Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов
Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
Подобные документы
Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Исследование паразитных электромагнитных эффектов в коммуникаторе электронного модуля. Методы вычисления поля единичного элементарного источника в квазистационарном приближении. Оценка задержек и паразитных электромагнитных связей в коммуникаторе.
автореферат, добавлен 12.02.2018Диоды с накоплением заряда. Полупроводниковые электронные приборы. Применение полупроводниковых стабилитронов. Квантово-механический процесс, позволяющий электронам проходить сквозь потенциальный барьер. Распределение концентрации примесей в диодах.
курсовая работа, добавлен 19.12.2013Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014Изучение теоретического аппарата анализа информационно-управляющей системы с учетом ошибок контроля и управления. Базовая марковская модель ошибок контроля. Зависимость вероятности нахождения в работоспособном состоянии от интенсивности профилактики.
статья, добавлен 29.06.2016Современный технологический процесс изготовления печатной платы для автомата световых эффектов, разработка маршрутных и операционных карт, подбор ИМС, транзисторов и диодов. Технологические требования к паяным соединениям, выбор типа припоя и флюса.
курсовая работа, добавлен 31.07.2013Ознакомление с принципами устройства полупроводниковой электроники. Классификация и особенности применения аналоговых, импульсных и цифровых устройств. Специфика технологических этапов проектирования радиоэлектронных средств коммуникации и связи.
учебное пособие, добавлен 17.12.2013Разработка алгоритма работы микроконтроллерного устройства или микроконтроллерной системы, выбрав необходимые первичные преобразователи. Физические принципы формирования цветовых оттенков. Модели смешения цветов. Устройство формирования цветовых эффектов.
курсовая работа, добавлен 17.10.2017Создание формы передаточной функции ряда частотных полос. Хранение несжатого аудио в формате линейной импульсно-кодовой модуляции. Структура wav файла, расположение отсчетов в файле. Регулирование интенсивности эффектов эквалайзера, параметров эффектов.
курсовая работа, добавлен 10.07.2017Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Исследование структуры и особенностей цифровых систем управления. Рассмотрение сущности процесса квантования сигналов и его свойств. Определение преимуществ и недостатков цифровых систем управления. Анализ основных методов исследования цифровых систем.
презентация, добавлен 26.06.2014Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Анализ погрешностей информационно-измерительных систем АСУ ТП. Особенности функционирования компонентов измерительных каналов с учетом реальных условий эксплуатации. Стохастические модели погрешностей измерений на основе теории стохастических процессов.
монография, добавлен 25.04.2014- 41. Моделирование радиационных эффектов в системах автоматизированного проектирования микроэлектроники
Основные методы моделирования радиационных эффектов в микросхемах. Методика проектирования, информационное и лингвистическое обеспечение. Методы оценки стойкости микросхем к радиации и переходным эффектам. Пороговое напряжение в режиме сильной инверсии.
статья, добавлен 28.04.2017 Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.
статья, добавлен 22.03.2018Модель радиационно-индуцированных токов утечки, обусловленных захваченным зарядом в толстых слоях краевой изоляции. Методы физических и схемотехнических расчетов одиночных радиационных эффектов. Расчет интенсивности сбоев в цифровых элементах памяти.
автореферат, добавлен 08.02.2018Особенности развития кремниевой микроэлектроники как отрасли. История производства изделий микроэлектроники. Производители логических схем имеющие собственные фабрики. Основные пути развития информационных технологий и возможности снижения затрат.
статья, добавлен 29.05.2017Оценка метрологической надежности средств неразрушающего контроля теплофизических свойств объектов с учетом температуры и влажности окружающей среды. Определение зависимости параметров элементной базы от времени и от внешних дестабилизирующих воздействий.
автореферат, добавлен 01.09.2018Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.
автореферат, добавлен 15.02.2018Распространение одномерных и электромагнитных волн в многослойной структуре с периодической неоднородностью. Линейно-синусоидальный тип распределения, обусловленный диссипацией среды. Переход свойств структуры от диэлектрических к металлическим.
статья, добавлен 05.11.2018Практическая значимость изучения частотных свойств магнетронных автогенераторов. Электронное смещение частоты - изменение частоты магнетрона при изменении анодного тока. Фазовое положение спиц пространственного заряда для значений анодного напряжения.
статья, добавлен 24.10.2010Функциональная схема установки для исследования прямоугольного волновода. Экспериментальные и теоретические зависимости фазовой скорости Vф и скорости переноса энергии Vэ от частот. Анализ основных характеристик волновода при заполнении диэлектриком.
контрольная работа, добавлен 25.03.2010