Математическая модель диффузии в полупроводниках на основе дробно-дифференциальной аппроксимации Паде
Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
Подобные документы
Проведение исследования электрического тока в ультрахолодной сильно неидеальной плазме методом молекулярной динамики. Обсуждение основных отличий от результатов, полученных ранее на основе анализа коэффициента диффузии и автокорреляционной функции тока.
статья, добавлен 29.04.2019Сила вязкого трения Стокса и средний квадрат смещения частицы. Расчет объемной концентрации частиц твердой фазы в коллоидных растворах. Коэффициент броуновской вращательной диффузии. Асимптотические значения Ланжевена для слабых и сильных полей.
курсовая работа, добавлен 22.03.2014Изучение основных положений молекулярно-кинетической теории. Характеристика явления переноса при беспорядочности теплового движения молекул газа. Анализ диффузии массы. Термодинамические исследования физических процессов в макроскопических системах.
курс лекций, добавлен 13.08.2013Получение материалов на основе железа с упрочненными слоями большей глубины методом электролитно-плазменной обработки. Эффективные коэффициенты диффузии для элементов Сu, W. Схема классификации плазменного электролиза, дифрактограмма алюминиевого сплава.
автореферат, добавлен 29.03.2018Оценки значений коэффициентов диффузии в 2-3-миллиметровом участке вязкого пограничного слоя для ламинарного потока при малых значениях числа Рейнольдса на основе данных экспериментальных измерений. Сравнение с соответствующими классическими измерениями.
статья, добавлен 25.06.2018Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015- 57. Постановка задачи математического моделирования процесса диффузии, осложненного химической реакцией
Функциональная схема процесса нейтрализации. Принципы построения математической модели, ее внутренняя структура и компоненты. Подходы и требования к разработке структурной схемы граничного управления в терминах структурной теории распределенных систем.
статья, добавлен 31.08.2018 Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Описание разработанного метода непосредственной регистрации оптической неоднородности в биологической ткани до реконструкции изображения с помощью диффузионной оптической томографии. Рассмотрение модели диффузии исходного числа фотонов в импульсе.
статья, добавлен 05.11.2018Сущность электронно-дырочного перехода, динамическое равновесие процессов диффузии. Понятие теплового и электрического пробоя. Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов, их применение в технике. Характеристика варикапов, их применение.
контрольная работа, добавлен 15.10.2014Примеры решения задач по термодинамике газов на определение скорости молекул, количества теплоты, изменения энтропии, температуры, массы и объема. Примеры вычисления коэффициента диффузии, термического коэффициента полезного действия тепловой машины.
контрольная работа, добавлен 14.11.2015Построение системы уравнений для описания нейтронно-физических процессов в реакторе. Решения уравнения диффузии в гомогенизированном реакторе с использованием асимптотических констант ячеек. Объединение программ трехмерных нейтронно-физических расчетов.
автореферат, добавлен 08.02.2018Элементарный состав твердых и жидких топлив. Летучие вещества и кокс. Теплотехническая оценка элементов, входящих в топливо. Физика и химия горения углерода. Распространение пламени в газовых смесях. Особенности диффузии и массообмена при горении.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Основные положения теории массообмена. Факторы, влияющие на коэффициент диффузии. Плотность потока массы в процессе конвективного массобмена. Граничные условия на поверхности раздела фаз, коэффициент массоотдачи. Аналогия процессов тепло- и массообмена.
лекция, добавлен 30.11.2016Модель процесса накопления и регенерации тепла в регенеративной защитной маске в виде нелинейного обыкновенного дифференциального уравнения первого порядка. Обратная задача по определению коэффициентов теплоотдачи на основе экспериментальных данных.
статья, добавлен 30.04.2018Литиевые аккумуляторы как наиболее эффективные устройства для накопления энергии. Основные требования к катодному материалу. Обнаружение диффузии лития. Твердооксидные топливные элементы. Роль нанотехнологий в создании новых поколений материалов.
лекция, добавлен 13.08.2013Расчет суммарного импульса, переносимого молекулами при данном градиенте скорости вне зависимости от давления. Изучение закона Стокса, теплопроводности и диффузии газов. Молекулярно-кинетическая теория. Распределение энергии по степеням свободы.
лекция, добавлен 29.09.2014- 68. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013 Сокращения линейных размеров микрочастиц в направлении движения. Дробные производные в нелинейной динамике. Замедление диффузии в фрактальных средах. Создание абсолютной системы измерения физических величин. Закон Ома для участка электрической цепи.
статья, добавлен 23.11.2018Исследование методом фотонной корреляционной спектроскопии распределение коэффициента диффузии в испаряющейся капле раствора наночастиц серебра в условиях сохранения площади основания капли. Диффузионное зондирование наночастицами структуры воды.
статья, добавлен 23.06.2018Оценка влияние света на ход электрических процессов. Определение зависимости фототока от приложенного напряжения. Квантовый анализ внешнего фотоэффекта. Механизм перераспределения электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках.
реферат, добавлен 01.10.2015Переходы электронов между стационарными состояниями в кристалле под действием электромагнитного излучения. Собственное поглощение света. Уравнение Максвелла при отсутствии сторонних полей и объемных зарядов. Поглощение света решеткой, электронами.
курсовая работа, добавлен 13.07.2017Виды оптического поглощения в полупроводниках. Измерение поглощения оптического излучения в арсениде галлия. Отбор образцов с дефектами. Измерение спектров пропускания. Оценка концентрации хрома и его распределения в высокоомных образцах арсенида галлия.
отчет по практике, добавлен 21.02.2020Анализ подхода к аппроксимации сигналов в области затухающими колебаниями, функция плотности распределения параметров которых определяется на основе максимума энтропии. Его применение для оценки импульсных характеристик сверхширокополосных систем.
статья, добавлен 03.11.2018Механизмы, ответственные за магнитозависимые эффекты в органических светоизлучающих диодах. Магнитополевая зависимость относительной интенсивности люминесценции пленок MEH-PPV. Работа установки по наблюдению магнитополевого эффекта фотолюминесценции.
статья, добавлен 21.12.2019