Математическая модель диффузии в полупроводниках на основе дробно-дифференциальной аппроксимации Паде
Уравнение классической диффузии. Механизмы диффузионных процессов в полупроводниках. Модель диффузии на основе аппроксимации Паде с приращением изменения концентрации по времени. Дробно-дифференциальное представление процесса диффузии в полупроводниках.
Подобные документы
Вывод формулы для коэффициента теплопроводности. Исследование решеточной и электронной теплоёмкости твердых тел. Поведение фононов при высоких температурах. Распределение электронов в металле. Фононная теплопроводность в диэлектриках и полупроводниках.
курсовая работа, добавлен 15.12.2018Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009- 103. Эффект Холла
Разработка структурной схемы счетчика оборотов на эффекте Холла, проведение технологических экспериментов и анализ полученных результатов. Особенности эффекта Холла в ферромагнетиках, полупроводниках, а также при примесной и собственной проводимости.
курсовая работа, добавлен 31.01.2015 Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Механизм прохождения электрического тока и его разрядов в газах, полупроводниках, вакууме, металлах и электролитах. Анализ физических явлений, которые он вызывает и их использование в различных приборах и устройствах для промышленных и бытовых нужд.
реферат, добавлен 14.04.2014Электрическая проводимость различных веществ. Электронная проводимость металлов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. Движение электронов в металле. Сверхпроводимость при очень низких температурах. Электрический ток в полупроводниках.
реферат, добавлен 09.03.2013- 107. Эффект Холла
Причины появления электрического поля в проводнике с током, помещённом в магнитное поле. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории, его проявления в ферромагнетиках, полупроводниках и на инерционных электронах. Назначение датчика ЭДС Холла.
реферат, добавлен 05.06.2010 Понятие, сущность, принцип работы, устройство и области применения полупроводниковых лазеров. Особенности создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ параметров и структуры лазерного диода. Характеристика основных свойств лазерного луча.
курсовая работа, добавлен 23.07.2010Функции аппроксимации перемещения точек стержня. Анализ уравнения движения методом возмущений. Определение вариации внутренней энергии линейно-вязкоупругого стержня и скорости распространения продольной волны в нем. Зависимость деформаций от перемещений.
статья, добавлен 25.04.2017Электрические заряды и закон Кулона. Циркуляция вектора напряженности электростатического поля. Электрические токи в металлах, вакууме и полупроводниках. Сила и плотность постоянного электрического тока. Закон Ома для участка и полной замкнутой цепи.
учебное пособие, добавлен 13.10.2017Проведение исследования характеристик фотодиода: вольт-амперной характеристики, коэффициента полезного действия. Физические основы внутреннего фотоэффекта. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.
реферат, добавлен 15.03.2021Основные проблемы измерения и контроля высокодинамичных процессов и способы решения данной проблемы. Алгоритм построения новой градуировочной характеристики. Модель информационно-измерительной системы для измерения и контроля высокодинамичных процессов.
статья, добавлен 30.04.2018Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Описание истории открытия фотоэффекта В. Гальваксом и Ф. Ленардом. Его определение и виды. Объяснение законов фотоэффекта с позиции электромагнитной теории света и квантовой теории Эйнштейна. Применение фотоэффекта в полупроводниках, медицине и технике.
реферат, добавлен 12.11.2014Разработка модели векторного гистерезиса для симметричного цикла перемагничивания ферромагнетика, основанной на комбинации дробно-рациональных функций. Зависимость напряженности магнитного поля от индукции. Гистерезис в магнитотвердых ферромагнетиках.
статья, добавлен 29.01.2016Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Математическое представление модели физического процесса в виде формул. Изобретение и применение формулы гравитационного взаимодействия. Классификация коррозионных сред, разрушений и процессов. Причины и механизм возникновения электрохимической коррозии.
реферат, добавлен 08.04.2015Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Суть модели электрических токов преонов, обусловленных их движением в электронных и ядерных оболочках. Возникновение атомных реакций при быстром токовом прерывании в металлах и полупроводниках. Трансмутации элементов, полученных при взрыве проводников.
статья, добавлен 29.04.2017Математическая модель оптимизации процесса теплопроводности. Получение необходимых условий оптимальности на основе принципа максимума Понтрягина, сопряженной системы, структуры оптимального управляющего воздействия, которая имеет интегральную форму.
статья, добавлен 08.12.2018Создание инверсной населенности в полупроводниках. Поток квантов излучения. Оптический переход с сохранением квазиимпульса. Лазеры на гетеропереходах. Спектр частот излучения. Пороговый ток, выходная мощность излучения и эффективность работы лазера.
реферат, добавлен 28.08.2013Исследование параксиальных свойств наклонных лучей с использованием точного выражения углового эйконала. Построение теории системы с плоскостной симметрией на основе дробно-линейных преобразований, являющейся моделью абсолютной оптической системы.
автореферат, добавлен 16.02.2018Связь плотности тока с концентрацией и скоростью упорядоченного движения носителей заряда. Необходимое условие существования электрического тока в замкнутой цепи. Характеристика закона Джоуля–Ленца. Механизм электропроводности в полупроводниках.
курс лекций, добавлен 26.03.2014