Математическая модель диффузии в полупроводниках на основе дробно-дифференциальной аппроксимации Паде
Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
Подобные документы
Причины высокого молекулярного ван-дер-ваальсового давления, процесс его определения. Расчет коэффициента сжимаемости жидкости. Молярная теплоемкость некоторых металлов. Сущность закона Фика и явления диффузии, основные методы определения явления.
реферат, добавлен 17.11.2013Розробка методу побудови розв'язків нелінійних крайових задач теорії згину пластин на основі моделей Кірхгофа-Бергера з застосуванням методу збурення виду крайових умов та дробово-раціонального перетворення Паде отриманого відрізку ряду збурення.
автореферат, добавлен 15.07.2014Автомодельное и численное решение задач нелинейной диффузии магнитного поля. Аппроксимация уравнения состояния вещества в широком диапазоне параметров. Разработка экспериментальных методов получения высоких давлений и создания соответствующей техники.
автореферат, добавлен 02.03.2018Расчет скорости испарения с поверхности водоемов. Определение относительной влажности воздуха. Конденсационный рост аэрозольных частиц в атмосфере. Изучение методов теплового баланса и турбулентной диффузии. Установление скорости геострофического ветра.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Фотоэлектромагнитный эффект. Фотоэффект в p-n переходах. Фотоэффект на барьере Шоттки. Явление Кикоина-Носкова.
реферат, добавлен 22.03.2016Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012- 82. Явления переноса
Понятие диффузии, вязкости, теплопроводности газа. Формулы закономерностей хаотического движения молекул газа, длина свободного пробега молекул. Коэффициенты переноса и их зависимость от давления: уравнения Фика, Ньютона, Фурье. Понятие о вакууме.
презентация, добавлен 23.10.2012 Изучение особенностей распространения тяжелой пассивной примеси в условиях нерегулярной нестационарной мезомасштабной конвекции с использованием в качестве базовой гидродинамической модели конвективного ансамбля. Исследование диффузии в океане, атмосфере.
статья, добавлен 28.05.2018Математическая модель несимметричного подключения трехфазного АД к сети переменного тока. Порядок вывода уравнений несимметричного режима. График изменения абсолютной ошибки для данных моделей. Их сравнение с классическими моделями несимметричных режимов.
статья, добавлен 25.08.2020Математическая модель, позволяющая исследовать несимметричные короткие замыкания в синхронных машинах на основе аналитического описания переходных процессов при наличии на роторе большого числа контуров. Расчет несимметричных динамических режимов работы.
статья, добавлен 02.07.2018Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Класс точности измерительного прибора - выраженное в процентах отношение предельной абсолютной погрешности к максимальному значению измеряемой величины. Специфические особенности возникновения эффекта Холла в электронном и дырочном полупроводниках.
учебное пособие, добавлен 15.09.2017Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Общая теория гальваномагнитных явлений и магнетосопротивление. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках и ферромагнетиках, а также его приложениях в науке и технологии. Свойства и методика создания наносистем пониженной размерности.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Исследования наномасштабных шероховатостей поверхности твердого тела методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии. Разработка аппаратуры и СЗМ-методик регистрации локального фототока в фоточувствительных полупроводниках.
автореферат, добавлен 16.02.2018Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Распределение поля для простейших типов колебаний. Выходная мощность лазерного генератора. Межзонные оптические переходы в полупроводниках. Добротность, определяемая выводом излучения через зеркала. Распространение испускания в анизотропных средах.
шпаргалка, добавлен 19.10.2014Вычислительная процедура по численному определению дифференциальных и интегральных характеристик процессов протекающих при МГД-перемешивании алюминиевых расплавов на основе математической модели. Дифференциальные и интегральные характеристики ЭМП.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2019