Исследование переноса заряда в низкоразмерной двумерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов
Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
Подобные документы
Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Изучение характеристик КМОП сенсоров на примере компаний Micron Technology, OmniVision, Cypress. Исследование схемы образования и переноса заряда в ячейке ПЗС устройства. Анализ особенностей повышения качества изображения с помощью ПЗС и КМОП-датчиков.
презентация, добавлен 27.11.2012История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013Рассмотрение основ физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Обзор физических процессов, протекающих в полупроводниковых приборах, используемых в современной технике.
учебное пособие, добавлен 14.09.2015Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Режимы работы МДП-структуры. Свойства и особенности режимов работы приборов с зарядовой связью. Устройство ПЗС с поверхностным каналом передачи. Образование скрытого канала переноса заряда. Основные схемы ПЗС-матриц. Сфера применения сенсора Super CCD.
реферат, добавлен 29.08.2015Электрохимические суперконденсаторы, основные свойства. Емкостная деионизация водных растовров: концептуальные подходы. Моделирование на основе переноса заряда между электродами. Электрохимические реакции и процессы на границе углерод/электролит.
диссертация, добавлен 02.09.2018Системное влияние эффектов рефракции на результаты измерений, осуществляемых с помощью электромагнитных волн, прошедших тропосферу и ионосферу Земли. Анализ роли эффектов в формировании погрешности измерений для навигационных спутниковых систем.
статья, добавлен 14.07.2016Конструктивно-технологические ограничения в структуре лавинного фотодиода для режима счета фотонов. Ударная ионизация и лавинное умножение в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Динамика токовых импульсов с учетом латеральной неоднородности.
статья, добавлен 29.05.2017Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Анализ полупроводниковых двумерных систем. Динамика проявления DХ-фактора в явлениях переноса в параметрической связи с температурой. Изучение электрополевого гистерезиса вольтамперной характеристики латеральной проводимости одиночного гетероперехода.
статья, добавлен 04.11.2018Результаты экспериментального исследования эффектов, возникающих при радиопросвечивании лесных покровов Земли. Характеристика векторных антенн, позволяющих в одной точке регистрировать все компоненты излучения и измеряемого поля с учетом амплитуды и фазы.
статья, добавлен 03.11.2018Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015Особенность интеграции аналоговых и цифровых устройств в специализированные сложно-функциональные блоки. Анализ обобщенной структуры и основных свойств звеньев полосовых фильтров. Исследование схемотехнического проектирования звена второго порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Виды микроволновых полупроводниковых приборов и направления их развития. Технологии флэш-памяти - вида энергонезависимой перезаписываемой полупроводниковой памяти. Технология формирования флэш-памяти компаний Intel, StrataFlash, Wireless Memory System.
реферат, добавлен 22.08.2015Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018Описание усилителя заряда датчиков впрыска топлива прибора для диагностики двигателей внутреннего сгорания на базе микроконтроллера ATmega644. Разработка схем платы усилителя заряда в программе схемотехнического моделирования Proteus, печатной платы.
статья, добавлен 19.10.2019- 22. Р-п переходы
Структура, содержащая дырочную и электронную области полупроводника. Носители заряда (электроны и дырки). Понятие области объёмного заряда. Контактная разность потенциалов. Выявление отличий реальных характеристик от идеальных. Паразитная ёмкость диода.
лекция, добавлен 26.10.2013 Формирование цилиндрического пучка с учетом распределения поля его пространственного заряда. Анализ поля системы электродов в пространстве, ход нулевой эквипотенциали. Расчет электродов, формирующих осесимметричный пучок в режиме ограничения тока.
статья, добавлен 04.11.2018Анализ решений научно-технической задачи повышения эффективности систем автоматизации проектирования топологии микроэлектронных устройств с учетом помехоустойчивости. Разработка алгоритмов проектирования с учетом помехоустойчивости топологии в канале.
статья, добавлен 14.09.2016Анализ достоинств тепловизионных систем второго поколения. Знакомство с особенностями и основным этапами разработки тепловизионных систем контроля с учетом геометрического шума фотоприемных устройств. Особенности проектирования тепловизионных систем.
автореферат, добавлен 27.03.2018