застосування напівпровідників в техніці
Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
Подобные документы
Характеристика оптичних і термічних властивостей твердого тіла. Ефекти сталих каркасів з різними тепловими якостями. Вплив напівпровідників при дослідженні на термопружність параметрів. Фототермоакустичні коливання збуджень п’єзоелектричних корпусів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження можливостей застосування метало-тритієвих структур в поєднанні з каналовими електронними помножувачами та мікроканальними пластинами в джерелах початкової іонізації НВЧ-розрядників РЛС міліметрового та субміліметрового діапазону хвиль.
автореферат, добавлен 27.09.2014Класифікація речовин за здатністю проводити електричний струм. Виникнення надпровідності у металах при охолодженні. Визначення основних відмінностей напівпровідників від провідників. Матеріали та речовини-діелектрики. Керування електропровідністю.
презентация, добавлен 30.10.2019Опис енергетичного спектра електронів, магнітного впорядкування та електропровідності в моделі Хаббарда, роль електронних кореляцій у структурно-фазових перетвореннях перехідних металів та їх сплавів. Опис кінетичних властивостей діаграми кристалів.
автореферат, добавлен 07.03.2014Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Відкачування повітря з судини. Випромінювання електронів розжареним провідником. Термоелектронна емісія та її застосування. Електровакуумні прилади: вакуумний тріод та тетрод (чотириелектродна лампа). Електронно-променева трубка. Рентгенівська трубка.
реферат, добавлен 06.12.2012Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження особливостей формування багатоквантових сигналів спінової луни від квадрупольних ядер. Розгляд та характеристика теоретичних підходів до опису релаксаційних властивостей сигналів ядерної спінової луни в речовинах з магнітним упорядкуванням.
автореферат, добавлен 14.09.2015Аналіз методами оптичної спектроскопії розподілу розмірів квантових точок, синтезованих у матриці боросилікатного скла. Закономірності еволюції краю смуги поляризаційного поглинання оптичних хвиль, структура спектрів фотолюмінесценції квантових точок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Встановлення закономірностей одночасного впливу лазерного опромінення та гріючого носія заряду електричного поля на електронні процеси та розповсюдження хвиль у напівпровідниках. Побудова теорії фотовідгуку напівпровідника в умовах фото-Ганн-ефекту.
автореферат, добавлен 30.08.2014Підвищення точності вимірювання відстаней і потужності когерентного та некогерентного оптичного випромінювання. Застосування методів низькокогерентної спектральної інтерферометрії для створення сіток оптичних частот в телекомунікаційних системах.
автореферат, добавлен 19.06.2018Огляд конструктивних виконань індикаторів впливу магнітного поля, що встановлюються як фіксуючі технічні засоби втручання у роботу приладів обліку споживачів при використанні енергоресурсів внаслідок дії на них зовнішнього постійного магнітного поля.
статья, добавлен 13.02.2024Структуроутворення ковалентної сітки зв'язків у складних халькогенідних некристалічних напівпровідниках при зміні складу та кореляція структури, динамічної та променевої стійкостей вздовж різних розрізів області склоутворення потрійної системи Ge-As-S.
автореферат, добавлен 13.07.2014Залежність критичної механічної напруги від площі поперечного перерізу зразків n-Ge, що використовуються при дослідженнях деформаційних ефектів. Вплив геометричних розмірів зразків на точність вимірювання питомої електропровідності монокристалів.
статья, добавлен 29.11.2016Аналіз властивостей і особливостей структуроутворення композиційного матеріалу алмаз-SiC під час виготовлення композита з оптимальною мікроструктурою. Залежність рівня псевдомакронапружень і мікронапружень від концентрації карбіду кремнію в композиті.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розгляд класифікації інтегральних мікросхем та системи позначень. Визначення типу електропровідності кристалів і пластин. Вимірювання поверхневого і питомого опору шарів напівпровідника, статичних параметрів ІМС. Дослідження параметрів логічних мікросхем.
методичка, добавлен 17.11.2022Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016Створення плівок поруватого кремнію електрохімічним методом. Характеристика електричних та оптичних властивостей прозорих плівкових оксидів. Застосування технології вологого хімічного та парового осадження при виготовленні головних ясних покрить.
диссертация, добавлен 01.01.2017Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Залежність фазового складу стрічок від параметрів синтезу. Режими приготування однофазних квазікристалів. Методи рентгенівської дифрактометрії в досліджені структурного, напруженого стану, дефектності структури, властивостей ікосаедричних квазікристалів.
автореферат, добавлен 29.08.2015