Математическая модель диффузии в полупроводниках на основе дробно-дифференциальной аппроксимации Паде
Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
Подобные документы
Механизмы, ответственные за магнитозависимые эффекты в органических светоизлучающих диодах. Магнитополевая зависимость относительной интенсивности люминесценции пленок MEH-PPV. Работа установки по наблюдению магнитополевого эффекта фотолюминесценции.
статья, добавлен 21.12.2019Причины высокого молекулярного ван-дер-ваальсового давления, процесс его определения. Расчет коэффициента сжимаемости жидкости. Молярная теплоемкость некоторых металлов. Сущность закона Фика и явления диффузии, основные методы определения явления.
реферат, добавлен 17.11.2013Розробка методу побудови розв'язків нелінійних крайових задач теорії згину пластин на основі моделей Кірхгофа-Бергера з застосуванням методу збурення виду крайових умов та дробово-раціонального перетворення Паде отриманого відрізку ряду збурення.
автореферат, добавлен 15.07.2014Автомодельное и численное решение задач нелинейной диффузии магнитного поля. Аппроксимация уравнения состояния вещества в широком диапазоне параметров. Разработка экспериментальных методов получения высоких давлений и создания соответствующей техники.
автореферат, добавлен 02.03.2018Расчет скорости испарения с поверхности водоемов. Определение относительной влажности воздуха. Конденсационный рост аэрозольных частиц в атмосфере. Изучение методов теплового баланса и турбулентной диффузии. Установление скорости геострофического ветра.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Фотопроводимость. Внутренний фотоэффект. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Фотоэлектромагнитный эффект. Фотоэффект в p-n переходах. Фотоэффект на барьере Шоттки. Явление Кикоина-Носкова.
реферат, добавлен 22.03.2016Общие сведения о полупроводниках - веществах, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков. Характеристики p-n-перехода. Суть процесса легирования – добавления посторонних элементов.
лекция, добавлен 03.10.2012- 83. Явления переноса
Понятие диффузии, вязкости, теплопроводности газа. Формулы закономерностей хаотического движения молекул газа, длина свободного пробега молекул. Коэффициенты переноса и их зависимость от давления: уравнения Фика, Ньютона, Фурье. Понятие о вакууме.
презентация, добавлен 23.10.2012 Изучение особенностей распространения тяжелой пассивной примеси в условиях нерегулярной нестационарной мезомасштабной конвекции с использованием в качестве базовой гидродинамической модели конвективного ансамбля. Исследование диффузии в океане, атмосфере.
статья, добавлен 28.05.2018Математическая модель несимметричного подключения трехфазного АД к сети переменного тока. Порядок вывода уравнений несимметричного режима. График изменения абсолютной ошибки для данных моделей. Их сравнение с классическими моделями несимметричных режимов.
статья, добавлен 25.08.2020Математическая модель, позволяющая исследовать несимметричные короткие замыкания в синхронных машинах на основе аналитического описания переходных процессов при наличии на роторе большого числа контуров. Расчет несимметричных динамических режимов работы.
статья, добавлен 02.07.2018Уменьшение коэффициента диффузии при использовании микроструктурированных реакционных систем. Положительное влияние на скорости переноса реагирующих веществ и продуктов реакции. Увеличение скорости реакции и уменьшение дезактивации каталитических систем.
статья, добавлен 27.02.2025Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
лекция, добавлен 23.06.2013Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017Класс точности измерительного прибора - выраженное в процентах отношение предельной абсолютной погрешности к максимальному значению измеряемой величины. Специфические особенности возникновения эффекта Холла в электронном и дырочном полупроводниках.
учебное пособие, добавлен 15.09.2017Физические процессы, происходящие в полупроводниках под воздействием внешних ионизаторов. Строение полупроводников, их отличительные особенности собственной и примесной проводимости. Практическое применение полупроводников в электронных устройствах.
презентация, добавлен 05.10.2015Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Общая теория гальваномагнитных явлений и магнетосопротивление. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках и ферромагнетиках, а также его приложениях в науке и технологии. Свойства и методика создания наносистем пониженной размерности.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016Исследования наномасштабных шероховатостей поверхности твердого тела методами сканирующей зондовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии. Разработка аппаратуры и СЗМ-методик регистрации локального фототока в фоточувствительных полупроводниках.
автореферат, добавлен 16.02.2018Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012